SIR410DP-T1-GE3

SIR410DP-T1-GE3

SIR410DP-T1-GE3

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Производитель:
VISHAY
Артикул:
SIR410DP-T1-GE3
Описание:
Транзистор: MOSFET N-CH 20V 35A PPAK SO-8Все характеристики

Минимальная цена SIR410DP-T1-GE3 при покупке от 1 шт 305.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIR410DP-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIR410DP-T1-GE3

SIR410DP-T1-GE3 Vishay Siliconix Транзистор: MOSFET N-CH 20V 35A PPAK SO-8

Основные параметры:
- Напряжение вдоль канала (V_GS(th)): не более 2 В
- Размер тока (I_D): 35 А
- Напряжение блокировки (V_DS): 20 В
- Пакет: PPAK SO-8
Плюсы:
- Высокая мощность и надежность
- Малый размер и легкий вес
- Долгий срок службы благодаря низкому уровню тепловыделения
- Легко интегрируется в различные электронные устройства
Минусы:
- Требует дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
- Стоимость может быть выше, чем у аналогичных компонентов других производителей
Общее назначение:
- Управление током в электрических цепях
- Переключение и регулирование напряжений
- Использование в схемах преобразования напряжений
В каких устройствах применяется:
- Автомобильная электроника
- Питание и зарядка устройств
- Преобразователи напряжения
- Блоки питания
- Электроприборы

Техническая документация