Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Транзисторы - JFET
UJ3N120035K3S
UJ3N120035K3S

UJ3N120035K3S

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    UJ3N120035K3S
  • Описание:
    1200V 35 MOHM SIC JFET, G3, N-ONВсе характеристики

Минимальная цена UJ3N120035K3S при покупке от 1 шт 5318.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить UJ3N120035K3S с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики UJ3N120035K3S

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
    Тип полевого транзистора N-Channel
  • Напряжение туннельного пробоя (V(BR)GSS)
    1200 V
    Напряжение туннельного пробоя (V(BR)GSS) 1200 V
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    1200 V
    Напряжение сток-исток ( (Vdss) 1200 V
  • Ток утечки (Id) - Макс
    63 A
    Ток утечки (Id) - Макс 63 A
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    2145pF @ 100V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2145pF @ 100V
  • Сопротивление в режиме насыщения (RDS)
    45 mOhms
    Сопротивление в режиме насыщения (RDS) 45 mOhms
  • Рассеивание мощности
    429 W
    Рассеивание мощности 429 W
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
    Рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
    Вид монтажа Through Hole
  • Корпус
    TO-247-3
    Корпус TO-247-3
  • Исполнение корпуса
    TO-247-3
    Исполнение корпуса TO-247-3
  • Base Product Number
    UJ3N120035
    Base Product Number UJ3N120035
Техническая документация
 UJ3N120035K3S.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • 3889 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    5 318 ₽
  • 30
    4 075 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
получить кешбэк баллы

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    UJ3N120035K3S
  • Описание:
    1200V 35 MOHM SIC JFET, G3, N-ONВсе характеристики

Минимальная цена UJ3N120035K3S при покупке от 1 шт 5318.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить UJ3N120035K3S с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики UJ3N120035K3S

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
    Тип полевого транзистора N-Channel
  • Напряжение туннельного пробоя (V(BR)GSS)
    1200 V
    Напряжение туннельного пробоя (V(BR)GSS) 1200 V
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    1200 V
    Напряжение сток-исток ( (Vdss) 1200 V
  • Ток утечки (Id) - Макс
    63 A
    Ток утечки (Id) - Макс 63 A
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    2145pF @ 100V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2145pF @ 100V
  • Сопротивление в режиме насыщения (RDS)
    45 mOhms
    Сопротивление в режиме насыщения (RDS) 45 mOhms
  • Рассеивание мощности
    429 W
    Рассеивание мощности 429 W
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
    Рабочая температура -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
    Вид монтажа Through Hole
  • Корпус
    TO-247-3
    Корпус TO-247-3
  • Исполнение корпуса
    TO-247-3
    Исполнение корпуса TO-247-3
  • Base Product Number
    UJ3N120035
    Base Product Number UJ3N120035
Техническая документация
 UJ3N120035K3S.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    4391DFN 8LLOW NOISE, N-CHANNEL JFET SWITCH
    NTE2938JFET P-CHANNEL 30V TO-92
    LS841 TO-78 6LJFET AMPLIFIERS-DUALS - LOW NOIS
    NTE456JFET-N-CH GEN AMP/SW
    SST176 SOT-23 3LP-CHANNEL, SINGLE, JFET SWITCH
    SMMBFJ177LT1TRANS JFET P-CH SOT23
    J113-D74ZJFET N-CH 35V 625MW TO92
    2N4221AT-JFET N CHANNEL
    LS845 SOIC 8LLOW NOISE, LOW DRIFT, LOW CAPACI
    SST204 SOT-23 3LLOW NOISE, SINGLE, N-CHANNEL JFE
    SST4117 SOT-23 3LULTRA HIGH INPUT IMPEDANCE N-CHA
    2N5564 SOIC 8LLOW NOISE, MONOLITHIC DUAL, N-CH
    PN4391 TO-92 3LLOW NOISE, N-CHANNEL JFET SWITCH
    J109-D26ZJFET N-CH 25V 625MW TO92
    JFE150DCKTULTRA-LOW NOISE, LOW GATE CURREN
    LS320 SOT-23 3LBIFET AMPLIFIER - HIGH INPUT Z A
    MV2N4091UB/TRJFET
    MX2N4092UB/TRJFET
    2SK1069-5-TL-ELOW-FREQUENCY GENERAL-PURPOSE
    SST201 SOT-23 3LLOW NOISE, SINGLE, N-CHANNEL JFE

Мы рекомендуем

Все товары
Мы рекомендуем
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Симисторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    Тиристоры - SCR
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Высокочастотные диоды
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    IGBT транзисторы
    Триодные тиристоры - Модули
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - IGBT - модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды - ВЧ
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Модули драйверов питания
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Биполярные транзисторы
    Симисторы - Модули
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - Модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - JFET
    Принадлежности
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Драйверы питания - Модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды силовые
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диодные мосты
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - Специального назначения
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2025, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП