Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
SIS862DN-T1-GE3
  • В избранное
  • В сравнение
SIS862DN-T1-GE3

SIS862DN-T1-GE3

SIS862DN-T1-GE3
;
SIS862DN-T1-GE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    VISHAY
  • Артикул:
    SIS862DN-T1-GE3
  • Описание:
    MOSFET N-CH 60V 40A PPAK1212-8Все характеристики

Минимальная цена SIS862DN-T1-GE3 при покупке от 1 шт 275.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIS862DN-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIS862DN-T1-GE3

SIS862DN-T1-GE3 VISHAY MOSFET N-CH 60V 40A PPAK1212-8 — это нормально conducting MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) с низким напряжением включения и высокими характеристиками.

  • Основные параметры:
    • Напряжение включения: 60В
    • Ток: 40А
    • Пакет: PPAK1212-8
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при открытом состоянии
    • Низкий ток утечки при закрытом состоянии
    • Малый размер и вес благодаря компактному пакету PPAK1212-8
    • Устойчивость к перегреву
  • Минусы:
    • Высокие затраты энергии при управлении транзистором
    • Необходимость использования радиатора для охлаждения при больших нагрузках
  • Общее назначение:
    • Использование в электронных устройствах для управления током
    • Применение в системах питания и преобразователях
    • Реализация регуляторов напряжения
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Системы управления двигателем
    • Предприятия и промышленное оборудование
    • Электропитание компьютеров и серверов
Выбрано: Показать

Характеристики SIS862DN-T1-GE3

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    60 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    40A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    8.5mOhm @ 20A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.6V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    32 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1320 pF @ 30 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    3.7W (Ta), 52W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PowerPAK® 1212-8
  • Корпус
    PowerPAK® 1212-8
  • Base Product Number
    SIS862

Техническая документация

 SIS862DN-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb
  • 28695 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    275 ₽
  • 10
    187 ₽
  • 500
    103 ₽
  • 5000
    83 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    VISHAY
  • Артикул:
    SIS862DN-T1-GE3
  • Описание:
    MOSFET N-CH 60V 40A PPAK1212-8Все характеристики

Минимальная цена SIS862DN-T1-GE3 при покупке от 1 шт 275.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIS862DN-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIS862DN-T1-GE3

SIS862DN-T1-GE3 VISHAY MOSFET N-CH 60V 40A PPAK1212-8 — это нормально conducting MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) с низким напряжением включения и высокими характеристиками.

  • Основные параметры:
    • Напряжение включения: 60В
    • Ток: 40А
    • Пакет: PPAK1212-8
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при открытом состоянии
    • Низкий ток утечки при закрытом состоянии
    • Малый размер и вес благодаря компактному пакету PPAK1212-8
    • Устойчивость к перегреву
  • Минусы:
    • Высокие затраты энергии при управлении транзистором
    • Необходимость использования радиатора для охлаждения при больших нагрузках
  • Общее назначение:
    • Использование в электронных устройствах для управления током
    • Применение в системах питания и преобразователях
    • Реализация регуляторов напряжения
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Системы управления двигателем
    • Предприятия и промышленное оборудование
    • Электропитание компьютеров и серверов
Выбрано: Показать

Характеристики SIS862DN-T1-GE3

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    60 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    40A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    8.5mOhm @ 20A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.6V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    32 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1320 pF @ 30 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    3.7W (Ta), 52W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PowerPAK® 1212-8
  • Корпус
    PowerPAK® 1212-8
  • Base Product Number
    SIS862

Техническая документация

 SIS862DN-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    AON6558MOSFET N-CH 30V 25A/28A 8DFN
    145Кешбэк 21 балл
    AO3403MOSFET P-CH 30V 2.6A SOT23-3L
    70Кешбэк 10 баллов
    AON2260MOSFET N-CH 60V 6A 6DFN
    161Кешбэк 24 балла
    AO4492MOSFET N CH 30V 14A 8SOIC
    169Кешбэк 25 баллов
    AON6240MOSFET N-CH 40V 27A/85A 8DFN
    508Кешбэк 76 баллов
    AON7400AMOSFET N-CH 30V 15A/40A 8DFN
    124Кешбэк 18 баллов
    AON2406MOSFET N-CH 20V 8A 6DFN
    165Кешбэк 24 балла
    AON6414AMOSFET N-CH 30V 13A/30A 8DFN
    133Кешбэк 19 баллов
    AO3423MOSFET P-CH 20V 2A SOT23-3L
    76Кешбэк 11 баллов
    AO3402MOSFET N-CH 30V 4A SOT23-3L
    85Кешбэк 12 баллов
    AO3409MOSFET P-CH 30V 2.6A SOT23-3L
    76Кешбэк 11 баллов
    AO4419MOSFET P-CH 30V 9.7A 8SOIC
    200Кешбэк 30 баллов
    AON6278MOSFET N-CH 80V 34A/85A 8DFN
    628Кешбэк 94 балла
    AO4449MOSFET P-CH 30V 7A 8SOIC
    185Кешбэк 27 баллов
    AOD1N60MOSFET N-CH 600V 1.3A TO252
    159Кешбэк 23 балла
    AON6280MOSFET N-CH 80V 17A/85A 8DFN
    602Кешбэк 90 баллов
    AON7404Транзистор: MOSFET N-CH 20V 20A/40A 8DFN
    239Кешбэк 35 баллов
    AOD7N65MOSFET N-CH 650V 7A TO252
    308Кешбэк 46 баллов
    AO4294MOSFET N-CH 100V 11.5A 8SO
    321Кешбэк 48 баллов
    AOD11S60MOSFET N-CH 600V 11A TO252
    548Кешбэк 82 балла
    AOD514Транзистор: MOSFET N-CH 30V 17A/46A TO252
    145Кешбэк 21 балл
    AON6358MOSFET N-CH 30V 42A/85A 8DFN
    239Кешбэк 35 баллов
    AON7421Транзистор: MOSFET P-CH 20V 30A/50A 8DFN
    308Кешбэк 46 баллов
    AON6284MOSFET N-CH 80V 24A/78A 8DFN
    393Кешбэк 58 баллов
    AON2408MOSFET N CH 20V 8A DFN 2X2B
    172Кешбэк 25 баллов
    AOD7S60MOSFET N-CH 600V 7A TO252
    445Кешбэк 66 баллов
    AO4468MOSFET N-CH 30V 10.5A 8SOIC
    148Кешбэк 22 балла
    AON7428MOSFET N-CH 30V 34A/50A 8DFN
    315Кешбэк 47 баллов
    AO6409AMOSFET P-CH 20V 5.5A 6TSOP
    132Кешбэк 19 баллов
    AON6360MOSFET N-CH 30V 36A/85A 8DFN
    213Кешбэк 31 балл

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Принадлежности
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диоды - ВЧ
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Варикапы и Варакторы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Симисторы - Модули
    Тиристоры - TRIACs
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды силовые
    Симисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диодные мосты
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - Модули
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    IGBT транзисторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Драйверы питания - Модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - Специального назначения
    Полевые транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Тиристоры - SCR
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП