Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
ZXMN2B14FHTA
  • В избранное
  • В сравнение
ZXMN2B14FHTA

ZXMN2B14FHTA

ZXMN2B14FHTA
;
ZXMN2B14FHTA

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    ZXMN2B14FHTA
  • Описание:
    MOSFET N-CH 20V 3.5A SOT23-3Все характеристики

Минимальная цена ZXMN2B14FHTA при покупке от 1 шт 245.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить ZXMN2B14FHTA с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание ZXMN2B14FHTA

ZXMN2B14FHTA Diodes Incorporated MOSFET N-CH 20V 3.5A SOT23-3

  • Основные параметры:
    • Напряжение блокировки (VDS(on)): 20В
    • Ток дrain (ID): 3.5А
    • Пакет: SOT23-3
  • Плюсы:
    • Малый размер пакета, что позволяет экономить место на печатной плате
    • Высокая скорость переключения благодаря низкому току течения при отключенном состоянии (IDS(off))
    • Низкий коэффициент теплового сопротивления, что способствует быстрому охлаждению
  • Минусы:
    • Меньшая мощность по сравнению с большими пакетами
    • Могут быть чувствительны к перегреву и скачкам напряжения
  • Общее назначение:
    • Использование в электронных устройствах для управления током
    • Применяются в источниках питания, преобразователях напряжения, схемах регулирования напряжения
    • Способствуют уменьшению энергопотерь и повышению эффективности работы устройств
  • В каких устройствах применяется:
    • Источники питания
    • Мобильные устройства (ноутбуки, планшеты)
    • Автомобильные системы
    • Преобразователи напряжения
    • Регуляторы напряжения
Выбрано: Показать

Характеристики ZXMN2B14FHTA

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    20 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    3.5A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    1.8V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    55mOhm @ 3.5A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    11 nC @ 4.5 V
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    872 pF @ 10 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    1W (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    SOT-23-3
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Base Product Number
    ZXMN2

Техническая документация

 ZXMN2B14FHTA.pdf
pdf. 0 kb
  • 1651 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    245 ₽
  • 10
    153 ₽
  • 500
    80 ₽
  • 3000
    62 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    ZXMN2B14FHTA
  • Описание:
    MOSFET N-CH 20V 3.5A SOT23-3Все характеристики

Минимальная цена ZXMN2B14FHTA при покупке от 1 шт 245.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить ZXMN2B14FHTA с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание ZXMN2B14FHTA

ZXMN2B14FHTA Diodes Incorporated MOSFET N-CH 20V 3.5A SOT23-3

  • Основные параметры:
    • Напряжение блокировки (VDS(on)): 20В
    • Ток дrain (ID): 3.5А
    • Пакет: SOT23-3
  • Плюсы:
    • Малый размер пакета, что позволяет экономить место на печатной плате
    • Высокая скорость переключения благодаря низкому току течения при отключенном состоянии (IDS(off))
    • Низкий коэффициент теплового сопротивления, что способствует быстрому охлаждению
  • Минусы:
    • Меньшая мощность по сравнению с большими пакетами
    • Могут быть чувствительны к перегреву и скачкам напряжения
  • Общее назначение:
    • Использование в электронных устройствах для управления током
    • Применяются в источниках питания, преобразователях напряжения, схемах регулирования напряжения
    • Способствуют уменьшению энергопотерь и повышению эффективности работы устройств
  • В каких устройствах применяется:
    • Источники питания
    • Мобильные устройства (ноутбуки, планшеты)
    • Автомобильные системы
    • Преобразователи напряжения
    • Регуляторы напряжения
Выбрано: Показать

Характеристики ZXMN2B14FHTA

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    20 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    3.5A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    1.8V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    55mOhm @ 3.5A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    11 nC @ 4.5 V
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    872 pF @ 10 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    1W (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    SOT-23-3
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Base Product Number
    ZXMN2

Техническая документация

 ZXMN2B14FHTA.pdf
pdf. 0 kb
Доставка

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    IPZ60R099C7XKSA1MOSFET N-CH 600V 22A TO247-4
    1 149Кешбэк 172 балла
    AUIRF2804STRL7PMOSFET N-CH 40V 240A D2PAK
    1 157Кешбэк 173 балла
    IPI075N15N3GXKSA1MOSFET N-CH 150V 100A TO262-3
    1 163Кешбэк 174 балла
    IPB117N20NFDATMA1MOSFET N-CH 200V 84A TO263-3
    1 165Кешбэк 174 балла
    IPB020N10N5ATMA1MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
    1 181Кешбэк 177 баллов
    IPB180N10S402ATMA1MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
    1 197Кешбэк 179 баллов
    IPW65R095C7XKSA1MOSFET N-CH 650V 24A TO247
    1 203Кешбэк 180 баллов
    IPA60R165CPMOSFET N-CH 600V 21A TO220
    1 205Кешбэк 180 баллов
    IPP60R099CPAAKSA1MOSFET N-CH 600V 31A TO220-3
    1 209Кешбэк 181 балл
    IPB017N10N5ATMA1MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
    1 225Кешбэк 183 балла
    IRF7779L2TRPBFMOSFET N-CH 150V 375A DIRECTFET
    1 247Кешбэк 187 баллов
    IPW60R060C7XKSA1MOSFET N-CH 600V 35A TO247-3
    1 249Кешбэк 187 баллов
    IPB100N10S305ATMA1MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3
    1 267Кешбэк 190 баллов
    IPW60R070P6XKSA1MOSFET N-CH 600V 53.5A TO247-3
    1 273Кешбэк 190 баллов
    IPB65R110CFDAATMA1MOSFET N-CH 650V 31.2A D2PAK
    1 287Кешбэк 193 балла
    IPT007N06NATMA1Транзистор: MOSFET N-CH 60V 300A 8HSOF
    1 315Кешбэк 197 баллов
    IPA60R125CPXKSA1MOSFET N-CH 650V 25A TO220-FP
    1 325Кешбэк 198 баллов
    IPP65R065C7XKSA1MOSFET N-CH 650V 33A TO220-3
    1 438Кешбэк 215 баллов
    IPA65R065C7XKSA1MOSFET N-CH 650V 15A TO220-FP
    1 438Кешбэк 215 баллов
    IPW65R110CFDAFKSA1MOSFET N-CH 650V 31.2A TO247-3
    1 438Кешбэк 215 баллов
    IPP60R060C7XKSA1MOSFET N-CH 600V 35A TO220-3
    1 466Кешбэк 219 баллов
    IPA60R060C7XKSA1
    1 466Кешбэк 219 баллов
    IPW65R065C7XKSA1MOSFET N-CH 650V 33A TO247-3
    1 474Кешбэк 221 балл
    BTS282ZE3230AKSA2MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7
    1 526Кешбэк 228 баллов
    IPW60R099CPAFKSA1MOSFET N-CH 600V 31A TO247-3
    1 526Кешбэк 228 баллов
    BTS282ZE3180AATMA2MOSFET N-CH 49V 80A TO263-7
    1 542Кешбэк 231 балл
    IPZ65R065C7XKSA1MOSFET N-CH 650V 33A TO247-4
    1 578Кешбэк 236 баллов
    AUIRFB8407MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB
    1 590Кешбэк 238 баллов
    SPW32N50C3FKSA1MOSFET N-CH 560V 32A TO247-3
    1 606Кешбэк 240 баллов
    IPW65R048CFDAFKSA1MOSFET N-CH 650V 63.3A TO247-3
    1 614Кешбэк 242 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - JFET
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    IGBT транзисторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Симисторы - Модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды выпрямительные - Модули
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диодные мосты - Модули
    Тиристоры - TRIACs
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диодные мосты
    Сборки биполярных транзисторов
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды силовые
    Варикапы и Варакторы
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Модули драйверов питания
    Одиночные биполярные транзисторы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Одиночные триодные тиристоры
    Транзисторы специального назначения
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Симисторы
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Одиночные IGBT транзисторы
    Высокочастотные диоды
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Полевые транзисторы - Сборки
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Модули триодных тиристоров
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Модули драйверов питания
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды - мостовые выпрямители
    Тиристоры - SCR
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторные модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП