Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
IRFZ14PBF
IRFZ14PBF

IRFZ14PBF

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    VISHAY
  • Артикул:
    IRFZ14PBF
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET N-CH 60V 10A TO220ABВсе характеристики

Минимальная цена IRFZ14PBF при покупке от 1 шт 161.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IRFZ14PBF с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики IRFZ14PBF

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    60 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    10A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    200mOhm @ 6A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    11 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    300 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    43W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-220AB
  • Корпус
    TO-220-3
  • Base Product Number
    IRFZ14
Техническая документация
 IRFZ14PBF.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • 917 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    161 ₽
  • 50
    93 ₽
  • 1000
    76 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    VISHAY
  • Артикул:
    IRFZ14PBF
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET N-CH 60V 10A TO220ABВсе характеристики

Минимальная цена IRFZ14PBF при покупке от 1 шт 161.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IRFZ14PBF с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики IRFZ14PBF

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    60 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    10A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    200mOhm @ 6A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    11 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    300 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    43W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-220AB
  • Корпус
    TO-220-3
  • Base Product Number
    IRFZ14
Техническая документация
 IRFZ14PBF.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    AON6362MOSFET N-CH 30V 27A/60A 8DFN
    152Кешбэк 22 балла
    FQA7N90MOSFET N-CH 900V 7.4A TO3P
    336Кешбэк 50 баллов
    IXTP24P085TMOSFET P-CH 85V 24A TO220AB
    629Кешбэк 94 балла
    STL3NM60NТранзистор: MOSFET N-CH 600V 0.65A POWERFLAT
    567Кешбэк 85 баллов
    IRLR120NTRPBFMOSFET N-CH 100V 10A DPAK
    134Кешбэк 20 баллов
    SPI11N60S5N-CHANNEL POWER MOSFET
    256Кешбэк 38 баллов
    AON6407MOSFET P-CH 30V 32A/85A 8DFN
    184Кешбэк 27 баллов
    IPP65R225C7XKSA1MOSFET N-CH 650V 11A TO220-3
    436Кешбэк 65 баллов
    IXFA180N10T2MOSFET N-CH 100V 180A TO263
    863Кешбэк 129 баллов
    FDD6296MOSFET N-CH 30V 15A/50A DPAK
    183Кешбэк 27 баллов
    STFU24N60M2MOSFET N-CH 600V 18A TO220FP
    571Кешбэк 85 баллов
    BUK9514-55A,127PFET, 73A I(D), 55V, 0.015OHM, 1
    222Кешбэк 33 балла
    FQD11P06TMMOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK
    269Кешбэк 40 баллов
    FDS4435BZMOSFET P-CH 30V 8.8A 8SOIC
    138Кешбэк 20 баллов
    LND150N8-GMOSFET N-CH 500V 30MA SOT89-3
    144Кешбэк 21 балл
    FQAF16N25MOSFET N-CH 250V 12.4A TO3PF
    204Кешбэк 30 баллов
    IXTH140P05TMOSFET P-CH 50V 140A TO247
    1 852Кешбэк 277 баллов
    FDD5N60NZTMТранзистор: MOSFET N-CH 600V 4A DPAK
    222Кешбэк 33 балла
    2N7002K-T1-GE3Транзистор: MOSFET N-CH 60V 300MA TO236
    41Кешбэк 6 баллов
    IPB60R250CPATMA1MOSFET N-CH 650V 12A TO263-3
    307Кешбэк 46 баллов
    FCH20N60MOSFET N-CH 600V 20A TO247-3
    1 010Кешбэк 151 балл
    STF8N80K5MOSFET N-CH 800V 6A TO220FP
    416Кешбэк 62 балла
    NTGD4169FT1GMOSFET N-CH 30V 2.6A 6TSOP
    34.5Кешбэк 5 баллов
    FDMC8878MOSFET N-CH 30V 9.6A/16.5A 8MLP
    349Кешбэк 52 балла
    BUK7E2R7-30B,127MOSFET N-CH 30V 75A I2PAK
    545Кешбэк 81 балл
    SFT1458-TL-HMOSFET N-CH 600V 1A DPAK/TP-FA
    87Кешбэк 13 баллов
    IRL520PBFMOSFET N-CH 100V 9.2A TO220AB
    382Кешбэк 57 баллов
    IRLR2905TRLPBFMOSFET N-CH 55V 42A DPAK
    243Кешбэк 36 баллов
    IRFU3607PBFMOSFET N-CH 75V 56A IPAK
    125Кешбэк 18 баллов
    NTMFS4C08NT3GMOSFET N-CH 30V 9A/52A 5DFN
    333Кешбэк 49 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Симисторы - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - Модули
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - JFET
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диодные мосты
    Тиристоры - SCR
    Высокочастотные диоды
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - Специального назначения
    Симисторы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Принадлежности
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды выпрямительные - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диоды - ВЧ
    Тиристоры - SCR - модули
    IGBT транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Модули драйверов питания
    Тиристоры - TRIACs
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Биполярные транзисторы
    Варикапы и Варакторы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды силовые
    Триодные тиристоры - Модули
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП