Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - JFET
UJ3N065025K3S
  • В избранное
  • В сравнение
UJ3N065025K3S

UJ3N065025K3S

UJ3N065025K3S
;
UJ3N065025K3S

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    UJ3N065025K3S
  • Описание:
    650V 25 MOHM SIC JFET, G3, N-ON,Все характеристики

Минимальная цена UJ3N065025K3S при покупке от 1 шт 3794.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить UJ3N065025K3S с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание UJ3N065025K3S

UJ3N065025K3S от ON Semiconductor — это:

  • 650В 25 МОМ
  • SiC JFET, G3, N-ON

Основные параметры:

  • Номинальное напряжение: 650 В
  • Резистивность канала (Rds(on)): 25 мОм
  • Тип устройства: JFET (junction field-effect transistor)
  • Стандартная версия: G3
  • Положительный контакт: N-ON (положительный полупроводник)

Плюсы:

  • Высокое напряжение: 650 В обеспечивают широкий диапазон применения.
  • Низкая резистивность канала: 25 мОм обеспечивает минимальное энергетическое сопротивление.
  • Скорость переключения: высокая скорость переключения благодаря использованию SiC.
  • Компактность: уменьшенные размеры по сравнению с традиционными транзисторами.

Минусы:

  • Цена: SiC устройства обычно дороже традиционных решений.
  • Требования к проектированию: требуют более сложного проектирования и понимания специфических требований SiC.

Общее назначение:

  • Использование в высоковольтных приборах и системах.
  • Применяется в инверторах для промышленности и автомобилей.
  • Используется в источниках питания для серверов и данных.

В каких устройствах применяется:

  • Инверторы для электротранспорта.
  • Источники питания для серверных центров.
  • Промышленные преобразователи напряжения.
  • Автомобильные системы управления двигателем.
Выбрано: Показать

Характеристики UJ3N065025K3S

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Напряжение туннельного пробоя (V(BR)GSS)
    650 V
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    650 V
  • Ток утечки (Id) - Макс
    85 A
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    2360pF @ 100V
  • Сопротивление в режиме насыщения (RDS)
    33 mOhms
  • Рассеивание мощности
    441 W
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-247-3
  • Исполнение корпуса
    TO-247-3
  • Base Product Number
    UJ3N065025

Техническая документация

 UJ3N065025K3S.pdf
pdf. 0 kb
  • 1211 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    3 794 ₽
  • 30
    2 654 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    UJ3N065025K3S
  • Описание:
    650V 25 MOHM SIC JFET, G3, N-ON,Все характеристики

Минимальная цена UJ3N065025K3S при покупке от 1 шт 3794.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить UJ3N065025K3S с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание UJ3N065025K3S

UJ3N065025K3S от ON Semiconductor — это:

  • 650В 25 МОМ
  • SiC JFET, G3, N-ON

Основные параметры:

  • Номинальное напряжение: 650 В
  • Резистивность канала (Rds(on)): 25 мОм
  • Тип устройства: JFET (junction field-effect transistor)
  • Стандартная версия: G3
  • Положительный контакт: N-ON (положительный полупроводник)

Плюсы:

  • Высокое напряжение: 650 В обеспечивают широкий диапазон применения.
  • Низкая резистивность канала: 25 мОм обеспечивает минимальное энергетическое сопротивление.
  • Скорость переключения: высокая скорость переключения благодаря использованию SiC.
  • Компактность: уменьшенные размеры по сравнению с традиционными транзисторами.

Минусы:

  • Цена: SiC устройства обычно дороже традиционных решений.
  • Требования к проектированию: требуют более сложного проектирования и понимания специфических требований SiC.

Общее назначение:

  • Использование в высоковольтных приборах и системах.
  • Применяется в инверторах для промышленности и автомобилей.
  • Используется в источниках питания для серверов и данных.

В каких устройствах применяется:

  • Инверторы для электротранспорта.
  • Источники питания для серверных центров.
  • Промышленные преобразователи напряжения.
  • Автомобильные системы управления двигателем.
Выбрано: Показать

Характеристики UJ3N065025K3S

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Напряжение туннельного пробоя (V(BR)GSS)
    650 V
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    650 V
  • Ток утечки (Id) - Макс
    85 A
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    2360pF @ 100V
  • Сопротивление в режиме насыщения (RDS)
    33 mOhms
  • Рассеивание мощности
    441 W
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-247-3
  • Исполнение корпуса
    TO-247-3
  • Base Product Number
    UJ3N065025

Техническая документация

 UJ3N065025K3S.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    LS841 SOIC 8LJFET AMPLIFIERS-DUALS - LOW NOIS
    1 936Кешбэк 290 баллов
    LS842 SOIC 8LJFET AMPLIFIERS-DUALS - LOW NOIS
    1 849Кешбэк 277 баллов
    SST441 SOIC 8LWIDEBAND, HIGH GAIN, MONOLITHIC
    2 392Кешбэк 358 баллов
    SST401 SOIC 8LLOW NOISE, LOW DRIFT, MONOLITHIC
    1 714Кешбэк 257 баллов
    LS3954 TO-71 6LJFET AMPLIFIERS-DUALS - LOW NOIS
    1 814Кешбэк 272 балла
    LS5912 TO-78 6LWIDEBAND, HIGH GAIN, MONOLITHIC
    2 562Кешбэк 384 балла
    U403 TO-71 6LLOW NOISE, LOW DRIFT, MONOLITHIC
    1 825Кешбэк 273 балла
    LS842 TO-71 6LJFET AMPLIFIERS-DUALS - LOW NOIS
    2 012Кешбэк 301 балл
    2N5115 TO-18 3LP-CHANNEL, SINGLE, JFET SWITCH
    1 477Кешбэк 221 балл
    LS320 TO-72 4LBIFET AMPLIFIER - HIGH INPUT Z A
    1 729Кешбэк 259 баллов
    U406 TO-71 6LLOW NOISE, LOW DRIFT, MONOLITHIC
    1 634Кешбэк 245 баллов
    LSK389C SOIC 8LLOW NOISE, MONOLITHIC DUAL, N-CH
    1 853Кешбэк 277 баллов
    LS5912 SOIC 8L-AWIDEBAND, HIGH GAIN, MONOLITHIC
    2 205Кешбэк 330 баллов
    LS845 SOIC 8LLOW NOISE, LOW DRIFT, LOW CAPACI
    1 736Кешбэк 260 баллов
    LS5912C SOIC 8LWIDEBAND, HIGH GAIN, MONOLITHIC
    2 094Кешбэк 314 баллов
    U404 TO-71 6LLOW NOISE, LOW DRIFT, MONOLITHIC
    1 714Кешбэк 257 баллов
    LS5912 SOIC 8L-BWIDEBAND, HIGH GAIN, MONOLITHIC
    2 205Кешбэк 330 баллов
    SST440 SOIC 8LWIDEBAND, HIGH GAIN, MONOLITHIC
    2 423Кешбэк 363 балла
    NTE468JFET-N-CHANNEL SWITCH TO-92
    358Кешбэк 53 балла
    NTE467JFET-N-CH CHOPPER/FAST SW
    550Кешбэк 82 балла
    NTE312JFET-N-CH VHF AMP/MIX
    5 558Кешбэк 833 балла
    NTE466JFET-N-CH CHOPPER/SW
    1 084Кешбэк 162 балла
    NTE460JFET-P-CH AF AMP
    2 223Кешбэк 333 балла
    NTE457JFET-N-CH GEN PURP AMP/SW
    792Кешбэк 118 баллов
    NTE459JFET-N-CH AF AMP/CHOP./SW
    2 345Кешбэк 351 балл
    NTE461JFET-MATCHED DUAL N-CH
    2 779Кешбэк 416 баллов
    2N4392 PBFREEJFET N-CH 40V 1.8W TO-18
    754Кешбэк 113 баллов
    CMPF4391 TR TIN/LEADJFET N-CH 40V 50MA SOT23
    217Кешбэк 32 балла
    CMPF4392 TR PBFREEJFET N-CH 40V 50MA SOT23
    276Кешбэк 41 балл
    2N4393 PBFREEJFET N-CH 40V 1.8W TO-18
    682Кешбэк 102 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диодные мосты
    Транзисторы - JFET
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Принадлежности
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Высокочастотные диоды
    Диоды - выпрямители - массивы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - Специального назначения
    Диоды - ВЧ
    Симисторы - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Триодные тиристоры - Модули
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Симисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Тиристоры - TRIACs
    Тиристоры - SCR - модули
    Драйверы питания - Модули
    Модули драйверов питания
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Тиристоры - SCR
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - IGBT - модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диоды силовые
    IGBT транзисторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП