Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
IRFBE30PBF

IRFBE30PBF

IRFBE30PBF
;
IRFBE30PBF

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена IRFBE30PBF при покупке от 1 шт 277.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IRFBE30PBF с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IRFBE30PBF

IRFBE30PBF Vishay Semiconductors Транзистор: MOSFET N-CH 800V 4.1A TO220AB

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(on)): 800 В
    • Номинальный ток (ID(on)): 4.1 А
    • Тип: MOSFET N-канальный
    • Пакет: TO220AB
  • Плюсы:
    • Высокое значение номинального напряжения
    • Средне-высокий ток при номинальном напряжении
    • Устойчивость к обратному току благодаря структуре с двойным барьером
    • Экономичность в производстве и использовании
  • Минусы:
    • Средний ток по сравнению с некоторых других типов MOSFET
    • Необходимость дополнительного проектирования для работы при высоких температурах
  • Общее назначение:
    • Использование в различных электронных устройствах, где требуется управление высоким напряжением и током
    • Применяется в системах управления двигателей, источниках питания, преобразователях энергии и др.
  • В каких устройствах применяется:
    • Источники питания для компьютеров и серверов
    • Преобразователи напряжения
    • Драйверы двигателей
    • Автомобильная электроника
    • Промышленные системы управления
Выбрано: Показать

Характеристики IRFBE30PBF

Техническая документация

IRFBE30PBF.pdf
pdf. 0 kb
  • 547 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    277 ₽
  • 100
    239 ₽
  • 200
    222 ₽
  • 250
    215 ₽
  • 500
    192 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена IRFBE30PBF при покупке от 1 шт 277.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IRFBE30PBF с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IRFBE30PBF

IRFBE30PBF Vishay Semiconductors Транзистор: MOSFET N-CH 800V 4.1A TO220AB

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(on)): 800 В
    • Номинальный ток (ID(on)): 4.1 А
    • Тип: MOSFET N-канальный
    • Пакет: TO220AB
  • Плюсы:
    • Высокое значение номинального напряжения
    • Средне-высокий ток при номинальном напряжении
    • Устойчивость к обратному току благодаря структуре с двойным барьером
    • Экономичность в производстве и использовании
  • Минусы:
    • Средний ток по сравнению с некоторых других типов MOSFET
    • Необходимость дополнительного проектирования для работы при высоких температурах
  • Общее назначение:
    • Использование в различных электронных устройствах, где требуется управление высоким напряжением и током
    • Применяется в системах управления двигателей, источниках питания, преобразователях энергии и др.
  • В каких устройствах применяется:
    • Источники питания для компьютеров и серверов
    • Преобразователи напряжения
    • Драйверы двигателей
    • Автомобильная электроника
    • Промышленные системы управления
Выбрано: Показать

Характеристики IRFBE30PBF

Техническая документация

IRFBE30PBF.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории