Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
APT100GT120JRDQ4
  • В избранное
  • В сравнение
APT100GT120JRDQ4

APT100GT120JRDQ4

APT100GT120JRDQ4
;
APT100GT120JRDQ4

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Microchip Technology
  • Артикул:
    APT100GT120JRDQ4
  • Описание:
    Транзистор: IGBT MOD 1200V 123A 570W ISOTOPВсе характеристики

Минимальная цена APT100GT120JRDQ4 при покупке от 1 шт 11743.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить APT100GT120JRDQ4 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание APT100GT120JRDQ4

APT100GT120JRDQ4 — это транзистор IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) с характеристиками:

  • Номинальное напряжение блокировки (VCEO): 1200 В
  • Номинальная токовая способность (ITO): 123 А
  • Мощность (PON): 570 Вт

Основные преимущества APT100GT120JRDQ4:

  • Высокая надежность благодаря интегрированной защите от перегрева и перенапряжения.
  • Эффективность при работе в высокочастотном режиме благодаря низкому коэффициенту тока провала.
  • Малый размер и легкость, что упрощает проектирование и монтаж.
  • Высокая скорость переключения, что позволяет экономить энергию.

Основные недостатки:

  • Высокая стоимость по сравнению с традиционными транзисторами.
  • Требуется дополнительное охлаждение при больших нагрузках.

Общее назначение: Используется для управления электрическими цепями в различных приложениях, где требуется высокая мощность и точный контроль тока. Основные области применения:

  • Промышленное оборудование, такие как приводы двигателей, станки и машины.
  • Автомобильная электроника, включая системы управления двигателем и зарядные устройства.
  • Системы солнечной энергии и других источников возобновляемой энергии.
  • Энергосберегающие устройства и системы управления потреблением энергии.
Выбрано: Показать

Характеристики APT100GT120JRDQ4

  • Package
    Tube
  • Тип IGBT
    NPT
  • Конфигурация
    Single
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    1200 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    123 A
  • Рассеивание мощности
    570 W
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    3.7V @ 15V, 100A
  • Обратный ток коллектора (Max)
    200 µA
  • Входная емкость (Cies) @ Vce
    7.85 nF @ 25 V
  • Вход
    Standard
  • NTC термистр
    No
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Chassis Mount
  • Корпус
    ISOTOP
  • Исполнение корпуса
    ISOTOP®
  • Base Product Number
    APT100

Техническая документация

 APT100GT120JRDQ4.pdf
pdf. 0 kb
  • 8 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    11 743 ₽
  • 100
    9 531 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Microchip Technology
  • Артикул:
    APT100GT120JRDQ4
  • Описание:
    Транзистор: IGBT MOD 1200V 123A 570W ISOTOPВсе характеристики

Минимальная цена APT100GT120JRDQ4 при покупке от 1 шт 11743.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить APT100GT120JRDQ4 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание APT100GT120JRDQ4

APT100GT120JRDQ4 — это транзистор IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) с характеристиками:

  • Номинальное напряжение блокировки (VCEO): 1200 В
  • Номинальная токовая способность (ITO): 123 А
  • Мощность (PON): 570 Вт

Основные преимущества APT100GT120JRDQ4:

  • Высокая надежность благодаря интегрированной защите от перегрева и перенапряжения.
  • Эффективность при работе в высокочастотном режиме благодаря низкому коэффициенту тока провала.
  • Малый размер и легкость, что упрощает проектирование и монтаж.
  • Высокая скорость переключения, что позволяет экономить энергию.

Основные недостатки:

  • Высокая стоимость по сравнению с традиционными транзисторами.
  • Требуется дополнительное охлаждение при больших нагрузках.

Общее назначение: Используется для управления электрическими цепями в различных приложениях, где требуется высокая мощность и точный контроль тока. Основные области применения:

  • Промышленное оборудование, такие как приводы двигателей, станки и машины.
  • Автомобильная электроника, включая системы управления двигателем и зарядные устройства.
  • Системы солнечной энергии и других источников возобновляемой энергии.
  • Энергосберегающие устройства и системы управления потреблением энергии.
Выбрано: Показать

Характеристики APT100GT120JRDQ4

  • Package
    Tube
  • Тип IGBT
    NPT
  • Конфигурация
    Single
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    1200 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    123 A
  • Рассеивание мощности
    570 W
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    3.7V @ 15V, 100A
  • Обратный ток коллектора (Max)
    200 µA
  • Входная емкость (Cies) @ Vce
    7.85 nF @ 25 V
  • Вход
    Standard
  • NTC термистр
    No
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Chassis Mount
  • Корпус
    ISOTOP
  • Исполнение корпуса
    ISOTOP®
  • Base Product Number
    APT100

Техническая документация

 APT100GT120JRDQ4.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    APTGT75DA60T1GТранзистор: IGBT MODULE 600V 100A 250W SP1
    7 650Кешбэк 1 147 баллов
    APT80GP60JТранзистор: IGBT MOD 600V 151A 462W ISOTOP
    7 868Кешбэк 1 180 баллов
    APT75GP120JDQ3Транзистор: IGBT MOD 1200V 128A 543W ISOTOP
    8 959Кешбэк 1 343 балла
    APT150GN120JТранзистор: IGBT MOD 1200V 215A 625W ISOTOP
    9 015Кешбэк 1 352 балла
    APT200GN60JDQ4Транзистор: IGBT MOD 600V 283A 682W ISOTOP
    9 033Кешбэк 1 354 балла
    APTGT50H60T3GТранзистор: IGBT MODULE 600V 80A 176W SP3
    10 626Кешбэк 1 593 балла
    APTGT50A120T1GТранзистор: IGBT MODULE 1200V 75A 277W SP1
    10 928Кешбэк 1 639 баллов
    APTGT50TL601GТранзистор: IGBT MODULE 600V 80A 176W SP1
    10 942Кешбэк 1 641 балл
    APT100GT120JRDQ4Транзистор: IGBT MOD 1200V 123A 570W ISOTOP
    11 743Кешбэк 1 761 балл
    APT150GN120JDQ4Транзистор: IGBT MOD 1200V 215A 625W ISOTOP
    12 948Кешбэк 1 942 балла
    APTGT50X60T3GТранзистор: IGBT MODULE 600V 80A 176W SP3
    13 806Кешбэк 2 070 баллов
    APTGT600SK60GТранзистор: IGBT MODULE 600V 700A 2300W SP6
    32 094Кешбэк 4 814 баллов
    APTGT200A120GТранзистор: IGBT MODULE 1200V 280A 890W SP6
    33 549Кешбэк 5 032 балла
    APTGT200DU120GТранзистор: IGBT MODULE 1200V 280A 890W SP6
    33 549Кешбэк 5 032 балла
    APTGT600A60GТранзистор: IGBT MODULE 600V 700A 2300W SP6
    47 619Кешбэк 7 142 балла
    APTGT600U170D4GТранзистор: IGBT MODULE 1700V 1100A 2900W D4
    54 047Кешбэк 8 107 баллов
    FMG2G50US60Транзистор: IGBT, 50A, 600V, N-CHANNEL
    6 176Кешбэк 926 баллов
    FMG1G50US60LТранзистор: IGBT, 50A, 600V, N-CHANNEL
    7 946Кешбэк 1 191 балл
    FMG1G75US60LТранзистор: IGBT, 75A, 600V, N-CHANNEL
    8 417Кешбэк 1 262 балла
    FMG1G100US60HТранзистор: IGBT, 100A, 600V, N-CHANNEL
    8 881Кешбэк 1 332 балла
    FMG1G100US60LТранзистор: IGBT, 100A, 600V, N-CHANNEL
    8 881Кешбэк 1 332 балла
    APT50GT120JU3Транзистор: IGBT MOD 1200V 75A 347W SOT227
    6 649Кешбэк 997 баллов
    FZ800R33KL2CNOSA1Транзистор: IGBT MOD 3300V 1500A 9800W
    222 493Кешбэк 33 373 балла
    APT35GP120JТранзистор: IGBT MOD 1200V 64A 284W ISOTOP
    8 320Кешбэк 1 248 баллов
    APT75GT120JU3Транзистор: IGBT MOD 1200V 100A 416W SOT227
    8 472Кешбэк 1 270 баллов
    CM200EXS-24SТранзистор: IGBT MOD 1200V 200A 1500W
    23 323Кешбэк 3 498 баллов
    CM200DU-12NFHТранзистор: IGBT MOD 600V 200A 590W
    27 514Кешбэк 4 127 баллов
    CM300DX-24SТранзистор: IGBT MOD 1200V 300A 2270W
    40 302Кешбэк 6 045 баллов
    CM450DY-24SТранзистор: IGBT MOD 1200V 410A 3330W
    60 605Кешбэк 9 090 баллов
    CM150RX-24SТранзистор: IGBT MOD 1200V 150A 1150W
    56 988Кешбэк 8 548 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы специального назначения
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Модули драйверов питания
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Полевые транзисторы - Сборки
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Модули драйверов питания
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Сборки биполярных транзисторов
    Биполярные транзисторы
    Транзисторные модули
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Модули триодных тиристоров
    Симисторы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Варикапы и Варакторы
    Одиночные IGBT транзисторы
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Диоды - ВЧ
    Диодные мосты
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Тиристоры - SCR
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды силовые
    IGBT транзисторы
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Высокочастотные диоды
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Транзисторы - IGBT - модули
    Одиночные биполярные транзисторы
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Одиночные триодные тиристоры
    Высокочастотные биполярные транзисторы
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП