Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - JFET
LS845 SOIC 8L
  • В избранное
  • В сравнение
LS845 SOIC 8L

LS845 SOIC 8L

LS845 SOIC 8L
;
LS845 SOIC 8L

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Linear Integrated Systems, Inc.
  • Артикул:
    LS845 SOIC 8L
  • Описание:
    LOW NOISE, LOW DRIFT, LOW CAPACIВсе характеристики

Минимальная цена LS845 SOIC 8L при покупке от 1 шт 1780.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить LS845 SOIC 8L с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание LS845 SOIC 8L

LS845 SOIC 8L Linear Integrated Systems, Inc.

  • Основные параметры:
    • Низкий шум
    • Низкое смещение
    • Низкая емкость
  • Плюсы:
    • Высокая точность измерений
    • Устойчивость к помехам
    • Компактный размер (SOIC 8L)
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с обычными интегральными системами
    • Требует более точной сборки и тестирования
  • Общее назначение:
    • Измерение температуры
    • Измерение напряжения
    • Измерение тока
    • Использование в медицинских приборах
    • Использование в научных приборах
  • В каких устройствах применяется:
    • Метеорологические станции
    • Медицинские термометры
    • Автомобильные датчики
    • Промышленные контроллеры
    • Научные приборы для измерения различных параметров
Выбрано: Показать

Характеристики LS845 SOIC 8L

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    2 N-Channel
  • Напряжение туннельного пробоя (V(BR)GSS)
    60 V
  • Ток утечки (Idss) @ Vds (Vgs=0)
    1.5 mA @ 15 V
  • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id
    1 V @ 1 nA
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    8pF @ 15V
  • Рассеивание мощности
    400 mW
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Исполнение корпуса
    8-SOIC

Техническая документация

 LS845 SOIC 8L.pdf
pdf. 0 kb
  • 95 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    1 780 ₽
  • 95
    910 ₽
  • 190
    844 ₽
  • 570
    803 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Linear Integrated Systems, Inc.
  • Артикул:
    LS845 SOIC 8L
  • Описание:
    LOW NOISE, LOW DRIFT, LOW CAPACIВсе характеристики

Минимальная цена LS845 SOIC 8L при покупке от 1 шт 1780.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить LS845 SOIC 8L с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание LS845 SOIC 8L

LS845 SOIC 8L Linear Integrated Systems, Inc.

  • Основные параметры:
    • Низкий шум
    • Низкое смещение
    • Низкая емкость
  • Плюсы:
    • Высокая точность измерений
    • Устойчивость к помехам
    • Компактный размер (SOIC 8L)
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с обычными интегральными системами
    • Требует более точной сборки и тестирования
  • Общее назначение:
    • Измерение температуры
    • Измерение напряжения
    • Измерение тока
    • Использование в медицинских приборах
    • Использование в научных приборах
  • В каких устройствах применяется:
    • Метеорологические станции
    • Медицинские термометры
    • Автомобильные датчики
    • Промышленные контроллеры
    • Научные приборы для измерения различных параметров
Выбрано: Показать

Характеристики LS845 SOIC 8L

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    2 N-Channel
  • Напряжение туннельного пробоя (V(BR)GSS)
    60 V
  • Ток утечки (Idss) @ Vds (Vgs=0)
    1.5 mA @ 15 V
  • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id
    1 V @ 1 nA
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    8pF @ 15V
  • Рассеивание мощности
    400 mW
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Исполнение корпуса
    8-SOIC

Техническая документация

 LS845 SOIC 8L.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    U404 TO-71 6LLOW NOISE, LOW DRIFT, MONOLITHIC
    1 757Кешбэк 263 балла
    LS320 TO-72 4LBIFET AMPLIFIER - HIGH INPUT Z A
    1 772Кешбэк 265 баллов
    LS845 SOIC 8LLOW NOISE, LOW DRIFT, LOW CAPACI
    1 780Кешбэк 267 баллов
    LS3954 TO-71 6LJFET AMPLIFIERS-DUALS - LOW NOIS
    1 860Кешбэк 279 баллов
    U403 TO-71 6LLOW NOISE, LOW DRIFT, MONOLITHIC
    1 871Кешбэк 280 баллов
    LS842 SOIC 8LJFET AMPLIFIERS-DUALS - LOW NOIS
    1 896Кешбэк 284 балла
    LSK389C SOIC 8LLOW NOISE, MONOLITHIC DUAL, N-CH
    1 900Кешбэк 285 баллов
    LS841 SOIC 8LJFET AMPLIFIERS-DUALS - LOW NOIS
    1 985Кешбэк 297 баллов
    LS842 TO-71 6LJFET AMPLIFIERS-DUALS - LOW NOIS
    2 063Кешбэк 309 баллов
    LS5912C SOIC 8LWIDEBAND, HIGH GAIN, MONOLITHIC
    2 147Кешбэк 322 балла
    LS5912 SOIC 8L-AWIDEBAND, HIGH GAIN, MONOLITHIC
    2 261Кешбэк 339 баллов
    LS5912 SOIC 8L-BWIDEBAND, HIGH GAIN, MONOLITHIC
    2 261Кешбэк 339 баллов
    LS5911 SOIC 8L-BWIDEBAND, HIGH GAIN, MONOLITHIC
    2 378Кешбэк 356 баллов
    LS5911 SOIC 8L-AWIDEBAND, HIGH GAIN, MONOLITHIC
    2 379Кешбэк 356 баллов
    SST441 SOIC 8LWIDEBAND, HIGH GAIN, MONOLITHIC
    2 452Кешбэк 367 баллов
    SST440 SOIC 8LWIDEBAND, HIGH GAIN, MONOLITHIC
    2 485Кешбэк 372 балла
    LS5912 TO-78 6LWIDEBAND, HIGH GAIN, MONOLITHIC
    2 627Кешбэк 394 балла
    NTE133FET-AF AMP SWITCH
    2 163Кешбэк 324 балла
    NTE452JFET-N-CH UHF/VHF AMP
    2 849Кешбэк 427 баллов
    CMPF4391 TR TIN/LEADJFET N-CH 40V 50MA SOT23
    222Кешбэк 33 балла
    2N4857N-CHANNEL MOSFET TO-18
    2 772Кешбэк 415 баллов
    2N4858N-CHANNEL MOSFET TO-18
    2 772Кешбэк 415 баллов
    2N3823N CHANNEL JFET
    3 431Кешбэк 514 баллов
    2N2608JFET
    3 697Кешбэк 554 балла
    2N2609JFETS
    3 909Кешбэк 586 баллов
    J111-D26ZJFET N-CH 35V 625MW TO92
    44Кешбэк 6 баллов
    J113-D74ZJFET N-CH 35V 625MW TO92
    99Кешбэк 14 баллов
    J112-D26ZJFET N-CH 35V 625MW TO92-3
    114Кешбэк 17 баллов
    J112-D27ZSMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
    114Кешбэк 17 баллов
    J175-D26ZJFET P-CH 30V 0.35W TO92-3
    116Кешбэк 17 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Модули драйверов питания
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диодные мосты - Модули
    IGBT транзисторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды - ВЧ
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Модули триодных тиристоров
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Симисторы - Модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы специального назначения
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диодные мосты
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - TRIACs
    Тиристоры - SCR
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Полевые транзисторы - Сборки
    Сборки биполярных транзисторов
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Высокочастотные диоды
    Диоды силовые
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторные модули
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Симисторы
    Транзисторы - JFET
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Модули драйверов питания
    Диоды - мостовые выпрямители
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Варикапы и Варакторы
    Одиночные триодные тиристоры
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Биполярные транзисторы
    Одиночные биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Одиночные IGBT транзисторы
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП