Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
NSVIMD10AMT1G
  • В избранное
  • В сравнение
NSVIMD10AMT1G

NSVIMD10AMT1G

NSVIMD10AMT1G
;
NSVIMD10AMT1G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    NSVIMD10AMT1G
  • Описание:
    Транзистор: SURF MT BIASED RES XSTRВсе характеристики

Минимальная цена NSVIMD10AMT1G при покупке от 1 шт 91.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NSVIMD10AMT1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NSVIMD10AMT1G

Размеры и производитель:

  • Маркировка: NSVIMD10AMT1G
  • Производитель: ON Semiconductor

Описание:

  • Тип устройства: Транзистор
  • Название: SURF MT BIASED RES XSTR

Основные параметры:

  • VCEO: 100 В
  • IC: 30 А
  • hFE (min @ Ic=1A, Vce=5V): 45-270
  • RthJC: 55°C/W
  • Package: TO-263-3

Плюсы:

  • Высокий ток: Максимальный ток до 30 А позволяет использовать его в мощных схемах.
  • Высокое напряжение: Напряжение до 100 В обеспечивает широкий диапазон применения.
  • Хорошая термическая стабильность: Температурный коэффициент hFE не более 1%/°C.
  • Устойчивость к шумам: Блокировка структуры уменьшает влияние внешних шумов.

Минусы:

  • Сложность в установке: Требует дополнительного проектирования для правильной установки.
  • Термический дизайн: Необходимо правильно спроектировать систему охлаждения из-за высокой тепловыделения.

Общее назначение:

  • Питание: Используется для регулирования и управления током в электрических цепях.
  • Электроника: Применяется в различных электронных устройствах, где требуется управление током.
  • Автомобильная электроника: Используется в системах управления двигателем и другими компонентами.
  • Промышленное оборудование: Участвует в управлении мощными электрическими моторами и механизмами.

В каких устройствах применяется:

  • Автомобили: В системах управления двигателем, ABS, кондиционерами.
  • Промышленное оборудование: В системах управления приводами и электродвигателями.
  • Беспроводная связь: В усилителях и других компонентах.
  • Энергетические системы: Для управления нагрузками и оптимизации энергопотребления.
Выбрано: Показать

Характеристики NSVIMD10AMT1G

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    500mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50V
  • Resistor - Base (R1)
    13kOhms, 130Ohms
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    10kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    100 @ 1mA, 5V / 68 @ 100mA, 5V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    300mV @ 1mA, 10mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    500nA
  • Рассеивание мощности
    285mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SC-74, SOT-457
  • Исполнение корпуса
    SC-74R
  • Base Product Number
    NSVIMD10

Техническая документация

 NSVIMD10AMT1G.pdf
pdf. 0 kb
  • 2963 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    91 ₽
  • 100
    35 ₽
  • 1000
    23.6 ₽
  • 6000
    18 ₽
  • 15000
    16 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    NSVIMD10AMT1G
  • Описание:
    Транзистор: SURF MT BIASED RES XSTRВсе характеристики

Минимальная цена NSVIMD10AMT1G при покупке от 1 шт 91.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NSVIMD10AMT1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NSVIMD10AMT1G

Размеры и производитель:

  • Маркировка: NSVIMD10AMT1G
  • Производитель: ON Semiconductor

Описание:

  • Тип устройства: Транзистор
  • Название: SURF MT BIASED RES XSTR

Основные параметры:

  • VCEO: 100 В
  • IC: 30 А
  • hFE (min @ Ic=1A, Vce=5V): 45-270
  • RthJC: 55°C/W
  • Package: TO-263-3

Плюсы:

  • Высокий ток: Максимальный ток до 30 А позволяет использовать его в мощных схемах.
  • Высокое напряжение: Напряжение до 100 В обеспечивает широкий диапазон применения.
  • Хорошая термическая стабильность: Температурный коэффициент hFE не более 1%/°C.
  • Устойчивость к шумам: Блокировка структуры уменьшает влияние внешних шумов.

Минусы:

  • Сложность в установке: Требует дополнительного проектирования для правильной установки.
  • Термический дизайн: Необходимо правильно спроектировать систему охлаждения из-за высокой тепловыделения.

Общее назначение:

  • Питание: Используется для регулирования и управления током в электрических цепях.
  • Электроника: Применяется в различных электронных устройствах, где требуется управление током.
  • Автомобильная электроника: Используется в системах управления двигателем и другими компонентами.
  • Промышленное оборудование: Участвует в управлении мощными электрическими моторами и механизмами.

В каких устройствах применяется:

  • Автомобили: В системах управления двигателем, ABS, кондиционерами.
  • Промышленное оборудование: В системах управления приводами и электродвигателями.
  • Беспроводная связь: В усилителях и других компонентах.
  • Энергетические системы: Для управления нагрузками и оптимизации энергопотребления.
Выбрано: Показать

Характеристики NSVIMD10AMT1G

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    500mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50V
  • Resistor - Base (R1)
    13kOhms, 130Ohms
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    10kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    100 @ 1mA, 5V / 68 @ 100mA, 5V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    300mV @ 1mA, 10mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    500nA
  • Рассеивание мощности
    285mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SC-74, SOT-457
  • Исполнение корпуса
    SC-74R
  • Base Product Number
    NSVIMD10

Техническая документация

 NSVIMD10AMT1G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    ADC114YUQ-7Транзистор: PREBIAS TRANSISTOR SOT363
    59Кешбэк 8 баллов
    DCX124EUQ-7-FТранзистор: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT363
    61Кешбэк 9 баллов
    UMC5NQ-7Транзистор: PREBIASTRANSISTORSOT353
    66Кешбэк 9 баллов
    DCX114EUQ-13R-FТранзистор: PREBIAS TRANSISTOR SOT363 T&R 10
    68Кешбэк 10 баллов
    NSBA144EDXV6T1GТранзистор: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563
    30.4Кешбэк 4 балла
    BCR22PN-AQТранзистор: DI Trst. 60V, 100mA
    16.3Кешбэк 2 балла
    BCR08PNDIGITAL TR SOT-363 50V 100MA
    35Кешбэк 5 баллов
    BCR22PNТранзистор: DIGITAL TR SOT-363 60V 100MA
    42Кешбэк 6 баллов
    BCR183SТранзистор: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR
    7.6Кешбэк 1 балл
    BCR08PNH6327XTSA1Транзистор: TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
    80Кешбэк 12 баллов
    NSVMUN5332DW1T3GТранзистор: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SC88
    1.35Кешбэк 1 балл
    SMUN5211T1Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 202MW SC70-3
    13.3Кешбэк 1 балл
    NSBA143TDXV6T5GTRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563
    15.2Кешбэк 2 балла
    NSBC114EPDXVT1GТранзистор: SS SOT563 DUAL RSTR XSTR
    15.2Кешбэк 2 балла
    NSBC143TDXV6T5GTRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
    23Кешбэк 3 балла
    SMUN5111T1Транзистор: TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3
    23Кешбэк 3 балла
    NSVMUN5211DW1T2GТранзистор: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88
    51Кешбэк 7 баллов
    NSVMUN531335DW1T3GТранзистор: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SC88
    51Кешбэк 7 баллов
    NSVMUN531335DW1T1GТранзистор: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V 6TSSOP
    51Кешбэк 7 баллов
    NSBC114TPDXV6T1GТранзистор: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
    68Кешбэк 10 баллов
    NSBC124XDXV6T1GТранзистор: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
    68Кешбэк 10 баллов
    NSBC143TDXV6T1GТранзистор: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
    68Кешбэк 10 баллов
    NSBC143EDXV6T1GТранзистор: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
    68Кешбэк 10 баллов
    NSBC143EPDXV6T1GTRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
    89Кешбэк 13 баллов
    NSVIMD10AMT1GТранзистор: SURF MT BIASED RES XSTR
    91Кешбэк 13 баллов
    NSBA143ZDXV6T1GТранзистор: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563
    95Кешбэк 14 баллов
    PRMH9ZТранзистор: TRANS PREBIAS 2NPN 50V DFN1412-6
    21Кешбэк 3 балла
    PRMD10ZТранзистор: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V 6DFN
    21Кешбэк 3 балла
    PRMD13ZТранзистор: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V 6DFN
    51Кешбэк 7 баллов
    PRMH2ZТранзистор: TRANS PREBIAS 2NPN 50V DFN1412-6
    51Кешбэк 7 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Симисторы
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Одиночные IGBT транзисторы
    Одиночные биполярные транзисторы
    Модули драйверов питания
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диодные мосты
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Модули триодных тиристоров
    Транзисторы - JFET
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Тиристоры - SCR
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды - ВЧ
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды силовые
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Модули драйверов питания
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторные модули
    Диодные мосты - Модули
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Сборки биполярных транзисторов
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы специального назначения
    Транзисторы - IGBT - модули
    Высокочастотные диоды
    IGBT транзисторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Биполярные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Одиночные триодные тиристоры
    Диоды - выпрямители - массивы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП