Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
SIRA06DP-T1-GE3

SIRA06DP-T1-GE3

SIRA06DP-T1-GE3
;
SIRA06DP-T1-GE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена SIRA06DP-T1-GE3 при покупке от 1 шт 237.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIRA06DP-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIRA06DP-T1-GE3

SIRA06DP-T1-GE3 VISHAY MOSFET N-Ч 30В 40А PPAK SO-8

  • Основные параметры:
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Номинальное напряжение: 30В
    • Номинальный ток: 40А
    • Монтаж: PPAK (плоский пакет)
    • Количество выводов: 8
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при низком сопротивлении
    • Малое энергетическое сопротивление
    • Устойчивость к перегреву
    • Долгий срок службы
  • Минусы:
    • Наличие паразитных каналов
    • Необходимость правильного охлаждения при высоких нагрузках
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения
    • Переключение высоких токов
    • Снижение энергопотерь в электронных цепях
  • Применение:
    • Автомобильные системы
    • Питание электронных устройств
    • Промышленное оборудование
    • Инверторы
    • Программируемые логические контроллеры (PLC)
Выбрано: Показать

Характеристики SIRA06DP-T1-GE3

Техническая документация

SIRA06DP-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb
  • 801 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    237 ₽
  • 10
    172 ₽
  • 500
    109 ₽
  • 3000
    86 ₽
  • 9000
    79 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена SIRA06DP-T1-GE3 при покупке от 1 шт 237.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIRA06DP-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIRA06DP-T1-GE3

SIRA06DP-T1-GE3 VISHAY MOSFET N-Ч 30В 40А PPAK SO-8

  • Основные параметры:
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Номинальное напряжение: 30В
    • Номинальный ток: 40А
    • Монтаж: PPAK (плоский пакет)
    • Количество выводов: 8
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при низком сопротивлении
    • Малое энергетическое сопротивление
    • Устойчивость к перегреву
    • Долгий срок службы
  • Минусы:
    • Наличие паразитных каналов
    • Необходимость правильного охлаждения при высоких нагрузках
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения
    • Переключение высоких токов
    • Снижение энергопотерь в электронных цепях
  • Применение:
    • Автомобильные системы
    • Питание электронных устройств
    • Промышленное оборудование
    • Инверторы
    • Программируемые логические контроллеры (PLC)
Выбрано: Показать

Характеристики SIRA06DP-T1-GE3

Техническая документация

SIRA06DP-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории