Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
SIA432DJ-T1-GE3
  • В избранное
  • В сравнение
SIA432DJ-T1-GE3

SIA432DJ-T1-GE3

SIA432DJ-T1-GE3
;
SIA432DJ-T1-GE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    VISHAY
  • Артикул:
    SIA432DJ-T1-GE3
  • Описание:
    MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SC70-6Все характеристики

Минимальная цена SIA432DJ-T1-GE3 при покупке от 1 шт 262.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIA432DJ-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIA432DJ-T1-GE3

SIA432DJ-T1-GE3 Vishay Semiconductors MOSFET N-Ч (N-канальный полевик) имеет следующие основные характеристики:

  • Номинальное напряжение (VDS(ON)): 30В
  • Рейтингный ток (ID(on)): 12А
  • Пакет: PPAK SC70-6

Плюсы:

  • Высокая проводимость в ON-режиме
  • Низкий коэффициент транс conductance
  • Малый размер пакета для высокой плотности компоновки
  • Высокая надежность

Минусы:

  • Требует дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
  • Некоторые ограничения по температуре рабочей среды

Общее назначение:

  • Использование в источниках питания
  • Применение в системах управления двигателем
  • Установка в трансиверах
  • Другие электронные устройства, требующие управления мощными токами

Этот MOSFET широко применяется в различных устройствах, где требуется эффективное управление мощными токами с низкими потерями энергии.

Выбрано: Показать

Характеристики SIA432DJ-T1-GE3

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    12A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    20mOhm @ 6A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    20 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    800 pF @ 15 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    3.5W (Ta), 19.2W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PowerPAK® SC-70-6
  • Корпус
    PowerPAK® SC-70-6
  • Base Product Number
    SIA432

Техническая документация

 SIA432DJ-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb
  • 4336 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    262 ₽
  • 10
    175 ₽
  • 500
    104 ₽
  • 5000
    89 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    VISHAY
  • Артикул:
    SIA432DJ-T1-GE3
  • Описание:
    MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SC70-6Все характеристики

Минимальная цена SIA432DJ-T1-GE3 при покупке от 1 шт 262.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIA432DJ-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIA432DJ-T1-GE3

SIA432DJ-T1-GE3 Vishay Semiconductors MOSFET N-Ч (N-канальный полевик) имеет следующие основные характеристики:

  • Номинальное напряжение (VDS(ON)): 30В
  • Рейтингный ток (ID(on)): 12А
  • Пакет: PPAK SC70-6

Плюсы:

  • Высокая проводимость в ON-режиме
  • Низкий коэффициент транс conductance
  • Малый размер пакета для высокой плотности компоновки
  • Высокая надежность

Минусы:

  • Требует дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
  • Некоторые ограничения по температуре рабочей среды

Общее назначение:

  • Использование в источниках питания
  • Применение в системах управления двигателем
  • Установка в трансиверах
  • Другие электронные устройства, требующие управления мощными токами

Этот MOSFET широко применяется в различных устройствах, где требуется эффективное управление мощными токами с низкими потерями энергии.

Выбрано: Показать

Характеристики SIA432DJ-T1-GE3

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    12A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    20mOhm @ 6A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    20 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    800 pF @ 15 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    3.5W (Ta), 19.2W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PowerPAK® SC-70-6
  • Корпус
    PowerPAK® SC-70-6
  • Base Product Number
    SIA432

Техническая документация

 SIA432DJ-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    SI1411DH-T1-GE3MOSFET P-CH 150V 420MA SOT363
    240Кешбэк 36 баллов
    IRF510SPBFТранзистор: MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
    243Кешбэк 36 баллов
    IRFR220TRPBFMOSFET N-CH 200V 4.8A DPAK
    245Кешбэк 36 баллов
    IRFR9310PBFMOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
    247Кешбэк 37 баллов
    IRFI540GPBFMOSFET N-CH 100V 17A TO220-3
    249Кешбэк 37 баллов
    SIRA06DP-T1-GE3MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
    250Кешбэк 37 баллов
    IRL510PBFMOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
    251Кешбэк 37 баллов
    SIHU5N50D-GE3MOSFET N-CH 500V 5.3A TO251
    253Кешбэк 37 баллов
    SIHU7N60E-GE3MOSFET N-CH 600V 7A IPAK
    253Кешбэк 37 баллов
    IRFIBC30GPBFMOSFET N-CH 600V 2.5A TO220-3
    255Кешбэк 38 баллов
    SI7655ADN-T1-GE3MOSFET P-CH 20V 40A PPAK1212-8S
    255Кешбэк 38 баллов
    IRF830BPBFТранзистор: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO220AB
    256Кешбэк 38 баллов
    IRF710STRLPBFMOSFET N-CH 400V 2A D2PAK
    258Кешбэк 38 баллов
    IRFR014TRPBFТранзистор: MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
    260Кешбэк 39 баллов
    IRFZ14PBFТранзистор: MOSFET N-CH 60V 10A TO220AB
    261Кешбэк 39 баллов
    SIA432DJ-T1-GE3MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SC70-6
    262Кешбэк 39 баллов
    SIS407ADN-T1-GE3Транзистор: MOSFET P-CH 20V 18A PPAK1212-8
    264Кешбэк 39 баллов
    SUD23N06-31-GE3MOSFET N-CH 60V 21.4A TO252
    264Кешбэк 39 баллов
    IRF730APBFMOSFET N-CH 400V 5.5A TO220AB
    271Кешбэк 40 баллов
    SUD08P06-155L-GE3MOSFET P-CH 60V 8.4A TO252
    273Кешбэк 40 баллов
    SIS862DN-T1-GE3MOSFET N-CH 60V 40A PPAK1212-8
    276Кешбэк 41 балл
    SI4848DY-T1-E3MOSFET N-CH 150V 2.7A 8SO
    277Кешбэк 41 балл
    IRFBE30PBFТранзистор: MOSFET N-CH 800V 4.1A TO220AB
    277Кешбэк 41 балл
    IRF9610PBFMOSFET P-CH 200V 1.8A TO220AB
    280Кешбэк 42 балла
    SI4491EDY-T1-GE3Транзистор: MOSFET P-CH 30V 17.3A 8SO
    282Кешбэк 42 балла
    SI4401BDY-T1-E3MOSFET P-CH 40V 8.7A 8SO
    283Кешбэк 42 балла
    SIS892ADN-T1-GE3MOSFET N-CH 100V 28A PPAK1212-8
    284Кешбэк 42 балла
    IRFBG20PBFMOSFET N-CH 1000V 1.4A TO220AB
    285Кешбэк 42 балла
    IRFR014PBFMOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
    287Кешбэк 43 балла
    SIS407DN-T1-GE3Транзистор: MOSFET P-CH 20V 25A PPAK1212-8
    291Кешбэк 43 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Диоды силовые
    Биполярные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Одиночные биполярные транзисторы
    Высокочастотные диоды
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - JFET
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Диоды - мостовые выпрямители
    IGBT транзисторы
    Диодные мосты
    Сборки биполярных транзисторов
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Модули драйверов питания
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы специального назначения
    Симисторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Одиночные IGBT транзисторы
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Модули драйверов питания
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Одиночные триодные тиристоры
    Диоды выпрямительные - Модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторные модули
    Модули триодных тиристоров
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Диодные мосты - Модули
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП