Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды - выпрямители - одиночные
MSC050SDA070BCT
  • В избранное
  • В сравнение
MSC050SDA070BCT

MSC050SDA070BCT

MSC050SDA070BCT
;
MSC050SDA070BCT

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Microchip Technology
  • Артикул:
    MSC050SDA070BCT
  • Описание:
    Диод: SIC SBD 700 V 50 A TO-247Все характеристики

Минимальная цена MSC050SDA070BCT при покупке от 1 шт 2294.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MSC050SDA070BCT с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MSC050SDA070BCT

Диод MSC050SDA070BCT от компании Microchip Technology

  • Основные параметры:
    • Максимальное напряжение: 700 В
    • Максимальный ток: 50 А
    • Пакет: TO-247
  • Плюсы:
    • Высокая токопроводимость благодаря использованию SiC (силиконового кремния)
    • Устойчивость к перенапряжениям
    • Короткий временны́й интервал переключения
    • Энергоэффективность
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с традиционными диодами
    • Требуется более сложная проектировка и технология производства
  • Общее назначение:
    • Использование в высоковольтных системах
    • Защита от перенапряжений
    • Ограничение тока
  • Применение в устройствах:
    • Автомобильные системы
    • Питание энергосистем
    • Оборудование для промышленности
    • Системы управления энергоресурсами
Выбрано: Показать

Характеристики MSC050SDA070BCT

  • Тип диода
    Silicon Carbide Schottky
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    700 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    88A (DC)
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.8 V @ 50 A
  • Скорость
    No Recovery Time > 500mA (Io)
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    0 ns
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    200 µA @ 700 V
  • Емкость @ Vr, F
    2034pF @ 1V, 1MHz
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-247-3
  • Исполнение корпуса
    TO-247-3
  • Рабочая температура pn-прехода
    -55°C ~ 175°C
  • Base Product Number
    MSC050

Техническая документация

 MSC050SDA070BCT.pdf
pdf. 0 kb
  • 16 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    2 294 ₽
  • 30
    2 115 ₽
  • 120
    1 840 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Microchip Technology
  • Артикул:
    MSC050SDA070BCT
  • Описание:
    Диод: SIC SBD 700 V 50 A TO-247Все характеристики

Минимальная цена MSC050SDA070BCT при покупке от 1 шт 2294.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить MSC050SDA070BCT с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание MSC050SDA070BCT

Диод MSC050SDA070BCT от компании Microchip Technology

  • Основные параметры:
    • Максимальное напряжение: 700 В
    • Максимальный ток: 50 А
    • Пакет: TO-247
  • Плюсы:
    • Высокая токопроводимость благодаря использованию SiC (силиконового кремния)
    • Устойчивость к перенапряжениям
    • Короткий временны́й интервал переключения
    • Энергоэффективность
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с традиционными диодами
    • Требуется более сложная проектировка и технология производства
  • Общее назначение:
    • Использование в высоковольтных системах
    • Защита от перенапряжений
    • Ограничение тока
  • Применение в устройствах:
    • Автомобильные системы
    • Питание энергосистем
    • Оборудование для промышленности
    • Системы управления энергоресурсами
Выбрано: Показать

Характеристики MSC050SDA070BCT

  • Тип диода
    Silicon Carbide Schottky
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    700 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    88A (DC)
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.8 V @ 50 A
  • Скорость
    No Recovery Time > 500mA (Io)
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    0 ns
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    200 µA @ 700 V
  • Емкость @ Vr, F
    2034pF @ 1V, 1MHz
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-247-3
  • Исполнение корпуса
    TO-247-3
  • Рабочая температура pn-прехода
    -55°C ~ 175°C
  • Base Product Number
    MSC050

Техническая документация

 MSC050SDA070BCT.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    ES2GA2A -400V - SMA (DO-214AC) - RECT
    43Кешбэк 6 баллов
    DPF10I600APAДиод: PWR DIODE DISC-FRED TO-220AB / T
    220Кешбэк 33 балла
    DSS16-0045AДиод: DIODE SCHOTTKY 45V 16A TO-220AC
    279Кешбэк 41 балл
    DLA20IM800PC-TRLDIODE GEN PURP 800V 20A TO263
    399Кешбэк 59 баллов
    DSEP6-06AS-TRLDIODE GEN PURP 600V 6A TO252AA
    407Кешбэк 61 балл
    DMA10IM1600UZ-TUBДиод: POWER DIODE DISCRETES-RECTIFIER
    409Кешбэк 61 балл
    DSEI25-06AДиод: POWER DIODE DISCRETES-FRED TO-22
    425Кешбэк 63 балла
    DSEI8-06AS-TUBДиод: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB
    460Кешбэк 69 баллов
    DMA30IM1600PZ-TUBДиод: POWER DIODE DISCRETES-RECTIFIER
    523Кешбэк 78 баллов
    DSEP40-03AS-TRLDIODE GEN PURP 300V 40A TO263
    572Кешбэк 85 баллов
    DSEP12-12AZ-TUBДиод: POWER DIODE DISCRETES-FRED TO-26
    605Кешбэк 90 баллов
    DMA10P1200UZ-TRLPOWER DIODE DISCRETES-RECTIFIER
    639Кешбэк 95 баллов
    DSI30-08AS-TRLDIODE GEN PURP 800V 30A TO263
    706Кешбэк 105 баллов
    DSEP12-12BZ-TUBДиод: POWER DIODE DISCRETES-FRED TO-26
    708Кешбэк 106 баллов
    DSEP15-06AS-TUBPOWER DIODE DISCRETES-FRED TO-26
    777Кешбэк 116 баллов
    DSEI12-12AZ-TUBДиод: POWER DIODE DISCRETES-FRED TO-26
    806Кешбэк 120 баллов
    DMA50I800HAДиод: POWER DIODE DISCRETES-RECTIFIER
    812Кешбэк 121 балл
    DNA30ER2200IYДиод: POWER DIODE DISCRETES-RECTIFIER
    834Кешбэк 125 баллов
    DSEI25-06AS-TUBPOWER DIODE DISCRETES-FRED TO-26
    861Кешбэк 129 баллов
    DMA50I1600HAДиод: POWER DIODE DISCRETES-RECTIFIER
    922Кешбэк 138 баллов
    DMA50I1200HAДиод: POWER DIODE DISCRETES-RECTIFIER
    949Кешбэк 142 балла
    DNA30EM2200PZ-TRLDIODE GEN PURP 2.2KV 30A TO263
    1 034Кешбэк 155 баллов
    DSEP29-06AS-TRLDIODE GEN PURP 600V 30A TO263
    1 156Кешбэк 173 балла
    DSEI36-06AS-TRLDIODE FAST REC 600V 37A TO263AB
    1 233Кешбэк 184 балла
    DNA30EM2200PZ-TUBДиод: POWER DIODE DISCRETES-RECTIFIER
    1 240Кешбэк 186 баллов
    DMA50P1200HBДиод: POWER DIODE DISCRETES-RECTIFIER
    1 349Кешбэк 202 балла
    DSP45-18APOWER DIODE DISCRETES-RECTIFIER
    1 388Кешбэк 208 баллов
    DMA50P1600HBДиод: POWER DIODE DISCRETES-RECTIFIER
    1 433Кешбэк 214 баллов
    DSEP60-06AT-TUBДиод: DIODE GEN PURP 600V 60A TO268AA
    1 527Кешбэк 229 баллов
    DSEP60-12AZ-TUBPOWER DIODE DISCRETES-FRED TO-26
    1 677Кешбэк 251 балл

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Модули драйверов питания
    Симисторы - Модули
    IGBT транзисторы
    Одиночные триодные тиристоры
    Одиночные биполярные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Транзисторы - IGBT - модули
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Тиристоры - SCR
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Диодные мосты
    Одиночные IGBT транзисторы
    Диоды - ВЧ
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Сборки биполярных транзисторов
    Диодные мосты - Модули
    Варикапы и Варакторы
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Симисторы
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Тиристоры - TRIACs
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторные модули
    Биполярные транзисторы
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Модули триодных тиристоров
    Диоды силовые
    Высокочастотные диоды
    Диоды - выпрямители - массивы
    Полевые транзисторы - Модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - JFET
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Модули драйверов питания
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы специального назначения
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП