SI7615ADN-T1-GE3

SI7615ADN-T1-GE3 Vishay Semiconductors MOSFET P-CH 20V 35A PPAK1212-8

• Основные параметры:
• Напряжение срабатывания (Vgs): -4 V
• Размеры пакета: PPAK1212-8
• Ток при напряжении срабатывания (Id @ Vgs=-4V): 35 A
• Номинальное напряжение (Vds): 20 V
• Плюсы:
• Высокий ток пропускания (35 A)
• Устойчивость к обратному напряжению до 20 V
• Малые размеры пакета для эффективного использования пространства
• Низкий уровень сопротивления (Rdson)
• Минусы:
• Низкий уровень сопротивления может вызывать значительное тепловыделение без эффективной системы охлаждения
• Требуется тщательное управление напряжением для предотвращения повреждения
• Общее назначение:
• Использование в источниках питания и преобразователях
• Драйверах двигателей
• Системах управления силами
• В каких устройствах применяется:
• Автомобильных системах управления двигателем
• Промышленных преобразователях и источниках питания
• Электронных системах управления нагрузками