Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
SIHU7N60E-GE3
  • В избранное
  • В сравнение
SIHU7N60E-GE3

SIHU7N60E-GE3

SIHU7N60E-GE3
;
SIHU7N60E-GE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    VISHAY
  • Артикул:
    SIHU7N60E-GE3
  • Описание:
    MOSFET N-CH 600V 7A IPAKВсе характеристики

Минимальная цена SIHU7N60E-GE3 при покупке от 1 шт 253.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIHU7N60E-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIHU7N60E-GE3

SIHU7N60E-GE3 VISHAY MOSFET N-ЧЕРНЯВЫЙ 600В 7А IPAK

  • Основные параметры:
    • Тип: MOSFET N-канальный
    • Номинальное напряжение (UDSONS): 600В
    • Максимальный ток (ID): 7А
    • Инфракрасная пакетная оболочка (IPAK)
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость в ON-режиме
    • Малый ток утечки при отключенном канале
    • Хорошая термическая стабильность
    • Простота применения в различных схемах
  • Минусы:
    • Уязвимость к электрическому шуму и перенапряжению
    • Необходимость дополнительной защиты от перегрева и перенапряжения
  • Общее назначение:
    • Использование в источниках питания
    • Обеспечение управления мощными нагрузками
    • Стабилизация напряжения
    • Распределение энергии в различных электронных устройствах
  • Применение:
    • Автомобильные системы
    • Мощные преобразователи
    • Источники питания для бытовой техники
    • Промышленное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики SIHU7N60E-GE3

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    600 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    7A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    600mOhm @ 3.5A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    40 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    680 pF @ 100 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    78W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-251AA
  • Корпус
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
  • Base Product Number
    SIHU7

Техническая документация

 SIHU7N60E-GE3.pdf
pdf. 0 kb
  • 462 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    253 ₽
  • 10
    223 ₽
  • 100
    184 ₽
  • 1000
    152 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    VISHAY
  • Артикул:
    SIHU7N60E-GE3
  • Описание:
    MOSFET N-CH 600V 7A IPAKВсе характеристики

Минимальная цена SIHU7N60E-GE3 при покупке от 1 шт 253.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIHU7N60E-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIHU7N60E-GE3

SIHU7N60E-GE3 VISHAY MOSFET N-ЧЕРНЯВЫЙ 600В 7А IPAK

  • Основные параметры:
    • Тип: MOSFET N-канальный
    • Номинальное напряжение (UDSONS): 600В
    • Максимальный ток (ID): 7А
    • Инфракрасная пакетная оболочка (IPAK)
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость в ON-режиме
    • Малый ток утечки при отключенном канале
    • Хорошая термическая стабильность
    • Простота применения в различных схемах
  • Минусы:
    • Уязвимость к электрическому шуму и перенапряжению
    • Необходимость дополнительной защиты от перегрева и перенапряжения
  • Общее назначение:
    • Использование в источниках питания
    • Обеспечение управления мощными нагрузками
    • Стабилизация напряжения
    • Распределение энергии в различных электронных устройствах
  • Применение:
    • Автомобильные системы
    • Мощные преобразователи
    • Источники питания для бытовой техники
    • Промышленное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики SIHU7N60E-GE3

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    600 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    7A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    600mOhm @ 3.5A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    40 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    680 pF @ 100 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    78W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-251AA
  • Корпус
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
  • Base Product Number
    SIHU7

Техническая документация

 SIHU7N60E-GE3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    SI1411DH-T1-GE3MOSFET P-CH 150V 420MA SOT363
    240Кешбэк 36 баллов
    IRF510SPBFТранзистор: MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
    243Кешбэк 36 баллов
    IRFR220TRPBFMOSFET N-CH 200V 4.8A DPAK
    245Кешбэк 36 баллов
    IRFR9310PBFMOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
    247Кешбэк 37 баллов
    IRFI540GPBFMOSFET N-CH 100V 17A TO220-3
    249Кешбэк 37 баллов
    SIRA06DP-T1-GE3MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
    250Кешбэк 37 баллов
    IRL510PBFMOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
    251Кешбэк 37 баллов
    SIHU5N50D-GE3MOSFET N-CH 500V 5.3A TO251
    253Кешбэк 37 баллов
    SIHU7N60E-GE3MOSFET N-CH 600V 7A IPAK
    253Кешбэк 37 баллов
    IRFIBC30GPBFMOSFET N-CH 600V 2.5A TO220-3
    255Кешбэк 38 баллов
    SI7655ADN-T1-GE3MOSFET P-CH 20V 40A PPAK1212-8S
    255Кешбэк 38 баллов
    IRF830BPBFТранзистор: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO220AB
    256Кешбэк 38 баллов
    IRF710STRLPBFMOSFET N-CH 400V 2A D2PAK
    258Кешбэк 38 баллов
    IRFR014TRPBFТранзистор: MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
    260Кешбэк 39 баллов
    IRFZ14PBFТранзистор: MOSFET N-CH 60V 10A TO220AB
    261Кешбэк 39 баллов
    SIA432DJ-T1-GE3MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SC70-6
    262Кешбэк 39 баллов
    SIS407ADN-T1-GE3Транзистор: MOSFET P-CH 20V 18A PPAK1212-8
    264Кешбэк 39 баллов
    SUD23N06-31-GE3MOSFET N-CH 60V 21.4A TO252
    264Кешбэк 39 баллов
    IRF730APBFMOSFET N-CH 400V 5.5A TO220AB
    271Кешбэк 40 баллов
    SUD08P06-155L-GE3MOSFET P-CH 60V 8.4A TO252
    273Кешбэк 40 баллов
    SIS862DN-T1-GE3MOSFET N-CH 60V 40A PPAK1212-8
    276Кешбэк 41 балл
    SI4848DY-T1-E3MOSFET N-CH 150V 2.7A 8SO
    277Кешбэк 41 балл
    IRFBE30PBFТранзистор: MOSFET N-CH 800V 4.1A TO220AB
    277Кешбэк 41 балл
    IRF9610PBFMOSFET P-CH 200V 1.8A TO220AB
    280Кешбэк 42 балла
    SI4491EDY-T1-GE3Транзистор: MOSFET P-CH 30V 17.3A 8SO
    282Кешбэк 42 балла
    SI4401BDY-T1-E3MOSFET P-CH 40V 8.7A 8SO
    283Кешбэк 42 балла
    SIS892ADN-T1-GE3MOSFET N-CH 100V 28A PPAK1212-8
    284Кешбэк 42 балла
    IRFBG20PBFMOSFET N-CH 1000V 1.4A TO220AB
    285Кешбэк 42 балла
    IRFR014PBFMOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
    287Кешбэк 43 балла
    SIS407DN-T1-GE3Транзистор: MOSFET P-CH 20V 25A PPAK1212-8
    291Кешбэк 43 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Транзисторы - JFET
    Симисторы
    Сборки биполярных транзисторов
    Модули триодных тиристоров
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диодные мосты
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    IGBT транзисторы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Модули драйверов питания
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Тиристоры - TRIACs
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    Варикапы и Варакторы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы специального назначения
    Диоды силовые
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - мостовые выпрямители
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Биполярные транзисторы
    Одиночные IGBT транзисторы
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды - ВЧ
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Симисторы - Модули
    Транзисторные модули
    Одиночные биполярные транзисторы
    Одиночные триодные тиристоры
    Диодные мосты - Модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Модули драйверов питания
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды - выпрямители - массивы
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП