Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
STB18N60DM2
  • В избранное
  • В сравнение
STB18N60DM2

STB18N60DM2

STB18N60DM2
;
STB18N60DM2

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    STMICROELECTRONICS
  • Артикул:
    STB18N60DM2
  • Описание:
    MOSFET N-CH 600V 12A D2PAKВсе характеристики

Минимальная цена STB18N60DM2 при покупке от 1 шт 566.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить STB18N60DM2 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание STB18N60DM2

STB18N60DM2 STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(on)): 600В
    • Номинальный ток (ID(on)): 12А
    • Пакет: D2PAK
    • Тип: N-канальный MOSFET
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Малый сопротивление в ON-состоянии (RDS(on))
    • Эффективность работы при высоких температурах
    • Удобство монтажа благодаря компактному пакету D2PAK
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с транзисторами других типов
    • Требует дополнительного охлаждения при работе с высокими нагрузками
  • Общее назначение:
    • Использование в силовых электронных цепях
    • Применение в системах управления двигателей
    • Работа в источниках питания
    • Управление нагрузками в различных приборах и устройствах
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы управления двигателем
    • Системы энергоснабжения и управления освещением
    • Промышленные системы автоматизации и управления
    • Бытовые приборы с электронным управлением
Выбрано: Показать

Характеристики STB18N60DM2

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    600 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    12A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    295mOhm @ 6A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    20 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±25V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    800 pF @ 100 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    90W (Tc)
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    D²PAK (TO-263)
  • Корпус
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Base Product Number
    STB18

Техническая документация

 STB18N60DM2.pdf
pdf. 0 kb
  • 1637 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    566 ₽
  • 10
    419 ₽
  • 100
    291 ₽
  • 500
    231 ₽
  • 1000
    212 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    STMICROELECTRONICS
  • Артикул:
    STB18N60DM2
  • Описание:
    MOSFET N-CH 600V 12A D2PAKВсе характеристики

Минимальная цена STB18N60DM2 при покупке от 1 шт 566.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить STB18N60DM2 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание STB18N60DM2

STB18N60DM2 STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(on)): 600В
    • Номинальный ток (ID(on)): 12А
    • Пакет: D2PAK
    • Тип: N-канальный MOSFET
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Малый сопротивление в ON-состоянии (RDS(on))
    • Эффективность работы при высоких температурах
    • Удобство монтажа благодаря компактному пакету D2PAK
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с транзисторами других типов
    • Требует дополнительного охлаждения при работе с высокими нагрузками
  • Общее назначение:
    • Использование в силовых электронных цепях
    • Применение в системах управления двигателей
    • Работа в источниках питания
    • Управление нагрузками в различных приборах и устройствах
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы управления двигателем
    • Системы энергоснабжения и управления освещением
    • Промышленные системы автоматизации и управления
    • Бытовые приборы с электронным управлением
Выбрано: Показать

Характеристики STB18N60DM2

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    600 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    12A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    295mOhm @ 6A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    20 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±25V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    800 pF @ 100 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    90W (Tc)
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    D²PAK (TO-263)
  • Корпус
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Base Product Number
    STB18

Техническая документация

 STB18N60DM2.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    SI1411DH-T1-GE3MOSFET P-CH 150V 420MA SOT363
    240Кешбэк 36 баллов
    IRF510SPBFТранзистор: MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
    243Кешбэк 36 баллов
    IRFR220TRPBFMOSFET N-CH 200V 4.8A DPAK
    245Кешбэк 36 баллов
    IRFR9310PBFMOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
    247Кешбэк 37 баллов
    IRFI540GPBFMOSFET N-CH 100V 17A TO220-3
    249Кешбэк 37 баллов
    SIRA06DP-T1-GE3MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
    250Кешбэк 37 баллов
    IRL510PBFMOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
    251Кешбэк 37 баллов
    SIHU5N50D-GE3MOSFET N-CH 500V 5.3A TO251
    253Кешбэк 37 баллов
    SIHU7N60E-GE3MOSFET N-CH 600V 7A IPAK
    253Кешбэк 37 баллов
    IRFIBC30GPBFMOSFET N-CH 600V 2.5A TO220-3
    255Кешбэк 38 баллов
    SI7655ADN-T1-GE3MOSFET P-CH 20V 40A PPAK1212-8S
    255Кешбэк 38 баллов
    IRF830BPBFТранзистор: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO220AB
    256Кешбэк 38 баллов
    IRF710STRLPBFMOSFET N-CH 400V 2A D2PAK
    258Кешбэк 38 баллов
    IRFR014TRPBFТранзистор: MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
    260Кешбэк 39 баллов
    IRFZ14PBFТранзистор: MOSFET N-CH 60V 10A TO220AB
    261Кешбэк 39 баллов
    SIA432DJ-T1-GE3MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SC70-6
    262Кешбэк 39 баллов
    SIS407ADN-T1-GE3Транзистор: MOSFET P-CH 20V 18A PPAK1212-8
    264Кешбэк 39 баллов
    SUD23N06-31-GE3MOSFET N-CH 60V 21.4A TO252
    264Кешбэк 39 баллов
    IRF730APBFMOSFET N-CH 400V 5.5A TO220AB
    271Кешбэк 40 баллов
    SUD08P06-155L-GE3MOSFET P-CH 60V 8.4A TO252
    273Кешбэк 40 баллов
    SIS862DN-T1-GE3MOSFET N-CH 60V 40A PPAK1212-8
    276Кешбэк 41 балл
    SI4848DY-T1-E3MOSFET N-CH 150V 2.7A 8SO
    277Кешбэк 41 балл
    IRFBE30PBFТранзистор: MOSFET N-CH 800V 4.1A TO220AB
    277Кешбэк 41 балл
    IRF9610PBFMOSFET P-CH 200V 1.8A TO220AB
    280Кешбэк 42 балла
    SI4491EDY-T1-GE3Транзистор: MOSFET P-CH 30V 17.3A 8SO
    282Кешбэк 42 балла
    SI4401BDY-T1-E3MOSFET P-CH 40V 8.7A 8SO
    283Кешбэк 42 балла
    SIS892ADN-T1-GE3MOSFET N-CH 100V 28A PPAK1212-8
    284Кешбэк 42 балла
    IRFBG20PBFMOSFET N-CH 1000V 1.4A TO220AB
    285Кешбэк 42 балла
    IRFR014PBFMOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
    287Кешбэк 43 балла
    SIS407DN-T1-GE3Транзистор: MOSFET P-CH 20V 25A PPAK1212-8
    291Кешбэк 43 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Принадлежности для дискретных полупроводников
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диодные мосты
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    IGBT транзисторы
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Тиристоры - SCR
    Диоды силовые
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Симисторы - Модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Варикапы и Варакторы
    Модули триодных тиристоров
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Одиночные биполярные транзисторы
    Транзисторные модули
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Диодные мосты - Модули
    Одиночные IGBT транзисторы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Биполярные транзисторы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Высокочастотные диоды
    Сборки биполярных транзисторов
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Тиристоры - SCR - модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы специального назначения
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - JFET
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Модули драйверов питания
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Симисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды выпрямительные - Модули
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Одиночные триодные тиристоры
    Модули драйверов питания
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП