Каталог товаров
Доставка
Оплата
Кешбэк
Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров

Как заказать

О компании

8 800 550-00-22

Доставка Оплата Кешбэк Контакты

Загрузить BOM

Избранное Сравнение Корзина

Вход/Регистрация

Избранное

Войти

Каталог товаров

Дискретные полупроводники

Полевые транзисторы - Одиночные

SUD50N04-8M8P-4GE3

SUD50N04-8M8P-4GE3

SUD50N04-8M8P-4GE3

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Производитель:
Vishay Intertechnology Inc
Артикул:
SUD50N04-8M8P-4GE3
Описание:
MOSFET N-CH 40V 14A/50A TO252Все характеристики

Минимальная цена SUD50N04-8M8P-4GE3 при покупке от 15 шт 129.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SUD50N04-8M8P-4GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрать все

Выбрано: Показать

Характеристики SUD50N04-8M8P-4GE3

Package
Tape & Reel (TR)
Package
Cut Tape (CT)
Package
Digi-Reel®
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток ( (Vdss)
40 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
14A (Ta), 50A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8.8mOhm @ 20A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2400 pF @ 20 V
Рассеивание мощности (Макс)
3.1W (Ta), 48.1W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Вид монтажа
Surface Mount
Исполнение корпуса
TO-252AA
Корпус
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Base Product Number
SUD50

Техническая документация

SUD50N04-8M8P-4GE3.pdf

pdf. 0 kb

В избранное
В сравнение

2490 шт
3-6 недель

Количество
Цена
15
129 ₽
30
97 ₽
118
81 ₽
471
64 ₽
2350
56 ₽

Минимально и кратно 15 шт

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

В избранное
В сравнение

Производитель:
Vishay Intertechnology Inc
Артикул:
SUD50N04-8M8P-4GE3
Описание:
MOSFET N-CH 40V 14A/50A TO252Все характеристики

Минимальная цена SUD50N04-8M8P-4GE3 при покупке от 15 шт 129.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SUD50N04-8M8P-4GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрать все

Выбрано: Показать

Характеристики SUD50N04-8M8P-4GE3

Package
Tape & Reel (TR)
Package
Cut Tape (CT)
Package
Digi-Reel®
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток ( (Vdss)
40 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
14A (Ta), 50A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8.8mOhm @ 20A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
56 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
2400 pF @ 20 V
Рассеивание мощности (Макс)
3.1W (Ta), 48.1W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Вид монтажа
Surface Mount
Исполнение корпуса
TO-252AA
Корпус
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Base Product Number
SUD50

Техническая документация

SUD50N04-8M8P-4GE3.pdf

pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары

Похожие товары

SI7114ADN-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 1212-8

212Кешбэк 31 балл

ZVNL110ASTZ MOSFET N-CH 100V 320MA E-LINE

155Кешбэк 23 балла

IXFK64N50Q3 MOSFET N-CH 500V 64A TO264AA

5 427Кешбэк 814 баллов

STFU15N80K5 MOSFET N-CH 800V 14A TO220FP

357Кешбэк 53 балла

SFT1431-TL-W MOSFET N-CH 35V 11A DPAK/TP-FA

89Кешбэк 13 баллов

ZXM61P02FTA MOSFET P-CH 20V 900MA SOT23-3

78Кешбэк 11 баллов

AUIRF3415 AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL

272Кешбэк 40 баллов

FDBL0330N80 MOSFET N-CH 80V 220A 8HPSOF

1 205Кешбэк 180 баллов

IRFB4332PBF MOSFET N-CH 250V 60A TO220AB

685Кешбэк 102 балла

STFI13N60M2 MOSFET N-CH 600V 11A I2PAKFP

715Кешбэк 107 баллов

IRF540 Транзистор: MOSFET N-CH 100V 28A TO220AB

168Кешбэк 25 баллов

DMG2305UX-7 MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23

25Кешбэк 3 балла

STL13N65M2 MOSFET N-CH 650V 6.5A POWERFLAT

490Кешбэк 73 балла

DMP1022UFDF-7 MOSFET P-CH 12V 9.5A 6UDFN

130Кешбэк 19 баллов

DMN61D8LQ-7 MOSFET N-CH 60V 470MA SOT23

70Кешбэк 10 баллов

IRF620STRRPBF MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK

526Кешбэк 78 баллов

FQU2N80TU MOSFET N-CH 800V 1.8A IPAK

147Кешбэк 22 балла

IPB017N10N5ATMA1 MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7

1 163Кешбэк 174 балла

NTMFS5C442NLTT1G MOSFET N-CH 40V 28A/130A 5DFN

790Кешбэк 118 баллов

BSC0502NSIATMA1 MOSFET N-CH 30V 26A/100A TDSON

225Кешбэк 33 балла

BSP320SH6433XTMA1 MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT223

229Кешбэк 34 балла

DMS3014SSS-13 MOSFET N-CH 30V 10.4A 8SO

87Кешбэк 13 баллов

BUK9880-55A/CUX MOSFET N-CH 55V 7A SOT223

100Кешбэк 15 баллов

FCPF11N60T 11A, 600V, 0.38OHM, N-CHANNEL,

849Кешбэк 127 баллов

NP50P06KDG-E1-AY MOSFET P-CH 60V 50A TO263

556Кешбэк 83 балла

CSD18535KTTT Транзистор: MOSFET N-CH 60V 200A/279A DDPAK

1 000Кешбэк 150 баллов

ZVN4210A MOSFET N-CH 100V 450MA TO92-3

195Кешбэк 29 баллов

STF13N65M2 MOSFET N-CH 650V 10A TO220FP

199Кешбэк 29 баллов

BUK95150-55A,127 MOSFET N-CH 55V 13A TO220AB

62Кешбэк 9 баллов

IPP65R125C7XKSA1 MOSFET N-CH 650V 18A TO220-3

746Кешбэк 111 баллов

Похожие категории

Все товары

Похожие категории

Диоды силовые

Транзисторы - Специального назначения

Транзисторы - JFET

Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET

Транзисторы - Модули

Диоды выпрямительные - Сборки

Триодные тиристоры - Одиночные

Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы

Биполярные транзисторы - Сборки

Триодные тиристоры - Модули

Диоды выпрямительные - Модули

Модули драйверов питания

Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ

Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)

Принадлежности

Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)

Биполярные транзисторы - Одиночные

Высокочастотные полевые транзисторы

Транзисторы - IGBT - модули

Диодные мосты

Драйверы питания - Модули

Биполярные транзисторы

Тиристоры - TRIACs

IGBT транзисторы

Транзисторы - программируемые однопереходные

Динисторы (DIAC, SIDAC)

Симисторы

Тиристоры - SCR

Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули

Регулирование тока - диоды, транзисторы

Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные

Варикапы и Варакторы

Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки

Диодные мосты - Модули

Симисторы - Модули

Диоды - ВЧ

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки

Диоды - мостовые выпрямители

Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы

Полевые транзисторы - Модули

Высокочастотные биполярные транзисторы

Полевые транзисторы - Сборки

Диоды - выпрямители - одиночные

Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные

Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные

Полевые транзисторы - Одиночные

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные

Диоды выпрямительные - Одиночные

Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением

Транзисторы - IGBT - одиночные

Высокочастотные диоды

Программируемые однопереходные транзисторы

Тиристоры - SCR - модули

Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором

Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами

Диоды - выпрямители - массивы

Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением

Оставьте оценку на Яндексе

Каталог товаров
Доставка
Оплата
Производители
Акции

Как купить
Кешбэк
Как сделать заказ
Загрузка BOM-листа
Возврат и обмен
Состояние заказа

О компании
Отзывы
Новости
Вакансии
Правовая информация
Контакты

8 800 550-00-22

Пн-Пт 9:30 - 17:30

Оставьте оценку на Яндексе

Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.

© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали