Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
IRF740BPBF
  • В избранное
  • В сравнение
IRF740BPBF

IRF740BPBF

IRF740BPBF
;
IRF740BPBF

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    VISHAY
  • Артикул:
    IRF740BPBF
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET N-CH 400V 10A TO220ABВсе характеристики

Минимальная цена IRF740BPBF при покупке от 1 шт 314.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IRF740BPBF с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IRF740BPBF

IRF740BPBF VISHAY — это MOSFET N-канальный транзистор с параметрами 400В и 10А для TO220AB.

  • Основные параметры:
    • Рейтингное напряжение (VR"path) = 400В
    • Рейтингный ток (IR"path) = 10А
    • Тип канала = N-канальный
    • Форм-фактор = TO220AB
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при малых напряжениях
    • Низкое значение Ron
    • Высокая надежность и стабильность характеристик
    • Небольшие размеры и легкий вес
    • Высокая скорость включения и выключения
  • Минусы:
    • Необходимо соблюдать правила охлаждения из-за возможного нагрева при нагрузках
    • Уязвимость к электрическим помехам
  • Общее назначение:
    • Использование в различных электронных устройствах, требующих высокой проводимости и низкого сопротивления
    • Изоляция источников питания от нагрузок
    • Управление мощными электрическими цепями
  • Применяется в:
    • Автомобильной электронике
    • Мощных источниках питания
    • Драйверах двигателей
    • Инверторах
    • Системах управления электропитанием
Выбрано: Показать

Характеристики IRF740BPBF

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    400 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    10A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    600mOhm @ 5A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    30 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    526 pF @ 100 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    147W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-220AB
  • Корпус
    TO-220-3
  • Base Product Number
    IRF740

Техническая документация

 IRF740BPBF.pdf
pdf. 0 kb
  • 15 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    314 ₽
  • 10
    205 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    VISHAY
  • Артикул:
    IRF740BPBF
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET N-CH 400V 10A TO220ABВсе характеристики

Минимальная цена IRF740BPBF при покупке от 1 шт 314.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IRF740BPBF с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IRF740BPBF

IRF740BPBF VISHAY — это MOSFET N-канальный транзистор с параметрами 400В и 10А для TO220AB.

  • Основные параметры:
    • Рейтингное напряжение (VR"path) = 400В
    • Рейтингный ток (IR"path) = 10А
    • Тип канала = N-канальный
    • Форм-фактор = TO220AB
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при малых напряжениях
    • Низкое значение Ron
    • Высокая надежность и стабильность характеристик
    • Небольшие размеры и легкий вес
    • Высокая скорость включения и выключения
  • Минусы:
    • Необходимо соблюдать правила охлаждения из-за возможного нагрева при нагрузках
    • Уязвимость к электрическим помехам
  • Общее назначение:
    • Использование в различных электронных устройствах, требующих высокой проводимости и низкого сопротивления
    • Изоляция источников питания от нагрузок
    • Управление мощными электрическими цепями
  • Применяется в:
    • Автомобильной электронике
    • Мощных источниках питания
    • Драйверах двигателей
    • Инверторах
    • Системах управления электропитанием
Выбрано: Показать

Характеристики IRF740BPBF

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    400 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    10A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    600mOhm @ 5A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    30 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    526 pF @ 100 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    147W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-220AB
  • Корпус
    TO-220-3
  • Base Product Number
    IRF740

Техническая документация

 IRF740BPBF.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    IRF730APBFMOSFET N-CH 400V 5.5A TO220AB
    270Кешбэк 40 баллов
    SIS862DN-T1-GE3MOSFET N-CH 60V 40A PPAK1212-8
    274Кешбэк 41 балл
    SUD08P06-155L-GE3MOSFET P-CH 60V 8.4A TO252
    274Кешбэк 41 балл
    SI4848DY-T1-E3MOSFET N-CH 150V 2.7A 8SO
    279Кешбэк 41 балл
    IRFBE30PBFТранзистор: MOSFET N-CH 800V 4.1A TO220AB
    279Кешбэк 41 балл
    SI4491EDY-T1-GE3Транзистор: MOSFET P-CH 30V 17.3A 8SO
    281Кешбэк 42 балла
    IRF9610PBFMOSFET P-CH 200V 1.8A TO220AB
    281Кешбэк 42 балла
    SI4401BDY-T1-E3MOSFET P-CH 40V 8.7A 8SO
    285Кешбэк 42 балла
    SIS892ADN-T1-GE3MOSFET N-CH 100V 28A PPAK1212-8
    286Кешбэк 42 балла
    IRFBG20PBFMOSFET N-CH 1000V 1.4A TO220AB
    287Кешбэк 43 балла
    IRFR014PBFMOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
    289Кешбэк 43 балла
    SIS407DN-T1-GE3Транзистор: MOSFET P-CH 20V 25A PPAK1212-8
    290Кешбэк 43 балла
    IRFBC40ASPBFТранзистор: MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
    292Кешбэк 43 балла
    IRF530SPBFMOSFET N-CH 100V 14A TO263
    296Кешбэк 44 балла
    SI9407BDY-T1-GE3Транзистор: MOSFET P-CH 60V 4.7A 8SO
    298Кешбэк 44 балла
    SIS454DN-T1-GE3MOSFET N-CH 20V 35A PPAK1212-8
    298Кешбэк 44 балла
    IRF9530PBFТранзистор: MOSFET P-CH 100V 12A TO220AB
    298Кешбэк 44 балла
    IRL640STRLPBFТранзистор: MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK
    300Кешбэк 45 баллов
    IRF644PBFТранзистор: MOSFET N-CH 250V 14A TO220AB
    303Кешбэк 45 баллов
    SUD50N04-8M8P-4GE3MOSFET N-CH 40V 14A/50A TO252
    304Кешбэк 45 баллов
    SIR410DP-T1-GE3Транзистор: MOSFET N-CH 20V 35A PPAK SO-8
    305Кешбэк 45 баллов
    IRFBC40LCPBFТранзистор: MOSFET N-CH 600V 6.2A TO220AB
    313Кешбэк 46 баллов
    IRF740BPBFТранзистор: MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB
    314Кешбэк 47 баллов
    IRF9530SPBFТранзистор: MOSFET P-CH 100V 12A D2PAK
    315Кешбэк 47 баллов
    IRFI9634GPBFТранзистор: MOSFET P-CH 250V 4.1A TO220-3
    323Кешбэк 48 баллов
    IRFU9120PBFТранзистор: MOSFET P-CH 100V 5.6A TO251AA
    325Кешбэк 48 баллов
    IRFPG30PBFMOSFET N-CH 1000V 3.1A TO247-3
    326Кешбэк 48 баллов
    SI7463ADP-T1-GE3MOSFET P-CH 40V 46A PPAK SO-8
    327Кешбэк 49 баллов
    IRFSL11N50APBFMOSFET N-CH 500V 11A TO262-3
    330Кешбэк 49 баллов
    SI7465DP-T1-E3MOSFET P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8
    332Кешбэк 49 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Диоды силовые
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диодные мосты - Модули
    Тиристоры - SCR - модули
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Диоды - выпрямители - массивы
    Тиристоры - TRIACs
    Программируемые однопереходные транзисторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - JFET
    Высокочастотные диоды
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды - ВЧ
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Модули драйверов питания
    Модули триодных тиристоров
    Одиночные биполярные транзисторы
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Симисторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Варикапы и Варакторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Сборки биполярных транзисторов
    Диодные мосты
    Модули драйверов питания
    Симисторы - Модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы специального назначения
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторные модули
    Полевые транзисторы - Модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Одиночные триодные тиристоры
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Тиристоры - SCR
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Одиночные IGBT транзисторы
    Биполярные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП