Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
SI4174DY-T1-GE3
  • В избранное
  • В сравнение
SI4174DY-T1-GE3

SI4174DY-T1-GE3

SI4174DY-T1-GE3
;
SI4174DY-T1-GE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    VISHAY
  • Артикул:
    SI4174DY-T1-GE3
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET N-CH 30V 17A 8SOВсе характеристики

Минимальная цена SI4174DY-T1-GE3 при покупке от 1 шт 199.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI4174DY-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SI4174DY-T1-GE3

SI4174DY-T1-GE3 VISHAY

  • MOSFET N-ЧИСТВО
  • Рабочее напряжение (VDS(on)): 30В
  • Номинальная токовая характеристика (ID): 17А
  • Количество выводов: 8
  • Пакет: SO-8

Основные параметры:

  • Минимальное значение тока в состоянии ON (ID(on)): 15A
  • Размеры пакета: 2.6 x 3.2 мм
  • Сопротивление резистивного канала (RDS(on)): 3.3Ω при 25°C

Плюсы:

  • Высокая проводимость в состоянии ON
  • Низкое сопротивление резистивного канала
  • Стабильные электрические характеристики
  • Компактный размер пакета

Минусы:

  • Высокие потери мощности при высоких нагрузочных токах
  • Необходимо учитывать температурный нагрев
  • Могут быть ограничения по максимальному рабочему току без охлаждения

Общее назначение:

  • Драйверы двигателей
  • Переключаемые регуляторы напряжения
  • Применяются в электронных системах для управления нагрузками

Применяется в:

  • Автомобильной электронике
  • Маломощных промышленных приборах
  • Устройствах с высокими требованиями к компактности и эффективности
Выбрано: Показать

Характеристики SI4174DY-T1-GE3

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    17A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    9.5mOhm @ 10A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.2V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    27 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    985 pF @ 15 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    2.5W (Ta), 5W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    8-SOIC
  • Корпус
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Base Product Number
    SI4174

Техническая документация

 SI4174DY-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb
  • 1170 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    199 ₽
  • 10
    133 ₽
  • 100
    96 ₽
  • 500
    77 ₽
  • 1000
    76 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    VISHAY
  • Артикул:
    SI4174DY-T1-GE3
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET N-CH 30V 17A 8SOВсе характеристики

Минимальная цена SI4174DY-T1-GE3 при покупке от 1 шт 199.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI4174DY-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SI4174DY-T1-GE3

SI4174DY-T1-GE3 VISHAY

  • MOSFET N-ЧИСТВО
  • Рабочее напряжение (VDS(on)): 30В
  • Номинальная токовая характеристика (ID): 17А
  • Количество выводов: 8
  • Пакет: SO-8

Основные параметры:

  • Минимальное значение тока в состоянии ON (ID(on)): 15A
  • Размеры пакета: 2.6 x 3.2 мм
  • Сопротивление резистивного канала (RDS(on)): 3.3Ω при 25°C

Плюсы:

  • Высокая проводимость в состоянии ON
  • Низкое сопротивление резистивного канала
  • Стабильные электрические характеристики
  • Компактный размер пакета

Минусы:

  • Высокие потери мощности при высоких нагрузочных токах
  • Необходимо учитывать температурный нагрев
  • Могут быть ограничения по максимальному рабочему току без охлаждения

Общее назначение:

  • Драйверы двигателей
  • Переключаемые регуляторы напряжения
  • Применяются в электронных системах для управления нагрузками

Применяется в:

  • Автомобильной электронике
  • Маломощных промышленных приборах
  • Устройствах с высокими требованиями к компактности и эффективности
Выбрано: Показать

Характеристики SI4174DY-T1-GE3

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    17A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    9.5mOhm @ 10A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.2V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    27 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    985 pF @ 15 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    2.5W (Ta), 5W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    8-SOIC
  • Корпус
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Base Product Number
    SI4174

Техническая документация

 SI4174DY-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    SI4442DY-T1-E3MOSFET N-CH 30V 15A 8SO
    482Кешбэк 72 балла
    IRF510STRLPBFТранзистор: MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
    282Кешбэк 42 балла
    SIRA06DP-T1-GE3MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
    237Кешбэк 35 баллов
    SUM90N03-2M2P-E3MOSFET N-CH 30V 90A TO263
    826Кешбэк 123 балла
    IRF630STRRPBFТранзистор: MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
    348Кешбэк 52 балла
    IRF634STRRPBFMOSFET N-CH 250V 8.1A D2PAK
    537Кешбэк 80 баллов
    IRFPF30PBFMOSFET N-CH 900V 3.6A TO247-3
    932Кешбэк 139 баллов
    IRFBF20STRRPBFMOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK
    556Кешбэк 83 балла
    SUP70040E-GE3MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
    748Кешбэк 112 баллов
    SI1021R-T1-GE3MOSFET P-CH 60V 190MA SC75A
    122Кешбэк 18 баллов
    IRFBE30PBFТранзистор: MOSFET N-CH 800V 4.1A TO220AB
    328Кешбэк 49 баллов
    IRF820STRLPBFMOSFET N-CH 500V 2.5A D2PAK
    506Кешбэк 75 баллов
    IRF624PBFMOSFET N-CH 250V 4.4A TO220AB
    369Кешбэк 55 баллов
    SUM70040M-GE3MOSFET N-CH 100V 120A TO263-7
    578Кешбэк 86 баллов
    SUM110P04-04L-E3Транзистор: MOSFET P-CH 40V 110A TO263
    891Кешбэк 133 балла
    IRFU310PBFMOSFET N-CH 400V 1.7A TO251AA
    385Кешбэк 57 баллов
    IRFP22N50APBFТранзистор: MOSFET N-CH 500V 22A TO247-3
    1 017Кешбэк 152 балла
    SIHG33N60E-GE3MOSFET N-CH 600V 33A TO247AC
    1 367Кешбэк 205 баллов
    IRFBC40SPBFMOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
    569Кешбэк 85 баллов
    IRFPG30PBFMOSFET N-CH 1000V 3.1A TO247-3
    335Кешбэк 50 баллов
    IRFBC30ALPBFMOSFET N-CH 600V 3.6A I2PAK
    343Кешбэк 51 балл
    SIHB30N60E-GE3MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
    1 241Кешбэк 186 баллов
    IRFP360LCPBFТранзистор: MOSFET N-CH 400V 23A TO247-3
    1 058Кешбэк 158 баллов
    IRFPC40PBFMOSFET N-CH 600V 6.8A TO247-3
    343Кешбэк 51 балл
    IRFP048PBFMOSFET N-CH 60V 70A TO247-3
    939Кешбэк 140 баллов
    IRF9520SPBFMOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
    537Кешбэк 80 баллов
    SI4447DY-T1-GE3MOSFET P-CH 40V 3.3A 8SO
    224Кешбэк 33 балла
    IRL630SPBFMOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
    621Кешбэк 93 балла
    SI8416DB-T2-E1MOSFET N-CH 8V 16A 6MICRO FOOT
    202Кешбэк 30 баллов
    IRF730STRLPBFMOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
    454Кешбэк 68 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Модули драйверов питания
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Симисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Полевые транзисторы - Модули
    Тиристоры - SCR
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Драйверы питания - Модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды силовые
    Диоды - мостовые выпрямители
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Биполярные транзисторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - Специального назначения
    Диодные мосты - Модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диодные мосты
    Диоды - ВЧ
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    Тиристоры - TRIACs
    Принадлежности
    Транзисторы - JFET
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Триодные тиристоры - Модули
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Биполярные транзисторы - Сборки
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП