Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
IRFSL11N50APBF
  • В избранное
  • В сравнение
IRFSL11N50APBF

IRFSL11N50APBF

IRFSL11N50APBF
;
IRFSL11N50APBF

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    VISHAY
  • Артикул:
    IRFSL11N50APBF
  • Описание:
    MOSFET N-CH 500V 11A TO262-3Все характеристики

Минимальная цена IRFSL11N50APBF при покупке от 1 шт 333.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IRFSL11N50APBF с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IRFSL11N50APBF

IRFSL11N50APBF VISHAY MOSFET N-Ч 500В 11А TO262-3

  • Основные параметры:
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Рейтинг напряжения: 500 В
    • Рейтинг тока: 11 А
    • Контейнер: TO262-3
  • Плюсы:
    • Высокая скорость переключения
    • Низкий сопротивление ресистанции ON
    • Устойчивость к обратному напряжению
    • Малый размер и легкость
  • Минусы:
    • Требуется дополнительное охлаждение при высоких нагрузках
    • Существует риск разрушения при неправильной работе
  • Общее назначение:
    • Использование в электронных устройствах для управления током
    • Применяется в источниках питания
    • Используется в системах управления двигателей
    • Подходит для применения в телевизорах, компьютерах и других цифровых устройствах
  • В каких устройствах применяется:
    • Источники питания
    • Маршрутизаторы и другие сетевые устройства
    • Промышленное оборудование
    • Автомобильная электроника
    • Цифровые устройства и гаджеты
Выбрано: Показать

Характеристики IRFSL11N50APBF

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    500 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    11A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    550mOhm @ 6.6A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    51 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1426 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    190W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-262-3
  • Корпус
    TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
  • Base Product Number
    IRFSL11

Техническая документация

 IRFSL11N50APBF.pdf
pdf. 0 kb
  • 441 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    333 ₽
  • 3
    300 ₽
  • 10
    268 ₽
  • 50
    239 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    VISHAY
  • Артикул:
    IRFSL11N50APBF
  • Описание:
    MOSFET N-CH 500V 11A TO262-3Все характеристики

Минимальная цена IRFSL11N50APBF при покупке от 1 шт 333.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IRFSL11N50APBF с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание IRFSL11N50APBF

IRFSL11N50APBF VISHAY MOSFET N-Ч 500В 11А TO262-3

  • Основные параметры:
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Рейтинг напряжения: 500 В
    • Рейтинг тока: 11 А
    • Контейнер: TO262-3
  • Плюсы:
    • Высокая скорость переключения
    • Низкий сопротивление ресистанции ON
    • Устойчивость к обратному напряжению
    • Малый размер и легкость
  • Минусы:
    • Требуется дополнительное охлаждение при высоких нагрузках
    • Существует риск разрушения при неправильной работе
  • Общее назначение:
    • Использование в электронных устройствах для управления током
    • Применяется в источниках питания
    • Используется в системах управления двигателей
    • Подходит для применения в телевизорах, компьютерах и других цифровых устройствах
  • В каких устройствах применяется:
    • Источники питания
    • Маршрутизаторы и другие сетевые устройства
    • Промышленное оборудование
    • Автомобильная электроника
    • Цифровые устройства и гаджеты
Выбрано: Показать

Характеристики IRFSL11N50APBF

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    500 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    11A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    550mOhm @ 6.6A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    51 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1426 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    190W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-262-3
  • Корпус
    TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
  • Base Product Number
    IRFSL11

Техническая документация

 IRFSL11N50APBF.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    IRF730APBFMOSFET N-CH 400V 5.5A TO220AB
    270Кешбэк 40 баллов
    SIS862DN-T1-GE3MOSFET N-CH 60V 40A PPAK1212-8
    274Кешбэк 41 балл
    SUD08P06-155L-GE3MOSFET P-CH 60V 8.4A TO252
    274Кешбэк 41 балл
    SI4848DY-T1-E3MOSFET N-CH 150V 2.7A 8SO
    279Кешбэк 41 балл
    IRFBE30PBFТранзистор: MOSFET N-CH 800V 4.1A TO220AB
    279Кешбэк 41 балл
    SI4491EDY-T1-GE3Транзистор: MOSFET P-CH 30V 17.3A 8SO
    281Кешбэк 42 балла
    IRF9610PBFMOSFET P-CH 200V 1.8A TO220AB
    281Кешбэк 42 балла
    SI4401BDY-T1-E3MOSFET P-CH 40V 8.7A 8SO
    285Кешбэк 42 балла
    SIS892ADN-T1-GE3MOSFET N-CH 100V 28A PPAK1212-8
    286Кешбэк 42 балла
    IRFBG20PBFMOSFET N-CH 1000V 1.4A TO220AB
    287Кешбэк 43 балла
    IRFR014PBFMOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
    289Кешбэк 43 балла
    SIS407DN-T1-GE3Транзистор: MOSFET P-CH 20V 25A PPAK1212-8
    290Кешбэк 43 балла
    IRFBC40ASPBFТранзистор: MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
    292Кешбэк 43 балла
    IRF530SPBFMOSFET N-CH 100V 14A TO263
    296Кешбэк 44 балла
    SI9407BDY-T1-GE3Транзистор: MOSFET P-CH 60V 4.7A 8SO
    298Кешбэк 44 балла
    SIS454DN-T1-GE3MOSFET N-CH 20V 35A PPAK1212-8
    298Кешбэк 44 балла
    IRF9530PBFТранзистор: MOSFET P-CH 100V 12A TO220AB
    298Кешбэк 44 балла
    IRL640STRLPBFТранзистор: MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK
    300Кешбэк 45 баллов
    IRF644PBFТранзистор: MOSFET N-CH 250V 14A TO220AB
    303Кешбэк 45 баллов
    SUD50N04-8M8P-4GE3MOSFET N-CH 40V 14A/50A TO252
    304Кешбэк 45 баллов
    SIR410DP-T1-GE3Транзистор: MOSFET N-CH 20V 35A PPAK SO-8
    305Кешбэк 45 баллов
    IRFBC40LCPBFТранзистор: MOSFET N-CH 600V 6.2A TO220AB
    313Кешбэк 46 баллов
    IRF740BPBFТранзистор: MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB
    314Кешбэк 47 баллов
    IRF9530SPBFТранзистор: MOSFET P-CH 100V 12A D2PAK
    315Кешбэк 47 баллов
    IRFI9634GPBFТранзистор: MOSFET P-CH 250V 4.1A TO220-3
    323Кешбэк 48 баллов
    IRFU9120PBFТранзистор: MOSFET P-CH 100V 5.6A TO251AA
    325Кешбэк 48 баллов
    IRFPG30PBFMOSFET N-CH 1000V 3.1A TO247-3
    326Кешбэк 48 баллов
    SI7463ADP-T1-GE3MOSFET P-CH 40V 46A PPAK SO-8
    327Кешбэк 49 баллов
    IRFSL11N50APBFMOSFET N-CH 500V 11A TO262-3
    330Кешбэк 49 баллов
    SI7465DP-T1-E3MOSFET P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8
    332Кешбэк 49 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Симисторы - Модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диодные мосты - Модули
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы специального назначения
    Модули триодных тиристоров
    Модули драйверов питания
    Сборки биполярных транзисторов
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Одиночные биполярные транзисторы
    Диоды - ВЧ
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диодные мосты
    Транзисторы - JFET
    Диоды силовые
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Одиночные триодные тиристоры
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Биполярные транзисторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    IGBT транзисторы
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Варикапы и Варакторы
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Тиристоры - TRIACs
    Симисторы
    Одиночные IGBT транзисторы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Модули драйверов питания
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторные модули
    Тиристоры - SCR
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП