Вход/Регистрация
VRF151Транзистор: MOSFET RF PWR N-CH 50V 150W M174
BLF6G27LS-75,112
BLF6G27LS-75,112
- Производитель:Ampleon USA Inc.
- Артикул:BLF6G27LS-75,112
- Описание:Транзистор: RF FET LDMOS 65V SOT502BВсе характеристики
Минимальная цена BLF6G27LS-75,112 при покупке от 3 шт 20700.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BLF6G27LS-75,112 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.
- 47 шт3-6 недель
Минимально и кратно 3 шт
- КоличествоЦена
- 320 700 ₽
Кешбэк 1 балл
Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену
- Производитель:Ampleon USA Inc.
- Артикул:BLF6G27LS-75,112
- Описание:Транзистор: RF FET LDMOS 65V SOT502BВсе характеристики
Минимальная цена BLF6G27LS-75,112 при покупке от 3 шт 20700.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BLF6G27LS-75,112 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.
Описание BLF6G27LS-75,112
BLF6G27LS-75,112 — это транзистор RF FET LDMOS с напряжением разрыва 65В, выпускаемый компанией NXP USA Inc. Технические характеристики и параметры:
- Напряжение разрыва (Vds): 65В
- Диапазон частот: до 27ГГц
- Технология: LDMOS (Легкий дреновый мостовой транзистор)
- Форм-фактор: SOT502B
Плюсы:
- Высокая мощность
- Устойчивость к перегреву
- Высокая надежность и долговечность
- Универсальность применения
Минусы:
- Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов
- Требует дополнительного охлаждения при работе на максимальной мощности
- Требует точного регулирования напряжения питания
Общее назначение:
- Используется в системах радиосвязи
- Радиостанции
- Беспроводные сети
- Радарные системы
- Коммуникационное оборудование
Транзисторы такого типа широко используются в устройствах, требующих высокой мощности передачи радиочастотных сигналов.
Выбрано: Показать
Характеристики BLF6G27LS-75,112
Техническая документация
BLF6G27LS-75,112.pdf pdf. 0 kb
Минимально и кратно 3 шт