Вход/Регистрация
IRFU210PBFMOSFET N-CH 200V 2.6A TO251AA
SI4435DDY-T1-GE3
SI4435DDY-T1-GE3
- Производитель:VISHAY
- Артикул:SI4435DDY-T1-GE3
- Описание:MOSFET P-CH 30V 11.4A 8SOВсе характеристики
Минимальная цена SI4435DDY-T1-GE3 при покупке от 1 шт 162.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI4435DDY-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.
- 714 шт3-6 недель
- КоличествоЦена
- 1162 ₽
- 5093 ₽
- 50064 ₽
- 250051 ₽
- 750047 ₽
Кешбэк 1 балл
Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену
- Производитель:VISHAY
- Артикул:SI4435DDY-T1-GE3
- Описание:MOSFET P-CH 30V 11.4A 8SOВсе характеристики
Минимальная цена SI4435DDY-T1-GE3 при покупке от 1 шт 162.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI4435DDY-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.
Описание SI4435DDY-T1-GE3
SI4435DDY-T1-GE3 VISHAY MOSFET P-CH 30V 11.4A 8SO
- Основные параметры:
- Напряжение ввода (VDS) - 30В
- Размерный ток (ID) - 11.4А
- Количество выводов (SO) - 8
- Тип - N-канальный полупроводниковый транзистор (MOSFET)
- Тип полярности - P-канальный
- Плюсы:
- Высокая conductive способность при высоком напряжении
- Малый ток утечки
- Высокий коэффициент передачи
- Минимальная динамическая резистанция
- Малые размеры и вес
- Минусы:
- Существует риск перегрева при неудовлетворительном охлаждении
- Требуется дополнительное оборудование для управления
- Общее назначение:
- Передача и управление током в электронных устройствах
- Регулировка напряжения и тока
- Защита от перегрузок и кратковременных скачков напряжения
- В каких устройствах применяется:
- Автомобильные системы управления двигателем
- Промышленные преобразователи напряжения
- Игровые консоли и периферийное оборудование
- Электронные устройства для управления мощностью
- Устройства связи и радиоэлектроники
Выбрано: Показать
Характеристики SI4435DDY-T1-GE3
Техническая документация
SI4435DDY-T1-GE3.pdf pdf. 0 kb