Вход/Регистрация
SI1411DH-T1-GE3MOSFET P-CH 150V 420MA SOT363
SIS407DN-T1-GE3
SIS407DN-T1-GE3
- Производитель:VISHAY
- Артикул:SIS407DN-T1-GE3
- Описание:Транзистор: MOSFET P-CH 20V 25A PPAK1212-8Все характеристики
Минимальная цена SIS407DN-T1-GE3 при покупке от 1 шт 291.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIS407DN-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.
- 8990 шт3-6 недель
- КоличествоЦена
- 1291 ₽
- 10184 ₽
- 50097 ₽
- 500081 ₽
Кешбэк 1 балл
Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену
- Производитель:VISHAY
- Артикул:SIS407DN-T1-GE3
- Описание:Транзистор: MOSFET P-CH 20V 25A PPAK1212-8Все характеристики
Минимальная цена SIS407DN-T1-GE3 при покупке от 1 шт 291.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIS407DN-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.
Описание SIS407DN-T1-GE3
SIS407DN-T1-GE3 Vishay Siliconix Транзистор: MOSFET P-CH 20V 25A PPAK1212-8
- Основные параметры:
- Номинальное напряжение блокировки (VDS(on)): 20В
- Номинальная токовая способность (ID(on)): 25А
- Пакет: PPAK1212-8
- Плюсы:
- Высокая токовая способность
- Устойчивость к высоким напряжениям
- Малый размер и легкость установки благодаря компактному пакету
- Низкий ток шорт-цикла (Qgs)
- Минусы:
- Только для отрицательно заряженных полупроводниковых каналов (P-канальный)
- Могут быть ограничены при работе с низкими напряжениями
- Общее назначение:
- Регулирование напряжения
- Переключение электрических цепей
- Источники питания
- Автомобильные приборы
- Применение в устройствах:
- Автомобильные системы управления двигателем
- Блоки питания
- Электронные устройства бытовой техники
- Системы управления приводами
Выбрано: Показать
Характеристики SIS407DN-T1-GE3
Техническая документация
SIS407DN-T1-GE3.pdf pdf. 0 kb