APT200GN60J

APT200GN60J — это транзистор IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) с характеристиками:

• Максимальное напряжение: 600 В
• Максимальный ток: 283 А
• Мощность: 682 Вт
• Технология: ISOTOP (Integrated Silicon On Sapphire)

Плюсы:

• Высокая надежность благодаря использованию технологии ISOTOP.
• Концентрация тепла на поверхности, что улучшает теплоотвод.
• Эффективность при работе в режимах включения и выключения.
• Устойчивость к перегреву и коротким замыканиям.

Минусы:

• Высокая стоимость по сравнению с традиционными IGBT.
• Сложность проектирования системы охлаждения из-за специфического профиля температурного распределения.

Общее назначение: Используется для управления электрической энергией в различных приборах и системах, требующих высокой эффективности и надежности.

• Промышленное оборудование: Управление двигателями, преобразователи напряжения, инверторы.
• Автомобильная промышленность: Системы управления двигателем, преобразователи питания.
• Релейные устройства: Для управления электрическими цепями.
• Энергетика: В преобразователях напряжения и инверторах.