Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Высокочастотные полевые транзисторы
BLF6G22LS-130,112
BLF6G22LS-130,112

BLF6G22LS-130,112

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    NXP USA Inc.
  • Артикул:
    BLF6G22LS-130,112
  • Описание:
    Транзистор: RF FET LDMOS 65V 17DB SOT502BВсе характеристики

Минимальная цена BLF6G22LS-130,112 при покупке от 4 шт 16747.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BLF6G22LS-130,112 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики BLF6G22LS-130,112

  • Тип транзистора
    LDMOS
  • Частота
    2.11GHz ~ 2.17GHz
  • Усиление
    17dB
  • Тестовое напряжение
    28 V
  • Current Rating (Amps)
    34A
  • Тестовый ток
    1.1 A
  • Мощность передачи
    30W
  • Нормальное напряжение
    65 V
  • Корпус
    SOT-502B
  • Исполнение корпуса
    SOT502B
  • Base Product Number
    BLF6G22
Техническая документация
 BLF6G22LS-130,112.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • 77 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 4
    16 747 ₽

Минимально и кратно 4 шт
Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
получить кешбэк баллы

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    NXP USA Inc.
  • Артикул:
    BLF6G22LS-130,112
  • Описание:
    Транзистор: RF FET LDMOS 65V 17DB SOT502BВсе характеристики

Минимальная цена BLF6G22LS-130,112 при покупке от 4 шт 16747.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BLF6G22LS-130,112 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики BLF6G22LS-130,112

  • Тип транзистора
    LDMOS
  • Частота
    2.11GHz ~ 2.17GHz
  • Усиление
    17dB
  • Тестовое напряжение
    28 V
  • Current Rating (Amps)
    34A
  • Тестовый ток
    1.1 A
  • Мощность передачи
    30W
  • Нормальное напряжение
    65 V
  • Корпус
    SOT-502B
  • Исполнение корпуса
    SOT502B
  • Base Product Number
    BLF6G22
Техническая документация
 BLF6G22LS-130,112.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    MRF8S21100HSR3Транзистор: FET RF 65V 2.17GHZ NI780S
    18 471Кешбэк 2 770 баллов
    VRF150Транзистор: RF MOSFET N-CHANNEL 50V M174
    13 211Кешбэк 1 981 балл
    BLF7G22LS-160,112RF FET LDMOS 65V 18DB SOT502B
    20 493Кешбэк 3 073 балла
    BLC8G24LS-241AVYТранзистор: RF FET LDMOS 65V 14.5DB SOT12521
    11 459Кешбэк 1 718 баллов
    BLF184XRUТранзистор: RF FET LDMOS 135V 23DB SOT1214A
    42 595Кешбэк 6 389 баллов
    BLF884PS,112Транзистор: RF FET LDMOS 104V 21DB SOT1121B
    35 591Кешбэк 5 338 баллов
    BLF8G24LS-100VUТранзистор: RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1244B
    12 501Кешбэк 1 875 баллов
    MRF8S23120HR5Транзистор: POWER, N-CHANNEL, MOSFET
    17 069Кешбэк 2 560 баллов
    SD57030-01Транзистор: FET RF 65V 945MHZ M250
    15 188Кешбэк 2 278 баллов
    BLL8H0514L-130UТранзистор: RF FET LDMOS 100V 17DB SOT1135A
    24 521Кешбэк 3 678 баллов
    VRF151Транзистор: MOSFET RF PWR N-CH 50V 150W M174
    13 529Кешбэк 2 029 баллов
    BLC2425M8LS300PZТранзистор: RF FET LDMOS 65V 17DB SOT12501
    21 741Кешбэк 3 261 балл
    SMMBFJ309LT1GТранзистор: JFET N-CH 25V 30MA SOT23
    54Кешбэк 8 баллов
    MMRF1310HR5Транзистор: FET RF 2CH 133V 230MHZ NI780
    26 761Кешбэк 4 014 баллов
    BLA8G1011LS-300UТранзистор: RF FET LDMOS 65V 16DB SOT502B
    94 902Кешбэк 14 235 баллов
    AFT05MS004NT1Транзистор: FET RF 30V 520MHZ PLD
    687Кешбэк 103 балла
    BLF6G38-10G,118Транзистор: RF FET LDMOS 65V 14DB SOT975C
    7 109Кешбэк 1 066 баллов
    BLF6G27-75,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V SOT502A
    17 295Кешбэк 2 594 балла
    BLS6G2735L-30,112Транзистор: RF FET LDMOS 60V 13DB SOT1135A
    31 910Кешбэк 4 786 баллов
    PD55003S-EТранзистор: FET RF 40V 500MHZ PWRSO10
    1 825Кешбэк 273 балла
    BLF6G38LS-100,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 13DB SOT502B
    20 914Кешбэк 3 137 баллов
    2SK3557-6-TB-EТранзистор: RF MOSFET N-CH JFET 5V 3CP
    77Кешбэк 11 баллов
    BLF573S,112Транзистор: RF FET LDMOS 110V 27.2DB SOT502B
    32 355Кешбэк 4 853 балла
    BLP05H635XRYТранзистор: RF FET LDMOS 135V 27DB SOT12232
    7 944Кешбэк 1 191 балл
    ARF461BGТранзистор: RF MOSFET N-CH 1000V TO247
    11 424Кешбэк 1 713 баллов
    PD57018TR-EТранзистор: TRANSISTOR RF POWERSO-10
    6 162Кешбэк 924 балла
    BF1102,115Транзистор: FET RF 7V 800MHZ 6TSSOP
    77Кешбэк 11 баллов
    ARF465AGТранзистор: RF PWR MOSFET 1200V 6A TO-247
    11 926Кешбэк 1 788 баллов
    MRFE6S9060NR1Транзистор: FET RF 66V 880MHZ TO270-2
    17 175Кешбэк 2 576 баллов
    BLF647PS,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 17DB SOT1121B
    36 478Кешбэк 5 471 балл

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Симисторы - Модули
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Тиристоры - SCR
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - IGBT - модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - Специального назначения
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Драйверы питания - Модули
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Высокочастотные диоды
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диодные мосты - Модули
    Диодные мосты
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - Модули
    Симисторы
    Принадлежности
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды - ВЧ
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - JFET
    Диоды силовые
    Биполярные транзисторы
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2025, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП