SI2308BDS-T1-GE3

SI2308BDS-T1-GE3 VISHAY - MOSFET N-ЧЕРТЯЩИЙ 60В 2,3А SOT23-3

• Основные параметры:
• Тип: MOSFET N-ЧЕРТЯЩИЙ
• Номинальное напряжение (V_DS(ON)): 60В
• Номинальный ток (I_D): 2,3А
• Форм-фактор корпуса: SOT23-3
• Плюсы:
• Малый размер корпуса (SOT23-3), что позволяет экономить место на печатной плате.
• Высокая скорость переключения благодаря низкому сопротивлению в состоянии провода.
• Низкий уровень утечечного тока при отключенном токе.
• Устойчивость к перенапряжению до 60В.
• Минусы:
• Низкая максимальная токовая способность по сравнению с другими типами транзисторов.
• Не подходит для высокоточных приложений из-за вариации характеристик.
• Общее назначение:
• Регулировка напряжения в электронных устройствах.
• Переключение нагрузок в цифровых системах.
• Блокировки и защиты электрических цепей.
• Применение:
• Малогабаритные электронные устройства.
• Автомобильные системы.
• Мобильные устройства и зарядные устройства.
• Производство бытовой техники.