Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Высокочастотные полевые транзисторы
BLF6G20LS-110,118
BLF6G20LS-110,118

BLF6G20LS-110,118

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Ampleon USA Inc.
  • Артикул:
    BLF6G20LS-110,118
  • Описание:
    Транзистор: RF FET LDMOS 65V 19DB SOT502BВсе характеристики

Минимальная цена BLF6G20LS-110,118 при покупке от 4 шт 16012.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BLF6G20LS-110,118 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики BLF6G20LS-110,118

  • Тип транзистора
    LDMOS
  • Частота
    1.93GHz ~ 1.99GHz
  • Усиление
    19dB
  • Тестовое напряжение
    28 V
  • Current Rating (Amps)
    29A
  • Тестовый ток
    900 mA
  • Мощность передачи
    25W
  • Нормальное напряжение
    65 V
  • Корпус
    SOT-502B
  • Исполнение корпуса
    SOT502B
  • Base Product Number
    BLF6G20
Техническая документация
 BLF6G20LS-110,118.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • 317 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 4
    16 012 ₽

Минимально и кратно 4 шт
Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
получить кешбэк баллы

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Ampleon USA Inc.
  • Артикул:
    BLF6G20LS-110,118
  • Описание:
    Транзистор: RF FET LDMOS 65V 19DB SOT502BВсе характеристики

Минимальная цена BLF6G20LS-110,118 при покупке от 4 шт 16012.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BLF6G20LS-110,118 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики BLF6G20LS-110,118

  • Тип транзистора
    LDMOS
  • Частота
    1.93GHz ~ 1.99GHz
  • Усиление
    19dB
  • Тестовое напряжение
    28 V
  • Current Rating (Amps)
    29A
  • Тестовый ток
    900 mA
  • Мощность передачи
    25W
  • Нормальное напряжение
    65 V
  • Корпус
    SOT-502B
  • Исполнение корпуса
    SOT502B
  • Base Product Number
    BLF6G20
Техническая документация
 BLF6G20LS-110,118.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    MRF160Транзистор: FET RF 65V 500MHZ 249-06
    BLA1011S-200,112Транзистор: RF FET LDMOS 75V 13DB SOT502B
    MRFE6S9060NR1Транзистор: FET RF 66V 880MHZ TO270-2
    MRF6V14300HSR5Транзистор: RF MOSFET LDMOS 50V NI-780S
    AFT20P140-4WNR3Транзистор: RF MOSFET LDMOS DL 28V OM780-4
    AFT09MS031NR1Транзистор: FET RF 40V 870MHZ TO-270-2
    BF1201WR,135MOSFET 2N-CH 10V 30MA SOT343R
    BLF8G10LS-270GV,12Транзистор: RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT1244C
    MMRF1015NR1Транзистор: FET RF 68V 960MHZ TO270
    BG3130H6327XTSA1Транзистор: MOSFET N-CH DUAL 8V 25MA SOT363
    BLF8G27LS-150VUТранзистор: RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1244B
    AFT20P060-4NR3Транзистор: FET RF 2CH 65V 2.17GHZ OM780-4
    PD55003S-EТранзистор: FET RF 40V 500MHZ PWRSO10
    BLF879P,112Транзистор: RF FET LDMOS 104V 21DB SOT539A
    BLF6G27-75,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V SOT502A
    AFT05MS031NR1Транзистор: FET RF 40V 520MHZ TO-270-2
    BF256BТранзистор: JFET N-CH 30V 13MA TO92
    MRF6S27085HR5Транзистор: RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
    CGH40006SТранзистор: RF MOSFET HEMT 28V 6QFN
    RFM01U7P(TE12L,F)Транзистор: MOSFET N-CH PW-MINI
    SD2943WТранзистор: TRANS RF N-CH HF/VHF/UHF M177
    ARF463AGТранзистор: RF PWR MOSFET 500V 9A TO-247
    MRF154Транзистор: FET RF 125V 100MHZ 368-03
    MRF8P23080HSR5Транзистор: POWER, N-CHANNEL, MOSFET
    AFT05MS031GNR1Транзистор: FET RF 40V 520MHZ TO270-2G
    BLF178XR,112Транзистор: RF MOSFET LDMOS DL 50V SOT539A
    BLF7G22LS-250P,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT539B
    MRFE6VP61K25HR5Транзистор: FET RF 2CH 133V 230MHZ NI-1230
    CGH40090PPТранзистор: RF MOSFET HEMT 28V 440199
    PD57018-EТранзистор: FET RF 65V 945MHZ PWRSO10

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - Специального назначения
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диоды выпрямительные - Модули
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - JFET
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды силовые
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Триодные тиристоры - Модули
    Биполярные транзисторы
    Симисторы
    Драйверы питания - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Полевые транзисторы - Модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Модули драйверов питания
    Тиристоры - SCR
    IGBT транзисторы
    Диодные мосты - Модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Симисторы - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диодные мосты
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды - ВЧ
    Тиристоры - SCR - модули
    Принадлежности
    Высокочастотные диоды
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2025, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП