Вход/Регистрация
FP50R12KT4BPSA1Транзистор: LOW POWER ECONO AG-ECONO2B-411
FF200R12KT3EHOSA1
FF200R12KT3EHOSA1
- Производитель:Infineon Technologies
- Артикул:FF200R12KT3EHOSA1
- Описание:Транзистор: IGBT MODULE 1200V 1050WВсе характеристики
Минимальная цена FF200R12KT3EHOSA1 при покупке от 3 шт 19211.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FF200R12KT3EHOSA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.
- 321 шт3-6 недель
Минимально и кратно 3 шт
- КоличествоЦена
- 319 211 ₽
- 1018 801 ₽
Кешбэк 1 балл
Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену
- Производитель:Infineon Technologies
- Артикул:FF200R12KT3EHOSA1
- Описание:Транзистор: IGBT MODULE 1200V 1050WВсе характеристики
Минимальная цена FF200R12KT3EHOSA1 при покупке от 3 шт 19211.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FF200R12KT3EHOSA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.
Описание FF200R12KT3EHOSA1
FF200R12KT3EHOSA1 Infineon Technologies Транзистор: IGBT MODULE 1200V 1050W
- Основные параметры:
- Номинальное напряжение блока: 1200 В
- Мощность: 1050 ВА
- Тип: IGBT модуль
- Плюсы:
- Высокая надежность и долговечность
- Эффективность работы при высоких температурах
- Улучшенная тепловая отдача
- Малый размер и легкий вес
- Минусы:
- Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов
- Необходимость дополнительных компонентов для защиты и управления
- Общее назначение:
- Контроль мощности в промышленных приборах и системах
- Применение в источниках питания
- Регулирование напряжения и тока в электронных устройствах
- В каких устройствах применяется:
- Автомобильных системах управления двигателем
- Инверторах для преобразования напряжения
- Промышленных преобразователях частоты
- Системах управления энергопотреблением
Выбрано: Показать
Характеристики FF200R12KT3EHOSA1
Техническая документация
FF200R12KT3EHOSA1.pdf pdf. 0 kb
Минимально и кратно 3 шт