Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
SI7121ADN-T1-GE3

SI7121ADN-T1-GE3

SI7121ADN-T1-GE3
;
SI7121ADN-T1-GE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена SI7121ADN-T1-GE3 при покупке от 1 шт 175.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI7121ADN-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SI7121ADN-T1-GE3

SI7121ADN-T1-GE3 VISHAY MOSFET P-CH 30V 12A PPAK1212-8

  • Основные параметры:
    • Напряжение вдоль канала (VGS(th)): -4,5 В
    • Номинальное напряжение между дреном и эмиттером (VDS(on)): 30 В
    • Номинальный ток при VDS(on): 12 А
    • Коллектор-эмиттерное сопротивление в режиме открытия (RON): ≤ 0,13 Ом
    • Материал: Si (сilicon)
    • Пакет: PPAK1212-8
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при низком напряжении управления
    • Малый ток утечки при открытом состоянии
    • Высокие значения тока и напряжения
    • Минимальное сопротивление в режиме открытия
    • Устойчивость к перегреву и перенапряжению
  • Минусы:
    • Требует дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
    • Высокая стоимость по сравнению с менее мощными MOSFET
  • Общее назначение:
    • Изоляция высоковольтных цепей
    • Переключение высоких токов
    • Регулировка напряжения в электронных устройствах
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Питание цифровых устройств
    • Инверторы и преобразователи напряжения
    • Электронные устройства для бытовой техники
    • Системы управления силами в промышленной электронике
Выбрано: Показать

Характеристики SI7121ADN-T1-GE3

Техническая документация

SI7121ADN-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb
  • 1864 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    175 ₽
  • 10
    126 ₽
  • 100
    74 ₽
  • 500
    64 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена SI7121ADN-T1-GE3 при покупке от 1 шт 175.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI7121ADN-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SI7121ADN-T1-GE3

SI7121ADN-T1-GE3 VISHAY MOSFET P-CH 30V 12A PPAK1212-8

  • Основные параметры:
    • Напряжение вдоль канала (VGS(th)): -4,5 В
    • Номинальное напряжение между дреном и эмиттером (VDS(on)): 30 В
    • Номинальный ток при VDS(on): 12 А
    • Коллектор-эмиттерное сопротивление в режиме открытия (RON): ≤ 0,13 Ом
    • Материал: Si (сilicon)
    • Пакет: PPAK1212-8
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при низком напряжении управления
    • Малый ток утечки при открытом состоянии
    • Высокие значения тока и напряжения
    • Минимальное сопротивление в режиме открытия
    • Устойчивость к перегреву и перенапряжению
  • Минусы:
    • Требует дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
    • Высокая стоимость по сравнению с менее мощными MOSFET
  • Общее назначение:
    • Изоляция высоковольтных цепей
    • Переключение высоких токов
    • Регулировка напряжения в электронных устройствах
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Питание цифровых устройств
    • Инверторы и преобразователи напряжения
    • Электронные устройства для бытовой техники
    • Системы управления силами в промышленной электронике
Выбрано: Показать

Характеристики SI7121ADN-T1-GE3

Техническая документация

SI7121ADN-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории