Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - JFET
J113-D74Z
  • В избранное
  • В сравнение
J113-D74Z

J113-D74Z

J113-D74Z
;
J113-D74Z

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi / Fairchild
  • Артикул:
    J113-D74Z
  • Описание:
    JFET N-CH 35V 625MW TO92Все характеристики

Минимальная цена J113-D74Z при покупке от 1 шт 94.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить J113-D74Z с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание J113-D74Z

Разрешенные ТОЛЬКО теги:

,

    ,
  • , .

    • Основные параметры:
      • JFET N-CH — тип транзистора.
      • 35V — максимальное напряжение между дреном и сгущением.
      • 625 MW — мощность, при которой работает транзистор.
      • TO92 — оболочка, в которой упакован транзистор.
    • Плюсы:
      • Высокая скорость переключения.
      • Малый размер и легкость.
      • Устойчивость к электрическим шумам.
      • Низкий уровень шума.
    • Минусы:
      • Низкая стабильность параметров при изменении температуры.
      • Небольшой диапазон рабочих температур.
    • Общее назначение:
      • Использование в радиоэлектронных устройствах для управления токами.
      • Встраивание в микросхемы.
      • Коммутирующее устройство в цепях с высокими частотами.
    • В каких устройствах применяется:
      • Радиоприемники.
      • Системы звуковой обработки.
      • Цифровые устройства.
      • Устройства связи.
Выбрано: Показать

Характеристики J113-D74Z

  • Package
    Tape & Box (TB)
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Напряжение туннельного пробоя (V(BR)GSS)
    35 V
  • Ток утечки (Idss) @ Vds (Vgs=0)
    2 mA @ 15 V
  • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id
    500 mV @ 1 µA
  • Сопротивление в режиме насыщения (RDS)
    100 Ohms
  • Рассеивание мощности
    625 mW
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
  • Исполнение корпуса
    TO-92-3
  • Base Product Number
    J113

Техническая документация

 J113-D74Z.pdf
pdf. 0 kb
  • 4684 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    94 ₽
  • 100
    32.4 ₽
  • 1000
    25.6 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi / Fairchild
  • Артикул:
    J113-D74Z
  • Описание:
    JFET N-CH 35V 625MW TO92Все характеристики

Минимальная цена J113-D74Z при покупке от 1 шт 94.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить J113-D74Z с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание J113-D74Z

Разрешенные ТОЛЬКО теги:

,

    ,
  • , .

    • Основные параметры:
      • JFET N-CH — тип транзистора.
      • 35V — максимальное напряжение между дреном и сгущением.
      • 625 MW — мощность, при которой работает транзистор.
      • TO92 — оболочка, в которой упакован транзистор.
    • Плюсы:
      • Высокая скорость переключения.
      • Малый размер и легкость.
      • Устойчивость к электрическим шумам.
      • Низкий уровень шума.
    • Минусы:
      • Низкая стабильность параметров при изменении температуры.
      • Небольшой диапазон рабочих температур.
    • Общее назначение:
      • Использование в радиоэлектронных устройствах для управления токами.
      • Встраивание в микросхемы.
      • Коммутирующее устройство в цепях с высокими частотами.
    • В каких устройствах применяется:
      • Радиоприемники.
      • Системы звуковой обработки.
      • Цифровые устройства.
      • Устройства связи.
Выбрано: Показать

Характеристики J113-D74Z

  • Package
    Tape & Box (TB)
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Напряжение туннельного пробоя (V(BR)GSS)
    35 V
  • Ток утечки (Idss) @ Vds (Vgs=0)
    2 mA @ 15 V
  • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id
    500 mV @ 1 µA
  • Сопротивление в режиме насыщения (RDS)
    100 Ohms
  • Рассеивание мощности
    625 mW
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
  • Исполнение корпуса
    TO-92-3
  • Base Product Number
    J113

Техническая документация

 J113-D74Z.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    LS841 SOIC 8LJFET AMPLIFIERS-DUALS - LOW NOIS
    1 936Кешбэк 290 баллов
    LS842 SOIC 8LJFET AMPLIFIERS-DUALS - LOW NOIS
    1 849Кешбэк 277 баллов
    SST441 SOIC 8LWIDEBAND, HIGH GAIN, MONOLITHIC
    2 392Кешбэк 358 баллов
    SST401 SOIC 8LLOW NOISE, LOW DRIFT, MONOLITHIC
    1 714Кешбэк 257 баллов
    LS3954 TO-71 6LJFET AMPLIFIERS-DUALS - LOW NOIS
    1 814Кешбэк 272 балла
    LS5912 TO-78 6LWIDEBAND, HIGH GAIN, MONOLITHIC
    2 562Кешбэк 384 балла
    U403 TO-71 6LLOW NOISE, LOW DRIFT, MONOLITHIC
    1 825Кешбэк 273 балла
    LS842 TO-71 6LJFET AMPLIFIERS-DUALS - LOW NOIS
    2 012Кешбэк 301 балл
    2N5115 TO-18 3LP-CHANNEL, SINGLE, JFET SWITCH
    1 477Кешбэк 221 балл
    LS320 TO-72 4LBIFET AMPLIFIER - HIGH INPUT Z A
    1 729Кешбэк 259 баллов
    U406 TO-71 6LLOW NOISE, LOW DRIFT, MONOLITHIC
    1 634Кешбэк 245 баллов
    LSK389C SOIC 8LLOW NOISE, MONOLITHIC DUAL, N-CH
    1 853Кешбэк 277 баллов
    LS5912 SOIC 8L-AWIDEBAND, HIGH GAIN, MONOLITHIC
    2 205Кешбэк 330 баллов
    LS845 SOIC 8LLOW NOISE, LOW DRIFT, LOW CAPACI
    1 736Кешбэк 260 баллов
    LS5912C SOIC 8LWIDEBAND, HIGH GAIN, MONOLITHIC
    2 094Кешбэк 314 баллов
    U404 TO-71 6LLOW NOISE, LOW DRIFT, MONOLITHIC
    1 714Кешбэк 257 баллов
    LS5912 SOIC 8L-BWIDEBAND, HIGH GAIN, MONOLITHIC
    2 205Кешбэк 330 баллов
    SST440 SOIC 8LWIDEBAND, HIGH GAIN, MONOLITHIC
    2 423Кешбэк 363 балла
    NTE468JFET-N-CHANNEL SWITCH TO-92
    358Кешбэк 53 балла
    NTE467JFET-N-CH CHOPPER/FAST SW
    550Кешбэк 82 балла
    NTE312JFET-N-CH VHF AMP/MIX
    5 558Кешбэк 833 балла
    NTE466JFET-N-CH CHOPPER/SW
    1 084Кешбэк 162 балла
    NTE460JFET-P-CH AF AMP
    2 223Кешбэк 333 балла
    NTE457JFET-N-CH GEN PURP AMP/SW
    792Кешбэк 118 баллов
    NTE459JFET-N-CH AF AMP/CHOP./SW
    2 345Кешбэк 351 балл
    NTE461JFET-MATCHED DUAL N-CH
    2 779Кешбэк 416 баллов
    2N4392 PBFREEJFET N-CH 40V 1.8W TO-18
    754Кешбэк 113 баллов
    CMPF4391 TR TIN/LEADJFET N-CH 40V 50MA SOT23
    217Кешбэк 32 балла
    CMPF4392 TR PBFREEJFET N-CH 40V 50MA SOT23
    276Кешбэк 41 балл
    2N4393 PBFREEJFET N-CH 40V 1.8W TO-18
    682Кешбэк 102 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Тиристоры - TRIACs
    Драйверы питания - Модули
    Симисторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Модули драйверов питания
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Симисторы - Модули
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Тиристоры - SCR
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Принадлежности
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Варикапы и Варакторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диодные мосты
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диодные мосты - Модули
    Диоды силовые
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Полевые транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Биполярные транзисторы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Полевые транзисторы - Сборки
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - JFET
    Высокочастотные диоды
    Диоды выпрямительные - Одиночные
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП