Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
SI2308BDS-T1-GE3

SI2308BDS-T1-GE3

SI2308BDS-T1-GE3
;
SI2308BDS-T1-GE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Vishay Intertechnology Inc
  • Артикул:
    SI2308BDS-T1-GE3
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3Все характеристики

Минимальная цена SI2308BDS-T1-GE3 при покупке от 23 шт 78.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI2308BDS-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SI2308BDS-T1-GE3

SI2308BDS-T1-GE3 VISHAY - MOSFET N-ЧЕРТЯЩИЙ 60В 2,3А SOT23-3

  • Основные параметры:
    • Тип: MOSFET N-ЧЕРТЯЩИЙ
    • Номинальное напряжение (VDS(ON)): 60В
    • Номинальный ток (ID): 2,3А
    • Форм-фактор корпуса: SOT23-3
  • Плюсы:
    • Малый размер корпуса (SOT23-3), что позволяет экономить место на печатной плате.
    • Высокая скорость переключения благодаря низкому сопротивлению в состоянии провода.
    • Низкий уровень утечечного тока при отключенном токе.
    • Устойчивость к перенапряжению до 60В.
  • Минусы:
    • Низкая максимальная токовая способность по сравнению с другими типами транзисторов.
    • Не подходит для высокоточных приложений из-за вариации характеристик.
  • Общее назначение:
    • Регулировка напряжения в электронных устройствах.
    • Переключение нагрузок в цифровых системах.
    • Блокировки и защиты электрических цепей.
  • Применение:
    • Малогабаритные электронные устройства.
    • Автомобильные системы.
    • Мобильные устройства и зарядные устройства.
    • Производство бытовой техники.
Выбрано: Показать

Характеристики SI2308BDS-T1-GE3

Техническая документация

SI2308BDS-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb
  • 23 шт
    3-6 недель
Минимально и кратно 23 шт
  • Количество
    Цена
  • 23
    78 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • Производитель:
    Vishay Intertechnology Inc
  • Артикул:
    SI2308BDS-T1-GE3
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3Все характеристики

Минимальная цена SI2308BDS-T1-GE3 при покупке от 23 шт 78.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI2308BDS-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SI2308BDS-T1-GE3

SI2308BDS-T1-GE3 VISHAY - MOSFET N-ЧЕРТЯЩИЙ 60В 2,3А SOT23-3

  • Основные параметры:
    • Тип: MOSFET N-ЧЕРТЯЩИЙ
    • Номинальное напряжение (VDS(ON)): 60В
    • Номинальный ток (ID): 2,3А
    • Форм-фактор корпуса: SOT23-3
  • Плюсы:
    • Малый размер корпуса (SOT23-3), что позволяет экономить место на печатной плате.
    • Высокая скорость переключения благодаря низкому сопротивлению в состоянии провода.
    • Низкий уровень утечечного тока при отключенном токе.
    • Устойчивость к перенапряжению до 60В.
  • Минусы:
    • Низкая максимальная токовая способность по сравнению с другими типами транзисторов.
    • Не подходит для высокоточных приложений из-за вариации характеристик.
  • Общее назначение:
    • Регулировка напряжения в электронных устройствах.
    • Переключение нагрузок в цифровых системах.
    • Блокировки и защиты электрических цепей.
  • Применение:
    • Малогабаритные электронные устройства.
    • Автомобильные системы.
    • Мобильные устройства и зарядные устройства.
    • Производство бытовой техники.
Выбрано: Показать

Характеристики SI2308BDS-T1-GE3

Техническая документация

SI2308BDS-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
Минимально и кратно 23 шт