Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
APT45GP120J
  • В избранное
  • В сравнение
APT45GP120J

APT45GP120J

APT45GP120J
;
APT45GP120J

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Microchip Technology
  • Артикул:
    APT45GP120J
  • Описание:
    Транзистор: IGBT MOD 1200V 75A 329W ISOTOPВсе характеристики

Минимальная цена APT45GP120J при покупке от 1 шт 7814.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить APT45GP120J с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание APT45GP120J

APT45GP120J — это транзистор типа IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) с характеристиками:

  • Уровень напряжения: 1200В
  • Максимальный ток: 75А
  • Мощность: 329Вт
  • Технология: ISOTOP (Integrated Silicon On Trench Passivated)

Основные преимущества:

  • Высокая надежность: за счет технологии ISOTOP.
  • Эффективность: высокий КПД благодаря низкому внутреннему сопротивлению.
  • Устойчивость к перегрузкам: способен выдерживать внезапные нагрузки без повреждения.

Недостатки:

  • Стоимость: относительно высокая по сравнению с другими типами транзисторов.
  • Размер: относительно крупные размеры по сравнению с MOSFETами.

Общее назначение: Используется в различных приложениях, где требуется высокая мощность и надежность, такие как:

  • Инверторы питания
  • Промышленное оборудование
  • Автомобильная электроника
  • Системы управления двигателем

Выбрано: Показать

Характеристики APT45GP120J

  • Package
    Tube
  • Тип IGBT
    PT
  • Конфигурация
    Single
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    1200 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    75 A
  • Рассеивание мощности
    329 W
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    3.9V @ 15V, 45A
  • Обратный ток коллектора (Max)
    500 µA
  • Входная емкость (Cies) @ Vce
    3.94 nF @ 25 V
  • Вход
    Standard
  • NTC термистр
    No
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Chassis Mount
  • Корпус
    ISOTOP
  • Исполнение корпуса
    ISOTOP®
  • Base Product Number
    APT45GP120

Техническая документация

 APT45GP120J.pdf
pdf. 0 kb
  • 10 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    7 814 ₽
  • 100
    6 752 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Microchip Technology
  • Артикул:
    APT45GP120J
  • Описание:
    Транзистор: IGBT MOD 1200V 75A 329W ISOTOPВсе характеристики

Минимальная цена APT45GP120J при покупке от 1 шт 7814.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить APT45GP120J с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание APT45GP120J

APT45GP120J — это транзистор типа IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) с характеристиками:

  • Уровень напряжения: 1200В
  • Максимальный ток: 75А
  • Мощность: 329Вт
  • Технология: ISOTOP (Integrated Silicon On Trench Passivated)

Основные преимущества:

  • Высокая надежность: за счет технологии ISOTOP.
  • Эффективность: высокий КПД благодаря низкому внутреннему сопротивлению.
  • Устойчивость к перегрузкам: способен выдерживать внезапные нагрузки без повреждения.

Недостатки:

  • Стоимость: относительно высокая по сравнению с другими типами транзисторов.
  • Размер: относительно крупные размеры по сравнению с MOSFETами.

Общее назначение: Используется в различных приложениях, где требуется высокая мощность и надежность, такие как:

  • Инверторы питания
  • Промышленное оборудование
  • Автомобильная электроника
  • Системы управления двигателем

Выбрано: Показать

Характеристики APT45GP120J

  • Package
    Tube
  • Тип IGBT
    PT
  • Конфигурация
    Single
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    1200 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    75 A
  • Рассеивание мощности
    329 W
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    3.9V @ 15V, 45A
  • Обратный ток коллектора (Max)
    500 µA
  • Входная емкость (Cies) @ Vce
    3.94 nF @ 25 V
  • Вход
    Standard
  • NTC термистр
    No
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Chassis Mount
  • Корпус
    ISOTOP
  • Исполнение корпуса
    ISOTOP®
  • Base Product Number
    APT45GP120

Техническая документация

 APT45GP120J.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    APT85GR120JD60Транзистор: IGBT MOD 1200V 116A 543W SOT227
    7 186Кешбэк 1 077 баллов
    APT200GN60JТранзистор: IGBT MOD 600V 283A 682W ISOTOP
    7 240Кешбэк 1 086 баллов
    APT150GN60JDQ4Транзистор: IGBT MOD 600V 220A 536W ISOTOP
    7 604Кешбэк 1 140 баллов
    APT45GP120JТранзистор: IGBT MOD 1200V 75A 329W ISOTOP
    7 814Кешбэк 1 172 балла
    APTGT75DA60T1GТранзистор: IGBT MODULE 600V 100A 250W SP1
    7 833Кешбэк 1 174 балла
    APT80GP60JТранзистор: IGBT MOD 600V 151A 462W ISOTOP
    8 057Кешбэк 1 208 баллов
    APT75GP120JDQ3Транзистор: IGBT MOD 1200V 128A 543W ISOTOP
    9 174Кешбэк 1 376 баллов
    APT150GN120JТранзистор: IGBT MOD 1200V 215A 625W ISOTOP
    9 232Кешбэк 1 384 балла
    APT200GN60JDQ4Транзистор: IGBT MOD 600V 283A 682W ISOTOP
    9 250Кешбэк 1 387 баллов
    APTGT50H60T3GТранзистор: IGBT MODULE 600V 80A 176W SP3
    10 882Кешбэк 1 632 балла
    APTGT50A120T1GТранзистор: IGBT MODULE 1200V 75A 277W SP1
    11 191Кешбэк 1 678 баллов
    APTGT50TL601GТранзистор: IGBT MODULE 600V 80A 176W SP1
    11 205Кешбэк 1 680 баллов
    APT100GT120JRDQ4Транзистор: IGBT MOD 1200V 123A 570W ISOTOP
    12 025Кешбэк 1 803 балла
    APT150GN120JDQ4Транзистор: IGBT MOD 1200V 215A 625W ISOTOP
    13 259Кешбэк 1 988 баллов
    APTGT50X60T3GТранзистор: IGBT MODULE 600V 80A 176W SP3
    14 138Кешбэк 2 120 баллов
    APTGT600SK60GТранзистор: IGBT MODULE 600V 700A 2300W SP6
    32 865Кешбэк 4 929 баллов
    APTGT200A120GТранзистор: IGBT MODULE 1200V 280A 890W SP6
    34 355Кешбэк 5 153 балла
    APTGT200DU120GТранзистор: IGBT MODULE 1200V 280A 890W SP6
    34 355Кешбэк 5 153 балла
    APTGT600A60GТранзистор: IGBT MODULE 600V 700A 2300W SP6
    48 763Кешбэк 7 314 баллов
    APTGT600U170D4GТранзистор: IGBT MODULE 1700V 1100A 2900W D4
    55 346Кешбэк 8 301 балл
    FMG1G50US60LТранзистор: IGBT, 50A, 600V, N-CHANNEL
    8 137Кешбэк 1 220 баллов
    FMG1G75US60LТранзистор: IGBT, 75A, 600V, N-CHANNEL
    8 619Кешбэк 1 292 балла
    FMG1G100US60HТранзистор: IGBT, 100A, 600V, N-CHANNEL
    9 094Кешбэк 1 364 балла
    FMG1G100US60LТранзистор: IGBT, 100A, 600V, N-CHANNEL
    9 094Кешбэк 1 364 балла
    FZ800R33KL2CNOSA1Транзистор: IGBT MOD 3300V 1500A 9800W
    227 838Кешбэк 34 175 баллов
    APT35GP120JТранзистор: IGBT MOD 1200V 64A 284W ISOTOP
    8 520Кешбэк 1 278 баллов
    APT75GT120JU3Транзистор: IGBT MOD 1200V 100A 416W SOT227
    8 676Кешбэк 1 301 балл
    CM200EXS-24SТранзистор: IGBT MOD 1200V 200A 1500W
    23 884Кешбэк 3 582 балла
    CM200DU-12NFHТранзистор: IGBT MOD 600V 200A 590W
    28 175Кешбэк 4 226 баллов
    CM300DX-24SТранзистор: IGBT MOD 1200V 300A 2270W
    41 270Кешбэк 6 190 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диодные мосты - Модули
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Тиристоры - TRIACs
    Полевые транзисторы - Сборки
    Симисторы - Модули
    Модули триодных тиристоров
    Одиночные триодные тиристоры
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диодные мосты
    Симисторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Высокочастотные диоды
    Диоды силовые
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Модули драйверов питания
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    IGBT транзисторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы специального назначения
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторные модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Тиристоры - SCR
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Одиночные биполярные транзисторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды - ВЧ
    Сборки биполярных транзисторов
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - JFET
    Модули драйверов питания
    Одиночные IGBT транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП