Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
APT85GR120J
  • В избранное
  • В сравнение
APT85GR120J

APT85GR120J

APT85GR120J
;
APT85GR120J

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Microchip Technology
  • Артикул:
    APT85GR120J
  • Описание:
    Транзистор: IGBT MOD 1200V 116A 543W SOT227Все характеристики

Минимальная цена APT85GR120J при покупке от 1 шт 5912.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить APT85GR120J с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание APT85GR120J

APT85GR120J Microchip Technology Транзистор: IGBT MOD 1200V 116A 543W SOT227

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение блокировки (UD(ON)) - 1200В
    • Номинальная токовая характеристика (ITO) - 116А
    • Мощность при номинальном токе (PN) - 543Вт
    • Форма пакета - SOT227
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Устойчивость к перегреву
    • Уменьшение энергопотерь благодаря низкому коэффициенту вольт-амперного сопротивления
    • Простота в управлении
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с другими типами транзисторов
    • Требуется дополнительное охлаждение для эффективной работы
    • Затрудненность в ремонте из-за сложной конструкции
  • Общее назначение:
    • Использование в промышленных и бытовых электронаушинствах
    • В системах управления двигателей
    • Для преобразования переменного тока в постоянный (в целом для применения в источниках питания)
    • В системах управления тепловыми процессами
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы управления двигателем
    • Промышленные инверторы
    • Системы управления тепловыми процессами
    • Большие источники питания
    • Системы управления переменными частотами
Выбрано: Показать

Характеристики APT85GR120J

  • Тип IGBT
    NPT
  • Конфигурация
    Single
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    1200 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    116 A
  • Рассеивание мощности
    543 W
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    3.2V @ 15V, 85A
  • Обратный ток коллектора (Max)
    1 mA
  • Входная емкость (Cies) @ Vce
    8.4 nF @ 25 V
  • Вход
    Standard
  • NTC термистр
    No
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Chassis Mount
  • Корпус
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Исполнение корпуса
    SOT-227
  • Base Product Number
    APT85GR120

Техническая документация

 APT85GR120J.pdf
pdf. 0 kb
  • 14 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    5 912 ₽
  • 100
    5 106 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Microchip Technology
  • Артикул:
    APT85GR120J
  • Описание:
    Транзистор: IGBT MOD 1200V 116A 543W SOT227Все характеристики

Минимальная цена APT85GR120J при покупке от 1 шт 5912.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить APT85GR120J с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание APT85GR120J

APT85GR120J Microchip Technology Транзистор: IGBT MOD 1200V 116A 543W SOT227

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение блокировки (UD(ON)) - 1200В
    • Номинальная токовая характеристика (ITO) - 116А
    • Мощность при номинальном токе (PN) - 543Вт
    • Форма пакета - SOT227
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Устойчивость к перегреву
    • Уменьшение энергопотерь благодаря низкому коэффициенту вольт-амперного сопротивления
    • Простота в управлении
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с другими типами транзисторов
    • Требуется дополнительное охлаждение для эффективной работы
    • Затрудненность в ремонте из-за сложной конструкции
  • Общее назначение:
    • Использование в промышленных и бытовых электронаушинствах
    • В системах управления двигателей
    • Для преобразования переменного тока в постоянный (в целом для применения в источниках питания)
    • В системах управления тепловыми процессами
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы управления двигателем
    • Промышленные инверторы
    • Системы управления тепловыми процессами
    • Большие источники питания
    • Системы управления переменными частотами
Выбрано: Показать

Характеристики APT85GR120J

  • Тип IGBT
    NPT
  • Конфигурация
    Single
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    1200 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    116 A
  • Рассеивание мощности
    543 W
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    3.2V @ 15V, 85A
  • Обратный ток коллектора (Max)
    1 mA
  • Входная емкость (Cies) @ Vce
    8.4 nF @ 25 V
  • Вход
    Standard
  • NTC термистр
    No
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Chassis Mount
  • Корпус
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Исполнение корпуса
    SOT-227
  • Base Product Number
    APT85GR120

Техническая документация

 APT85GR120J.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    APT200GN60JDQ4Транзистор: IGBT MOD 600V 283A 682W ISOTOP
    8 809Кешбэк 1 321 балл
    APTGT200DU120GТранзистор: IGBT MODULE 1200V 280A 890W SP6
    32 720Кешбэк 4 908 баллов
    APT80GP60JТранзистор: IGBT MOD 600V 151A 462W ISOTOP
    7 674Кешбэк 1 151 балл
    APT85GR120JD60Транзистор: IGBT MOD 1200V 116A 543W SOT227
    6 844Кешбэк 1 026 баллов
    APTGT50TL601GТранзистор: IGBT MODULE 600V 80A 176W SP1
    10 671Кешбэк 1 600 баллов
    FMG2G50US60Транзистор: IGBT, 50A, 600V, N-CHANNEL
    6 023Кешбэк 903 балла
    FMG1G75US60HТранзистор: IGBT, 75A, 600V, N-CHANNEL
    6 831Кешбэк 1 024 балла
    FMG1G100US60HТранзистор: IGBT, 100A, 600V, N-CHANNEL
    8 661Кешбэк 1 299 баллов
    FMG1G75US60LТранзистор: IGBT, 75A, 600V, N-CHANNEL
    8 209Кешбэк 1 231 балл
    FMG1G50US60LТранзистор: IGBT, 50A, 600V, N-CHANNEL
    7 750Кешбэк 1 162 балла
    FMG1G50US60HТранзистор: IGBT, 50A, 600V, N-CHANNEL
    6 449Кешбэк 967 баллов
    FMG1G100US60LТранзистор: IGBT, 100A, 600V, N-CHANNEL
    8 661Кешбэк 1 299 баллов
    FMG2G75US120Транзистор: IGBT, 75A, 1200V, N-CHANNEL
    10 586Кешбэк 1 587 баллов
    FMG2G400US60Транзистор: IGBT, 400A, 600V, N-CHANNEL
    21 850Кешбэк 3 277 баллов
    APTGT50DDA120T3GТранзистор: IGBT MODULE 1200V 75A 270W SP3
    18 355Кешбэк 2 753 балла
    APT70GR120JТранзистор: IGBT MOD 1200V 112A 543W SOT227
    7 516Кешбэк 1 127 баллов
    APTGT75A60T1GТранзистор: IGBT MODULE 600V 100A 250W SP1
    15 249Кешбэк 2 287 баллов
    APT65GP60JТранзистор: IGBT MOD 600V 130A 431W ISOTOP
    9 978Кешбэк 1 496 баллов
    CPV364M4UIGBT MODULE 600V 20A 63W IMS-2
    32 616Кешбэк 4 892 балла
    FZ800R33KL2CNOSA1Транзистор: IGBT MOD 3300V 1500A 9800W
    216 995Кешбэк 32 549 баллов
    MG12300D-BN2MMТранзистор: IGBT MODULE 1200V 480A 1450W D3
    34 943Кешбэк 5 241 балл
    APT75GT120JU3Транзистор: IGBT MOD 1200V 100A 416W SOT227
    8 263Кешбэк 1 239 баллов
    CM450DY-24SТранзистор: IGBT MOD 1200V 410A 3330W
    59 107Кешбэк 8 866 баллов
    CM200DU-12NFHТранзистор: IGBT MOD 600V 200A 590W
    26 834Кешбэк 4 025 баллов
    CM300DX-24SТранзистор: IGBT MOD 1200V 300A 2270W
    39 306Кешбэк 5 895 баллов
    CM200EXS-24SТранзистор: IGBT MOD 1200V 200A 1500W
    22 747Кешбэк 3 412 баллов
    VS-GB70NA60UFТранзистор: IGBT MOD 600V 111A 447W SOT227
    3 807Кешбэк 571 балл
    VS-CPV362M4UPBFТранзистор: IGBT MODULE 600V 7.2A 23W IMS-2
    8 893Кешбэк 1 333 балла
    VS-GT100NA120UXТранзистор: IGBT MOD 1200V 134A 463W SOT227
    11 116Кешбэк 1 667 баллов
    VS-CPV363M4FPBFТранзистор: IGBT MODULE 600V 3PHASE IMS-2
    6 020Кешбэк 903 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Симисторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Драйверы питания - Модули
    Принадлежности
    Транзисторы - JFET
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Модули драйверов питания
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - Модули
    Диоды - ВЧ
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    IGBT транзисторы
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды силовые
    Тиристоры - TRIACs
    Тиристоры - SCR
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Триодные тиристоры - Модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - IGBT - модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Симисторы - Модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диодные мосты
    Диодные мосты - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - Специального назначения
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП