Каталог товаров
Доставка
Оплата
Кешбэк
Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров

Как заказать

О компании

8 800 550-00-22 info@eicom.ru

Доставка Оплата Кешбэк Контакты

Загрузить BOM

Избранное Сравнение Корзина

Вход/Регистрация

% Акции Разъемы Реле Вентиляторы Микросхемы Датчики и сенсоры Транзисторы и диоды Конденсаторы Предохранители Весь каталог

Избранное

Войти

Дискретные полупроводники

Полевые транзисторы - Одиночные

IRFU9210PBF

В избранное
В сравнение

IRFU9210PBF

IRFU9210PBF

IRFU9210PBF

;

IRFU9210PBF

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Производитель:
VISHAY
Артикул:
IRFU9210PBF
Описание:
MOSFET P-CH 200V 1.9A TO251AAВсе характеристики

Минимальная цена IRFU9210PBF при покупке от 1 шт 167.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IRFU9210PBF с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрать все

Выбрано: Показать

Характеристики IRFU9210PBF

Тип полевого транзистора
P-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток ( (Vdss)
200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
1.9A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3Ohm @ 1.1A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
8.9 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
170 pF @ 25 V
Рассеивание мощности (Макс)
2.5W (Ta), 25W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Вид монтажа
Through Hole
Исполнение корпуса
TO-251AA
Корпус
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Base Product Number
IRFU9210

Техническая документация

IRFU9210PBF.pdf

pdf. 0 kb

1500 шт
3-6 недель

Количество
Цена
1
167 ₽
75
105 ₽
750
83 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

В избранное
В сравнение

Производитель:
VISHAY
Артикул:
IRFU9210PBF
Описание:
MOSFET P-CH 200V 1.9A TO251AAВсе характеристики

Минимальная цена IRFU9210PBF при покупке от 1 шт 167.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IRFU9210PBF с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрать все

Выбрано: Показать

Характеристики IRFU9210PBF

Тип полевого транзистора
P-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток ( (Vdss)
200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
1.9A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3Ohm @ 1.1A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
8.9 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
170 pF @ 25 V
Рассеивание мощности (Макс)
2.5W (Ta), 25W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Вид монтажа
Through Hole
Исполнение корпуса
TO-251AA
Корпус
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Base Product Number
IRFU9210

Техническая документация

IRFU9210PBF.pdf

pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары

Похожие товары

IRFU210PBF MOSFET N-CH 200V 2.6A TO251AA

149Кешбэк 22 балла

IRF630PBF Транзистор: MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB

150Кешбэк 22 балла

SUD09P10-195-GE3 MOSFET P-CH 100V 8.8A TO252

154Кешбэк 23 балла

SI3474DV-T1-GE3 MOSFET N-CH 100V 3.8A 6TSOP

155Кешбэк 23 балла

IRF510PBF Транзистор: MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB

155Кешбэк 23 балла

SI7615ADN-T1-GE3 MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8

156Кешбэк 23 балла

IRFUC20PBF Транзистор: MOSFET N-CH 600V 2A TO251AA

156Кешбэк 23 балла

IRF530PBF Транзистор: MOSFET N-CH 100V 14A TO220AB

157Кешбэк 23 балла

SI4174DY-T1-GE3 Транзистор: MOSFET N-CH 30V 17A 8SO

157Кешбэк 23 балла

IRLU110PBF MOSFET N-CH 100V 4.3A TO251AA

158Кешбэк 23 балла

IRF710PBF MOSFET N-CH 400V 2A TO220AB

158Кешбэк 23 балла

IRFU310PBF MOSFET N-CH 400V 1.7A TO251AA

159Кешбэк 23 балла

SI4435DDY-T1-GE3 MOSFET P-CH 30V 11.4A 8SO

162Кешбэк 24 балла

IRFL9014TRPBF Транзистор: MOSFET P-CH 60V 1.8A SOT223

166Кешбэк 24 балла

SI2333CDS-T1-E3 MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT23-3

166Кешбэк 24 балла

SI2308BDS-T1-GE3 Транзистор: MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3

167Кешбэк 25 баллов

IRFU9210PBF MOSFET P-CH 200V 1.9A TO251AA

167Кешбэк 25 баллов

SI5419DU-T1-GE3 MOSFET P-CH 30V 12A PPAK CHIPFET

168Кешбэк 25 баллов

SIS413DN-T1-GE3 MOSFET P-CH 30V 18A PPAK 1212-8

168Кешбэк 25 баллов

SI8487DB-T1-E1 MOSFET P-CH 30V 4MICROFOOT

168Кешбэк 25 баллов

SIA441DJ-T1-GE3 MOSFET P-CH 40V 12A PPAK SC70-6

169Кешбэк 25 баллов

SUD19P06-60-GE3 Транзистор: MOSFET P-CH 60V 18.3A TO252

171Кешбэк 25 баллов

IRFR224PBF MOSFET N-CH 250V 3.8A DPAK

171Кешбэк 25 баллов

SI3440DV-T1-GE3 MOSFET N-CH 150V 1.2A 6TSOP

173Кешбэк 25 баллов

IRF630SPBF Транзистор: MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK

174Кешбэк 26 баллов

SI7121ADN-T1-GE3 MOSFET P-CH 30V 12A PPAK1212-8

175Кешбэк 26 баллов

SI3458BDV-T1-GE3 Транзистор: MOSFET N-CH 60V 4.1A 6TSOP

178Кешбэк 26 баллов

IRLR120TRPBF MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK

180Кешбэк 27 баллов

IRFBF20SPBF MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK

180Кешбэк 27 баллов

IRFU320PBF MOSFET N-CH 400V 3.1A TO251AA

180Кешбэк 27 баллов

Похожие категории

Все товары

Похожие категории

Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки

Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)

Одиночные триодные тиристоры

Диоды и транзисторы для регулирования тока

Модули триодных тиристоров

Диоды - мостовые выпрямители

Симисторы

Принадлежности для дискретных полупроводников

Полевые транзисторы - Одиночные

Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные

Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)

Одиночные IGBT транзисторы

Тиристоры - SCR - модули

Транзисторы - JFET

Программируемые однопереходные транзисторы

Диодные мосты - Модули

Диоды - выпрямители - одиночные

Модули драйверов питания

Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами

Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ

Полевые транзисторы - Сборки

Высокочастотные полевые транзисторы

Динисторы (DIAC, SIDAC)

Диоды - ВЧ

Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ

Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором

Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET

Одиночные биполярные транзисторы

Тиристоры - TRIACs

Диоды выпрямительные - Одиночные

Диоды - выпрямители - массивы

Диоды силовые

Высокочастотные диоды

IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)

Варикапы и Варакторы

Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)

Диоды выпрямительные - Модули

Полевые транзисторы - Модули

Высокочастотные биполярные транзисторы

Диодные мосты

Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы

Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные

Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы

Транзисторные модули

Биполярные транзисторы

Модули драйверов питания

IGBT транзисторы

Диоды выпрямительные - Сборки

Симисторы - Модули

Транзисторы - программируемые однопереходные

Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением

Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)

Тиристоры - SCR

Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением

Транзисторы специального назначения

Сборки биполярных транзисторов

Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)

Транзисторы - IGBT - модули

Оставьте оценку на Яндексе

Каталог товаров
Доставка
Оплата
Производители
Акции

Как купить
Кешбэк
Как сделать заказ
Загрузка BOM-листа
Возврат и обмен
Состояние заказа

О компании
Отзывы
Новости
Статьи
Вакансии
Правовая информация
Контакты

8 800 550-00-22

Пн-Пт 9:30 - 17:30

Оставьте оценку на Яндексе

Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.

© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали