UJ3N065025K3S

UJ3N065025K3S от ON Semiconductor — это:

• 650В 25 МОМ
• SiC JFET, G3, N-ON

Основные параметры:

• Номинальное напряжение: 650 В
• Резистивность канала (Rds(on)): 25 мОм
• Тип устройства: JFET (junction field-effect transistor)
• Стандартная версия: G3
• Положительный контакт: N-ON (положительный полупроводник)

Плюсы:

• Высокое напряжение: 650 В обеспечивают широкий диапазон применения.
• Низкая резистивность канала: 25 мОм обеспечивает минимальное энергетическое сопротивление.
• Скорость переключения: высокая скорость переключения благодаря использованию SiC.
• Компактность: уменьшенные размеры по сравнению с традиционными транзисторами.

Минусы:

• Цена: SiC устройства обычно дороже традиционных решений.
• Требования к проектированию: требуют более сложного проектирования и понимания специфических требований SiC.

Общее назначение:

• Использование в высоковольтных приборах и системах.
• Применяется в инверторах для промышленности и автомобилей.
• Используется в источниках питания для серверов и данных.

В каких устройствах применяется:

• Инверторы для электротранспорта.
• Источники питания для серверных центров.
• Промышленные преобразователи напряжения.
• Автомобильные системы управления двигателем.