Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Высокочастотные полевые транзисторы
BF1102,115
BF1102,115

BF1102,115

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    NXP Semiconductors
  • Артикул:
    BF1102,115
  • Описание:
    Транзистор: FET RF 7V 800MHZ 6TSSOPВсе характеристики

Минимальная цена BF1102,115 при покупке от 757 шт 77.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BF1102,115 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики BF1102,115

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    N-Channel Dual Gate
  • Частота
    800MHz
  • Тестовое напряжение
    5 V
  • Current Rating (Amps)
    40mA
  • Уровень шума
    2dB
  • Тестовый ток
    15 mA
  • Нормальное напряжение
    7 V
  • Корпус
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Исполнение корпуса
    6-TSSOP
  • Base Product Number
    BF110
Техническая документация
 BF1102,115.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • 5780 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 757
    77 ₽

Минимально и кратно 757 шт
Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    NXP Semiconductors
  • Артикул:
    BF1102,115
  • Описание:
    Транзистор: FET RF 7V 800MHZ 6TSSOPВсе характеристики

Минимальная цена BF1102,115 при покупке от 757 шт 77.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BF1102,115 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики BF1102,115

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    N-Channel Dual Gate
  • Частота
    800MHz
  • Тестовое напряжение
    5 V
  • Current Rating (Amps)
    40mA
  • Уровень шума
    2dB
  • Тестовый ток
    15 mA
  • Нормальное напряжение
    7 V
  • Корпус
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Исполнение корпуса
    6-TSSOP
  • Base Product Number
    BF110
Техническая документация
 BF1102,115.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    BLF8G22LS-270GV,12Транзистор: RF FET LDMOS 65V 17.3DB SOT1244C
    18 383Кешбэк 2 757 баллов
    BLC8G20LS-400AVYТранзистор: RF FET LDMOS 65V 15.5DB SOT12583
    15 723Кешбэк 2 358 баллов
    CGH40010PRF MOSFET HEMT 28V 440196
    23 742Кешбэк 3 561 балл
    BLP10H610AZТранзистор: RF FET LDMOS 104V 22DB 12VDFN
    4 781Кешбэк 717 баллов
    BF1109WR,115Транзистор: MOSFET N-CH 11V 30MA CMPAK-4
    54Кешбэк 8 баллов
    BLF2425M9LS140UТранзистор: TRANS RF 140W LDMOST
    25 584Кешбэк 3 837 баллов
    BLF7G24L-160P,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT539A
    27 134Кешбэк 4 070 баллов
    MRFE6S9060NR1Транзистор: FET RF 66V 880MHZ TO270-2
    17 248Кешбэк 2 587 баллов
    BLF644PUТранзистор: RF FET LDMOS 65V 23.5DB SOT1228A
    35 645Кешбэк 5 346 баллов
    BLF8G24LS-100GVQТранзистор: RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1244C
    12 593Кешбэк 1 888 баллов
    BLL6H1214LS-250,11Транзистор: RF FET LDMOS 100V 17DB SOT502B
    40 225Кешбэк 6 033 балла
    BLC9G20LS-120VZТранзистор: RF FET LDMOS 65V 19.2DB SOT12753
    9 791Кешбэк 1 468 баллов
    PD55003L-EТранзистор: TRANSISTOR RF 5X5 POWERFLAT
    1 490Кешбэк 223 балла
    AFT18S230SR5Транзистор: RF MOSFET LDMOS 28V NI-780S-6
    30 110Кешбэк 4 516 баллов
    BLF8G27LS-100GVQТранзистор: RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1244C
    12 593Кешбэк 1 888 баллов
    BLF8G10LS-270V,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT1244B
    17 533Кешбэк 2 629 баллов
    ARF463BP1GТранзистор: RF PWR MOSFET 500V 9A TO-247
    8 724Кешбэк 1 308 баллов
    MRF148AТранзистор: FET RF 120V 175MHZ 211-07
    13 153Кешбэк 1 972 балла
    BLF188XRGJТранзистор: RF FET LDMOS 135V 24DB SOT1248C
    50 632Кешбэк 7 594 балла
    BLF7G24LS-140,118Транзистор: RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT502B
    15 129Кешбэк 2 269 баллов
    BLC8G20LS-310AVZТранзистор: RF FET LDMOS 65V 17DB SOT12583
    14 135Кешбэк 2 120 баллов
    LET9060SТранзистор
    9 226Кешбэк 1 383 балла
    PD84006L-EТранзистор: FET RF 25V 870MHZ
    1 697Кешбэк 254 балла
    PD55003-EТранзистор: FET RF 40V 500MHZ PWRSO10
    2 156Кешбэк 323 балла
    A2T20H330W24SR6Транзистор: IC TRANS RF LDMOS
    31 813Кешбэк 4 771 балл
    CGH40006PТранзистор: RF MOSFET HEMT 28V 440109
    18 864Кешбэк 2 829 баллов
    BLF7G24L-100,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 18DB SOT502A
    13 803Кешбэк 2 070 баллов
    BLF7G27L-90P,118Транзистор: RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT1121A
    14 875Кешбэк 2 231 балл
    BLF6G27-10G,118Транзистор: RF FET LDMOS 65V 19DB SOT975C
    7 652Кешбэк 1 147 баллов
    CGHV1F006SТранзистор: RF MOSFET HEMT 40V 12DFN
    15 047Кешбэк 2 257 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Биполярные транзисторы
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    IGBT транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - JFET
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - Специального назначения
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - мостовые выпрямители
    Симисторы - Модули
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Модули драйверов питания
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - Модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Драйверы питания - Модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диодные мосты
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Симисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Принадлежности
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Триодные тиристоры - Модули
    Тиристоры - SCR - модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Тиристоры - SCR
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды силовые
    Высокочастотные диоды
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2025, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП