Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - JFET
UJ3N120035K3S
  • В избранное
  • В сравнение
UJ3N120035K3S

UJ3N120035K3S

UJ3N120035K3S
;
UJ3N120035K3S

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    UJ3N120035K3S
  • Описание:
    1200V 35 MOHM SIC JFET, G3, N-ONВсе характеристики

Минимальная цена UJ3N120035K3S при покупке от 1 шт 5395.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить UJ3N120035K3S с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание UJ3N120035K3S

Устройство UJ3N120035K3S от On Semiconductor:

  • Тип: N-ON SIC JFET (полупроводниковый транзистор с канальным эффектом)
  • Номинальное напряжение блокировки: 1200В
  • Максимальное значение тока: 35А
  • Сопротивление: 35 МОм
  • Технология: SiC (силикон кремниевый)

Плюсы:

  • Высокая надежность и долговечность благодаря использованию SiC
  • Высокая скорость переключения
  • Устойчивость к тепловым воздействиям
  • Компактность и легкость

Минусы:

  • Высокая стоимость по сравнению с традиционными материалами
  • Требует специфического дизайна и производства

Общее назначение:

  • Используется в мощных электронных устройствах для управления током
  • Подходит для применения в высоковольтных системах
  • Используется в промышленных преобразователях питания, инверторах и других приборах

Применение:

  • Мощные источники питания
  • Преобразователи питания
  • Инверторы для электромобилей
  • Промышленное оборудование
  • Энергосберегающие системы
Выбрано: Показать

Характеристики UJ3N120035K3S

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Напряжение туннельного пробоя (V(BR)GSS)
    1200 V
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    1200 V
  • Ток утечки (Id) - Макс
    63 A
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    2145pF @ 100V
  • Сопротивление в режиме насыщения (RDS)
    45 mOhms
  • Рассеивание мощности
    429 W
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-247-3
  • Исполнение корпуса
    TO-247-3
  • Base Product Number
    UJ3N120035

Техническая документация

 UJ3N120035K3S.pdf
pdf. 0 kb
  • 3889 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    5 395 ₽
  • 30
    4 134 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    UJ3N120035K3S
  • Описание:
    1200V 35 MOHM SIC JFET, G3, N-ONВсе характеристики

Минимальная цена UJ3N120035K3S при покупке от 1 шт 5395.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить UJ3N120035K3S с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание UJ3N120035K3S

Устройство UJ3N120035K3S от On Semiconductor:

  • Тип: N-ON SIC JFET (полупроводниковый транзистор с канальным эффектом)
  • Номинальное напряжение блокировки: 1200В
  • Максимальное значение тока: 35А
  • Сопротивление: 35 МОм
  • Технология: SiC (силикон кремниевый)

Плюсы:

  • Высокая надежность и долговечность благодаря использованию SiC
  • Высокая скорость переключения
  • Устойчивость к тепловым воздействиям
  • Компактность и легкость

Минусы:

  • Высокая стоимость по сравнению с традиционными материалами
  • Требует специфического дизайна и производства

Общее назначение:

  • Используется в мощных электронных устройствах для управления током
  • Подходит для применения в высоковольтных системах
  • Используется в промышленных преобразователях питания, инверторах и других приборах

Применение:

  • Мощные источники питания
  • Преобразователи питания
  • Инверторы для электромобилей
  • Промышленное оборудование
  • Энергосберегающие системы
Выбрано: Показать

Характеристики UJ3N120035K3S

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Напряжение туннельного пробоя (V(BR)GSS)
    1200 V
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    1200 V
  • Ток утечки (Id) - Макс
    63 A
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    2145pF @ 100V
  • Сопротивление в режиме насыщения (RDS)
    45 mOhms
  • Рассеивание мощности
    429 W
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    TO-247-3
  • Исполнение корпуса
    TO-247-3
  • Base Product Number
    UJ3N120035

Техническая документация

 UJ3N120035K3S.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    LS841 SOIC 8LJFET AMPLIFIERS-DUALS - LOW NOIS
    1 936Кешбэк 290 баллов
    LS842 SOIC 8LJFET AMPLIFIERS-DUALS - LOW NOIS
    1 849Кешбэк 277 баллов
    SST441 SOIC 8LWIDEBAND, HIGH GAIN, MONOLITHIC
    2 392Кешбэк 358 баллов
    SST401 SOIC 8LLOW NOISE, LOW DRIFT, MONOLITHIC
    1 714Кешбэк 257 баллов
    LS3954 TO-71 6LJFET AMPLIFIERS-DUALS - LOW NOIS
    1 814Кешбэк 272 балла
    LS5912 TO-78 6LWIDEBAND, HIGH GAIN, MONOLITHIC
    2 562Кешбэк 384 балла
    U403 TO-71 6LLOW NOISE, LOW DRIFT, MONOLITHIC
    1 825Кешбэк 273 балла
    LS842 TO-71 6LJFET AMPLIFIERS-DUALS - LOW NOIS
    2 012Кешбэк 301 балл
    2N5115 TO-18 3LP-CHANNEL, SINGLE, JFET SWITCH
    1 477Кешбэк 221 балл
    LS320 TO-72 4LBIFET AMPLIFIER - HIGH INPUT Z A
    1 729Кешбэк 259 баллов
    U406 TO-71 6LLOW NOISE, LOW DRIFT, MONOLITHIC
    1 634Кешбэк 245 баллов
    LSK389C SOIC 8LLOW NOISE, MONOLITHIC DUAL, N-CH
    1 853Кешбэк 277 баллов
    LS5912 SOIC 8L-AWIDEBAND, HIGH GAIN, MONOLITHIC
    2 205Кешбэк 330 баллов
    LS845 SOIC 8LLOW NOISE, LOW DRIFT, LOW CAPACI
    1 736Кешбэк 260 баллов
    LS5912C SOIC 8LWIDEBAND, HIGH GAIN, MONOLITHIC
    2 094Кешбэк 314 баллов
    U404 TO-71 6LLOW NOISE, LOW DRIFT, MONOLITHIC
    1 714Кешбэк 257 баллов
    LS5912 SOIC 8L-BWIDEBAND, HIGH GAIN, MONOLITHIC
    2 205Кешбэк 330 баллов
    SST440 SOIC 8LWIDEBAND, HIGH GAIN, MONOLITHIC
    2 423Кешбэк 363 балла
    NTE468JFET-N-CHANNEL SWITCH TO-92
    358Кешбэк 53 балла
    NTE467JFET-N-CH CHOPPER/FAST SW
    550Кешбэк 82 балла
    NTE312JFET-N-CH VHF AMP/MIX
    5 558Кешбэк 833 балла
    NTE466JFET-N-CH CHOPPER/SW
    1 084Кешбэк 162 балла
    NTE460JFET-P-CH AF AMP
    2 223Кешбэк 333 балла
    NTE457JFET-N-CH GEN PURP AMP/SW
    792Кешбэк 118 баллов
    NTE459JFET-N-CH AF AMP/CHOP./SW
    2 345Кешбэк 351 балл
    NTE461JFET-MATCHED DUAL N-CH
    2 779Кешбэк 416 баллов
    2N4392 PBFREEJFET N-CH 40V 1.8W TO-18
    754Кешбэк 113 баллов
    CMPF4391 TR TIN/LEADJFET N-CH 40V 50MA SOT23
    217Кешбэк 32 балла
    CMPF4392 TR PBFREEJFET N-CH 40V 50MA SOT23
    276Кешбэк 41 балл
    2N4393 PBFREEJFET N-CH 40V 1.8W TO-18
    682Кешбэк 102 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Принадлежности
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диодные мосты
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Биполярные транзисторы
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - JFET
    Тиристоры - SCR - модули
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Варикапы и Варакторы
    Модули драйверов питания
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Симисторы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диодные мосты - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    IGBT транзисторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - IGBT - одиночные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Симисторы - Модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Триодные тиристоры - Модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Тиристоры - SCR
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды силовые
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП