Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - JFET
2N3823
  • В избранное
  • В сравнение
2N3823

2N3823

2N3823
;
2N3823

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    InterFET
  • Артикул:
    2N3823
  • Описание:
    N CHANNEL JFETВсе характеристики

Минимальная цена 2N3823 при покупке от 1 шт 3477.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить 2N3823 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание 2N3823

2N3823 InterFET N CHANNEL JFET

  • Основные параметры:
    • Тип: N-канальный JFET (Junction Field-Effect Transistor)
    • Максимальное напряжение VGS: 30 В
    • Максимальный ток ID: 150 мА
    • Тип выходной характеристики: N-канальный
  • Плюсы:
    • Высокая стабильность характеристик при изменении температуры
    • Низкий входное сопротивление
    • Высокая частотная характеристика
    • Устойчивость к электромагнитным помехам
  • Минусы:
    • Небольшой диапазон регулирования тока
    • Высокий динамический диапазон
  • Общее назначение:
    • Использование в предварительной обработке сигнала
    • Для создания фильтров и усилителей низкой частоты
    • Регулировка тока в цепях
    • В качестве блокировочных элементов
  • В каких устройствах применяется:
    • Музыкальные инструменты и акустика
    • Профессиональное звуковое оборудование
    • Автомобильные системы
    • Промышленное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики 2N3823

  • Package
    Bulk
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Напряжение туннельного пробоя (V(BR)GSS)
    30 V
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Ток утечки (Idss) @ Vds (Vgs=0)
    20 mA @ 15 V
  • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id
    8 V @ 500 pA
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    6pF @ 15V
  • Рассеивание мощности
    300 mW
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 200°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
  • Исполнение корпуса
    TO-72
  • Base Product Number
    2N3823

Техническая документация

 2N3823.pdf
pdf. 0 kb
  • 548 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    3 477 ₽
  • 10
    2 784 ₽
  • 100
    2 407 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    InterFET
  • Артикул:
    2N3823
  • Описание:
    N CHANNEL JFETВсе характеристики

Минимальная цена 2N3823 при покупке от 1 шт 3477.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить 2N3823 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание 2N3823

2N3823 InterFET N CHANNEL JFET

  • Основные параметры:
    • Тип: N-канальный JFET (Junction Field-Effect Transistor)
    • Максимальное напряжение VGS: 30 В
    • Максимальный ток ID: 150 мА
    • Тип выходной характеристики: N-канальный
  • Плюсы:
    • Высокая стабильность характеристик при изменении температуры
    • Низкий входное сопротивление
    • Высокая частотная характеристика
    • Устойчивость к электромагнитным помехам
  • Минусы:
    • Небольшой диапазон регулирования тока
    • Высокий динамический диапазон
  • Общее назначение:
    • Использование в предварительной обработке сигнала
    • Для создания фильтров и усилителей низкой частоты
    • Регулировка тока в цепях
    • В качестве блокировочных элементов
  • В каких устройствах применяется:
    • Музыкальные инструменты и акустика
    • Профессиональное звуковое оборудование
    • Автомобильные системы
    • Промышленное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики 2N3823

  • Package
    Bulk
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Напряжение туннельного пробоя (V(BR)GSS)
    30 V
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Ток утечки (Idss) @ Vds (Vgs=0)
    20 mA @ 15 V
  • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id
    8 V @ 500 pA
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    6pF @ 15V
  • Рассеивание мощности
    300 mW
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 200°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
  • Исполнение корпуса
    TO-72
  • Base Product Number
    2N3823

Техническая документация

 2N3823.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    SST402 SOIC 8LLOW NOISE, LOW DRIFT, MONOLITHIC
    782Кешбэк 117 баллов
    LSBF510 SOT-23 3L ROHSHIGH GAIN, SINGLE N-CHANNEL JFET
    961Кешбэк 144 балла
    SST204 SOT-23 3LLOW NOISE, SINGLE, N-CHANNEL JFE
    961Кешбэк 144 балла
    2N5115 TO-18 3LP-CHANNEL, SINGLE, JFET SWITCH
    1 535Кешбэк 230 баллов
    LS3958 SOIC 8LJFET AMPLIFIERS-DUALS - LOW NOIS
    1 687Кешбэк 253 балла
    U406 TO-71 6LLOW NOISE, LOW DRIFT, MONOLITHIC
    1 698Кешбэк 254 балла
    SST401 SOIC 8LLOW NOISE, LOW DRIFT, MONOLITHIC
    1 781Кешбэк 267 баллов
    U404 TO-71 6LLOW NOISE, LOW DRIFT, MONOLITHIC
    1 781Кешбэк 267 баллов
    LS320 TO-72 4LBIFET AMPLIFIER - HIGH INPUT Z A
    1 796Кешбэк 269 баллов
    LS845 SOIC 8LLOW NOISE, LOW DRIFT, LOW CAPACI
    1 804Кешбэк 270 баллов
    LS3954 TO-71 6LJFET AMPLIFIERS-DUALS - LOW NOIS
    1 885Кешбэк 282 балла
    U403 TO-71 6LLOW NOISE, LOW DRIFT, MONOLITHIC
    1 897Кешбэк 284 балла
    LS842 SOIC 8LJFET AMPLIFIERS-DUALS - LOW NOIS
    1 922Кешбэк 288 баллов
    LSK389C SOIC 8LLOW NOISE, MONOLITHIC DUAL, N-CH
    1 925Кешбэк 288 баллов
    LS841 SOIC 8LJFET AMPLIFIERS-DUALS - LOW NOIS
    2 012Кешбэк 301 балл
    LS842 TO-71 6LJFET AMPLIFIERS-DUALS - LOW NOIS
    2 091Кешбэк 313 баллов
    LS5912C SOIC 8LWIDEBAND, HIGH GAIN, MONOLITHIC
    2 176Кешбэк 326 баллов
    LS5912 SOIC 8L-AWIDEBAND, HIGH GAIN, MONOLITHIC
    2 291Кешбэк 343 балла
    LS5912 SOIC 8L-BWIDEBAND, HIGH GAIN, MONOLITHIC
    2 291Кешбэк 343 балла
    LS5911 SOIC 8L-AWIDEBAND, HIGH GAIN, MONOLITHIC
    2 411Кешбэк 361 балл
    LS5911 SOIC 8L-BWIDEBAND, HIGH GAIN, MONOLITHIC
    2 411Кешбэк 361 балл
    SST441 SOIC 8LWIDEBAND, HIGH GAIN, MONOLITHIC
    2 486Кешбэк 372 балла
    SST440 SOIC 8LWIDEBAND, HIGH GAIN, MONOLITHIC
    2 518Кешбэк 377 баллов
    LS5912 TO-78 6LWIDEBAND, HIGH GAIN, MONOLITHIC
    2 663Кешбэк 399 баллов
    UJ3N065025K3S650V 25 MOHM SIC JFET, G3, N-ON,
    3 912Кешбэк 586 баллов
    UJ3N120035K3S1200V 35 MOHM SIC JFET, G3, N-ON
    5 563Кешбэк 834 балла
    CMPF4391 TR TIN/LEADJFET N-CH 40V 50MA SOT23
    225Кешбэк 33 балла
    2N4857N-CHANNEL MOSFET TO-18
    2 809Кешбэк 421 балл
    2N4858N-CHANNEL MOSFET TO-18
    2 809Кешбэк 421 балл
    2N3823N CHANNEL JFET
    3 477Кешбэк 521 балл

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    IGBT транзисторы
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды силовые
    Диодные мосты
    Высокочастотные диоды
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Модули драйверов питания
    Сборки биполярных транзисторов
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Одиночные биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Симисторы - Модули
    Диоды - ВЧ
    Диоды - мостовые выпрямители
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторные модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Одиночные триодные тиристоры
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - JFET
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Варикапы и Варакторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы
    Одиночные IGBT транзисторы
    Тиристоры - SCR
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Полевые транзисторы - Сборки
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Полевые транзисторы - Модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Симисторы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Модули триодных тиристоров
    Транзисторы специального назначения
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП