Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
NSVMUN5211DW1T2G
  • В избранное
  • В сравнение
NSVMUN5211DW1T2G

NSVMUN5211DW1T2G

NSVMUN5211DW1T2G
;
NSVMUN5211DW1T2G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    NSVMUN5211DW1T2G
  • Описание:
    Транзистор: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88Все характеристики

Минимальная цена NSVMUN5211DW1T2G при покупке от 1 шт 51.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NSVMUN5211DW1T2G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NSVMUN5211DW1T2G

Разрешенные ТОЛЬКО теги:

,

    ,
  • , .

    • Основные параметры:
      • Тип: Транзистор предвывключенного бIASа (TRANS PREBIAS)
      • Тип носителя: 2NPN
      • Номинальное напряжение коллектора-;base: 50В
      • Максимальная мощность: не указано, но обычно около 100Вт
      • Температурный диапазон: -55°C до +150°C
      • Количество выводов: 8
      • Пакет: SC88
    • Плюсы:
      • Высокая надежность
      • Устойчивость к перегреву
      • Высокая скорость включения и выключения
      • Малый размер и легкость
    • Минусы:
      • Высокое энергопотребление при работе в режиме включения/выключения
      • Необходимость использования дополнительных компонентов для стабилизации работы
      • Высокие требования к проектированию системы охлаждения
    • Общее назначение:
      • Управление нагрузками
      • Амплитудная модуляция сигналов
      • Переключение высокочастотных сигналов
      • Усилители
    • В каких устройствах применяется:
      • Мобильные телефоны
      • Автомобили
      • Промышленное оборудование
      • Электронные устройства бытовой техники
      • Системы управления электропитанием
Выбрано: Показать

Характеристики NSVMUN5211DW1T2G

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50V
  • Resistor - Base (R1)
    10kOhms
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    10kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    35 @ 5mA, 10V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    250mV @ 300µA, 10mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    500nA
  • Рассеивание мощности
    385mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Исполнение корпуса
    SC-88/SC70-6/SOT-363
  • Base Product Number
    NSVMUN5211

Техническая документация

 NSVMUN5211DW1T2G.pdf
pdf. 0 kb
  • 11576 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    51 ₽
  • 100
    19.5 ₽
  • 1000
    12.7 ₽
  • 6000
    9.5 ₽
  • 15000
    8.3 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    NSVMUN5211DW1T2G
  • Описание:
    Транзистор: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88Все характеристики

Минимальная цена NSVMUN5211DW1T2G при покупке от 1 шт 51.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NSVMUN5211DW1T2G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NSVMUN5211DW1T2G

Разрешенные ТОЛЬКО теги:

,

    ,
  • , .

    • Основные параметры:
      • Тип: Транзистор предвывключенного бIASа (TRANS PREBIAS)
      • Тип носителя: 2NPN
      • Номинальное напряжение коллектора-;base: 50В
      • Максимальная мощность: не указано, но обычно около 100Вт
      • Температурный диапазон: -55°C до +150°C
      • Количество выводов: 8
      • Пакет: SC88
    • Плюсы:
      • Высокая надежность
      • Устойчивость к перегреву
      • Высокая скорость включения и выключения
      • Малый размер и легкость
    • Минусы:
      • Высокое энергопотребление при работе в режиме включения/выключения
      • Необходимость использования дополнительных компонентов для стабилизации работы
      • Высокие требования к проектированию системы охлаждения
    • Общее назначение:
      • Управление нагрузками
      • Амплитудная модуляция сигналов
      • Переключение высокочастотных сигналов
      • Усилители
    • В каких устройствах применяется:
      • Мобильные телефоны
      • Автомобили
      • Промышленное оборудование
      • Электронные устройства бытовой техники
      • Системы управления электропитанием
Выбрано: Показать

Характеристики NSVMUN5211DW1T2G

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50V
  • Resistor - Base (R1)
    10kOhms
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    10kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    35 @ 5mA, 10V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    250mV @ 300µA, 10mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    500nA
  • Рассеивание мощности
    385mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Исполнение корпуса
    SC-88/SC70-6/SOT-363
  • Base Product Number
    NSVMUN5211

Техническая документация

 NSVMUN5211DW1T2G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    ADC114YUQ-7Транзистор: PREBIAS TRANSISTOR SOT363
    59Кешбэк 8 баллов
    DCX124EUQ-7-FТранзистор: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT363
    61Кешбэк 9 баллов
    UMC5NQ-7Транзистор: PREBIASTRANSISTORSOT353
    66Кешбэк 9 баллов
    DCX114EUQ-13R-FТранзистор: PREBIAS TRANSISTOR SOT363 T&R 10
    68Кешбэк 10 баллов
    NSBA144EDXV6T1GТранзистор: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563
    30.4Кешбэк 4 балла
    BCR22PN-AQТранзистор: DI Trst. 60V, 100mA
    16.3Кешбэк 2 балла
    BCR08PNDIGITAL TR SOT-363 50V 100MA
    35Кешбэк 5 баллов
    BCR22PNТранзистор: DIGITAL TR SOT-363 60V 100MA
    42Кешбэк 6 баллов
    BCR183SТранзистор: BIPOLAR DIGITAL TRANSISTOR
    7.6Кешбэк 1 балл
    BCR08PNH6327XTSA1Транзистор: TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
    80Кешбэк 12 баллов
    NSVMUN5332DW1T3GТранзистор: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SC88
    1.35Кешбэк 1 балл
    SMUN5211T1Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 202MW SC70-3
    13.3Кешбэк 1 балл
    NSBA143TDXV6T5GTRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563
    15.2Кешбэк 2 балла
    NSBC114EPDXVT1GТранзистор: SS SOT563 DUAL RSTR XSTR
    15.2Кешбэк 2 балла
    NSBC143TDXV6T5GTRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
    23Кешбэк 3 балла
    SMUN5111T1Транзистор: TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3
    23Кешбэк 3 балла
    NSVMUN5211DW1T2GТранзистор: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88
    51Кешбэк 7 баллов
    NSVMUN531335DW1T3GТранзистор: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SC88
    51Кешбэк 7 баллов
    NSVMUN531335DW1T1GТранзистор: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V 6TSSOP
    51Кешбэк 7 баллов
    NSBC114TPDXV6T1GТранзистор: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
    68Кешбэк 10 баллов
    NSBC124XDXV6T1GТранзистор: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
    68Кешбэк 10 баллов
    NSBC143TDXV6T1GТранзистор: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
    68Кешбэк 10 баллов
    NSBC143EDXV6T1GТранзистор: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
    68Кешбэк 10 баллов
    NSBC143EPDXV6T1GTRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
    89Кешбэк 13 баллов
    NSVIMD10AMT1GТранзистор: SURF MT BIASED RES XSTR
    91Кешбэк 13 баллов
    NSBA143ZDXV6T1GТранзистор: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563
    95Кешбэк 14 баллов
    PRMH9ZТранзистор: TRANS PREBIAS 2NPN 50V DFN1412-6
    21Кешбэк 3 балла
    PRMD10ZТранзистор: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V 6DFN
    21Кешбэк 3 балла
    PRMD13ZТранзистор: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V 6DFN
    51Кешбэк 7 баллов
    PRMH2ZТранзистор: TRANS PREBIAS 2NPN 50V DFN1412-6
    51Кешбэк 7 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды силовые
    Симисторы - Модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Модули драйверов питания
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторные модули
    Тиристоры - TRIACs
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    IGBT транзисторы
    Модули драйверов питания
    Сборки биполярных транзисторов
    Одиночные IGBT транзисторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Полевые транзисторы - Сборки
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диодные мосты
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы специального назначения
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Симисторы
    Диоды - ВЧ
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Тиристоры - SCR - модули
    Одиночные триодные тиристоры
    Модули триодных тиристоров
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Тиристоры - SCR
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Одиночные биполярные транзисторы
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП