Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
SI9407BDY-T1-GE3
  • В избранное
  • В сравнение
SI9407BDY-T1-GE3

SI9407BDY-T1-GE3

SI9407BDY-T1-GE3
;
SI9407BDY-T1-GE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    VISHAY
  • Артикул:
    SI9407BDY-T1-GE3
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET P-CH 60V 4.7A 8SOВсе характеристики

Минимальная цена SI9407BDY-T1-GE3 при покупке от 1 шт 300.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI9407BDY-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SI9407BDY-T1-GE3

SI9407BDY-T1-GE3 VISHAY — MOSFET P-CH 60V 4.7A 8SO

  • Основные параметры:
    • Тип: MOSFET P-канальный
    • Рабочее напряжение: 60В
    • Максимальный ток: 4.7А
    • Количество выводов: 8
    • Форм-фактор: 8SO (8-полосная оболочечная)
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Низкое сопротивление при прохождении тока
    • Малый размер и легкий вес
    • Простота применения и управления
    • Устойчивость к перегреву и перенапряжению
  • Минусы:
    • Необходимо соблюдение правил охлаждения
    • Возможны проблемы при использовании в высокочастотных приложениях
  • Общее назначение:
    • Использование в электронных цепях для управления током
    • Способствование отключения или подачи питания
    • Переключение между двумя состояниями (включение/выключение)
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Промышленное оборудование
    • Электронные устройства для управления мощностью
    • Системы управления двигателем
    • Мощные светодиодные источники света (LED)
Выбрано: Показать

Характеристики SI9407BDY-T1-GE3

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    60 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    4.7A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    120mOhm @ 3.2A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    22 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    600 pF @ 30 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    2.4W (Ta), 5W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    8-SOIC
  • Корпус
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Base Product Number
    SI9407

Техническая документация

 SI9407BDY-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb
  • 2000 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    300 ₽
  • 5
    235 ₽
  • 10
    207 ₽
  • 50
    152 ₽
  • 500
    96 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    VISHAY
  • Артикул:
    SI9407BDY-T1-GE3
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET P-CH 60V 4.7A 8SOВсе характеристики

Минимальная цена SI9407BDY-T1-GE3 при покупке от 1 шт 300.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI9407BDY-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SI9407BDY-T1-GE3

SI9407BDY-T1-GE3 VISHAY — MOSFET P-CH 60V 4.7A 8SO

  • Основные параметры:
    • Тип: MOSFET P-канальный
    • Рабочее напряжение: 60В
    • Максимальный ток: 4.7А
    • Количество выводов: 8
    • Форм-фактор: 8SO (8-полосная оболочечная)
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Низкое сопротивление при прохождении тока
    • Малый размер и легкий вес
    • Простота применения и управления
    • Устойчивость к перегреву и перенапряжению
  • Минусы:
    • Необходимо соблюдение правил охлаждения
    • Возможны проблемы при использовании в высокочастотных приложениях
  • Общее назначение:
    • Использование в электронных цепях для управления током
    • Способствование отключения или подачи питания
    • Переключение между двумя состояниями (включение/выключение)
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Промышленное оборудование
    • Электронные устройства для управления мощностью
    • Системы управления двигателем
    • Мощные светодиодные источники света (LED)
Выбрано: Показать

Характеристики SI9407BDY-T1-GE3

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    60 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    4.7A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    120mOhm @ 3.2A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    22 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    600 pF @ 30 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    2.4W (Ta), 5W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    8-SOIC
  • Корпус
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Base Product Number
    SI9407

Техническая документация

 SI9407BDY-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    IRF730APBFMOSFET N-CH 400V 5.5A TO220AB
    270Кешбэк 40 баллов
    SIS862DN-T1-GE3MOSFET N-CH 60V 40A PPAK1212-8
    274Кешбэк 41 балл
    SUD08P06-155L-GE3MOSFET P-CH 60V 8.4A TO252
    274Кешбэк 41 балл
    SI4848DY-T1-E3MOSFET N-CH 150V 2.7A 8SO
    279Кешбэк 41 балл
    IRFBE30PBFТранзистор: MOSFET N-CH 800V 4.1A TO220AB
    279Кешбэк 41 балл
    SI4491EDY-T1-GE3Транзистор: MOSFET P-CH 30V 17.3A 8SO
    281Кешбэк 42 балла
    IRF9610PBFMOSFET P-CH 200V 1.8A TO220AB
    281Кешбэк 42 балла
    SI4401BDY-T1-E3MOSFET P-CH 40V 8.7A 8SO
    285Кешбэк 42 балла
    SIS892ADN-T1-GE3MOSFET N-CH 100V 28A PPAK1212-8
    286Кешбэк 42 балла
    IRFBG20PBFMOSFET N-CH 1000V 1.4A TO220AB
    287Кешбэк 43 балла
    IRFR014PBFMOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
    289Кешбэк 43 балла
    SIS407DN-T1-GE3Транзистор: MOSFET P-CH 20V 25A PPAK1212-8
    290Кешбэк 43 балла
    IRFBC40ASPBFТранзистор: MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
    292Кешбэк 43 балла
    IRF530SPBFMOSFET N-CH 100V 14A TO263
    296Кешбэк 44 балла
    SI9407BDY-T1-GE3Транзистор: MOSFET P-CH 60V 4.7A 8SO
    298Кешбэк 44 балла
    SIS454DN-T1-GE3MOSFET N-CH 20V 35A PPAK1212-8
    298Кешбэк 44 балла
    IRF9530PBFТранзистор: MOSFET P-CH 100V 12A TO220AB
    298Кешбэк 44 балла
    IRL640STRLPBFТранзистор: MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK
    300Кешбэк 45 баллов
    IRF644PBFТранзистор: MOSFET N-CH 250V 14A TO220AB
    303Кешбэк 45 баллов
    SUD50N04-8M8P-4GE3MOSFET N-CH 40V 14A/50A TO252
    304Кешбэк 45 баллов
    SIR410DP-T1-GE3Транзистор: MOSFET N-CH 20V 35A PPAK SO-8
    305Кешбэк 45 баллов
    IRFBC40LCPBFТранзистор: MOSFET N-CH 600V 6.2A TO220AB
    313Кешбэк 46 баллов
    IRF740BPBFТранзистор: MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB
    314Кешбэк 47 баллов
    IRF9530SPBFТранзистор: MOSFET P-CH 100V 12A D2PAK
    315Кешбэк 47 баллов
    IRFI9634GPBFТранзистор: MOSFET P-CH 250V 4.1A TO220-3
    323Кешбэк 48 баллов
    IRFU9120PBFТранзистор: MOSFET P-CH 100V 5.6A TO251AA
    325Кешбэк 48 баллов
    IRFPG30PBFMOSFET N-CH 1000V 3.1A TO247-3
    326Кешбэк 48 баллов
    SI7463ADP-T1-GE3MOSFET P-CH 40V 46A PPAK SO-8
    327Кешбэк 49 баллов
    IRFSL11N50APBFMOSFET N-CH 500V 11A TO262-3
    330Кешбэк 49 баллов
    SI7465DP-T1-E3MOSFET P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8
    332Кешбэк 49 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды - выпрямители - массивы
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды силовые
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Одиночные триодные тиристоры
    Диоды - ВЧ
    Полевые транзисторы - Модули
    Диодные мосты
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Модули драйверов питания
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диодные мосты - Модули
    Сборки биполярных транзисторов
    Одиночные биполярные транзисторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Модули триодных тиристоров
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Одиночные IGBT транзисторы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Симисторы
    Симисторы - Модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - JFET
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Биполярные транзисторы
    Транзисторные модули
    Модули драйверов питания
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Тиристоры - SCR
    Варикапы и Варакторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Тиристоры - TRIACs
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы специального назначения
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП