Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Высокочастотные полевые транзисторы
BLF2425M9L30U
  • В избранное
  • В сравнение
BLF2425M9L30U

BLF2425M9L30U

BLF2425M9L30U
;
BLF2425M9L30U

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Ampleon USA Inc.
  • Артикул:
    BLF2425M9L30U
  • Описание:
    Транзистор: RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT1135AВсе характеристики

Минимальная цена BLF2425M9L30U при покупке от 1 шт 29602.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BLF2425M9L30U с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BLF2425M9L30U

BLF2425M9L30U Ampleon USA Inc. Транзистор: RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT1135A

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 65В
    • Динамический диапазон: 18.5 дБ
    • Форм-фактор: SOT1135A
  • Плюсы:
    • Высокая мощность передачи
    • Стабильная работа в широком диапазоне температур
    • Компактный размер
    • Эффективность в радиочастотном диапазоне
  • Минусы:
    • Высокие требования к охлаждению
    • Стоимость выше, чем у некоторых других типов транзисторов
  • Общее назначение:
    • Использование в радиоприемниках и передающих устройствах
    • Радиостанциях и системах связи
    • Телевизионных трансляционных станциях
  • В каких устройствах применяется:
    • Мобильные телефоны и смартфоны
    • Сотовые базовые станции
    • Телевизионные трансляционные станции
    • Промышленные радиосистемы
Выбрано: Показать

Характеристики BLF2425M9L30U

  • Тип транзистора
    LDMOS
  • Частота
    2.45GHz
  • Усиление
    18.5dB
  • Тестовое напряжение
    32 V
  • Тестовый ток
    20 mA
  • Мощность передачи
    30W
  • Нормальное напряжение
    65 V
  • Корпус
    SOT-1135A
  • Исполнение корпуса
    CDFM2
  • Base Product Number
    BLF2425

Техническая документация

 BLF2425M9L30U.pdf
pdf. 0 kb
  • 177 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    29 602 ₽
  • 20
    24 446 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Ampleon USA Inc.
  • Артикул:
    BLF2425M9L30U
  • Описание:
    Транзистор: RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT1135AВсе характеристики

Минимальная цена BLF2425M9L30U при покупке от 1 шт 29602.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BLF2425M9L30U с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание BLF2425M9L30U

BLF2425M9L30U Ampleon USA Inc. Транзистор: RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT1135A

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 65В
    • Динамический диапазон: 18.5 дБ
    • Форм-фактор: SOT1135A
  • Плюсы:
    • Высокая мощность передачи
    • Стабильная работа в широком диапазоне температур
    • Компактный размер
    • Эффективность в радиочастотном диапазоне
  • Минусы:
    • Высокие требования к охлаждению
    • Стоимость выше, чем у некоторых других типов транзисторов
  • Общее назначение:
    • Использование в радиоприемниках и передающих устройствах
    • Радиостанциях и системах связи
    • Телевизионных трансляционных станциях
  • В каких устройствах применяется:
    • Мобильные телефоны и смартфоны
    • Сотовые базовые станции
    • Телевизионные трансляционные станции
    • Промышленные радиосистемы
Выбрано: Показать

Характеристики BLF2425M9L30U

  • Тип транзистора
    LDMOS
  • Частота
    2.45GHz
  • Усиление
    18.5dB
  • Тестовое напряжение
    32 V
  • Тестовый ток
    20 mA
  • Мощность передачи
    30W
  • Нормальное напряжение
    65 V
  • Корпус
    SOT-1135A
  • Исполнение корпуса
    CDFM2
  • Base Product Number
    BLF2425

Техническая документация

 BLF2425M9L30U.pdf
pdf. 0 kb
Доставка

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    ARF461BGТранзистор: RF MOSFET N-CH 1000V TO247
    11 815Кешбэк 1 772 балла
    VRF141Транзистор: MOSFET RF PWR N-CH 28V 150W M174
    12 038Кешбэк 1 805 баллов
    ARF465BGТранзистор: RF PWR MOSFET 1200V 6A TO-247
    12 333Кешбэк 1 849 баллов
    ARF465AGТранзистор: RF PWR MOSFET 1200V 6A TO-247
    12 333Кешбэк 1 849 баллов
    VRF150Транзистор: RF MOSFET N-CHANNEL 50V M174
    13 662Кешбэк 2 049 баллов
    VRF151Транзистор: MOSFET RF PWR N-CH 50V 150W M174
    13 991Кешбэк 2 098 баллов
    VRF152Транзистор: MOSFET RF PWR N-CH 50V 150W M174
    20 984Кешбэк 3 147 баллов
    ARF475FLТранзистор: RF PWR MOSFET 500V 10A
    30 007Кешбэк 4 501 балл
    ARF476FLТранзистор: RF FET N CH 500V 10A PSH PUL PR
    31 599Кешбэк 4 739 баллов
    VRF2944Транзистор: MOSF RF N CH 170V 50A M177
    32 204Кешбэк 4 830 баллов
    VRF2933Транзистор: MOSFET RF PWR N-CH 50V 300W M177
    32 908Кешбэк 4 936 баллов
    VRF151GТранзистор: MOSFET RF PWR N-CH 50V 300W M208
    34 829Кешбэк 5 224 балла
    ARF1501Транзистор: MOSFET RF N-CH 1000V 30A T1
    56 882Кешбэк 8 532 балла
    ARF1500Транзистор: MOSFET RF N-CH 500V 60A T1
    61 997Кешбэк 9 299 баллов
    VRF154FLТранзистор: MOSFET RF PWR N-CH 50V 600W T2
    86 183Кешбэк 12 927 баллов
    ATF-34143-TR1GFET RF 5.5V 2GHZ SOT-343
    2 334Кешбэк 350 баллов
    SKY65050-372LFТранзистор: IC PHEMT 2.4GHZ 70MA LN SC70-4
    591Кешбэк 88 баллов
    MMBFJ309LT1GТранзистор: RF MOSFET N-CH JFET SOT23-3
    46Кешбэк 6 баллов
    2SK209-GR(TE85L,F)Тиристор: TRANS SJT N-CH 10MA SC59
    103Кешбэк 15 баллов
    2SK209-Y(TE85L,F)MOSFET N-CH 10V 14MA SC59
    124Кешбэк 18 баллов
    2SK209-BL(TE85L,F)Транзистор: TRANS SJT N-CH 10MA SC59
    124Кешбэк 18 баллов
    RFM01U7P(TE12L,F)Транзистор: MOSFET N-CH PW-MINI
    708Кешбэк 106 баллов
    RFM04U6P(TE12L,F)Транзистор: MOSFET N-CH PW-MINI
    800Кешбэк 120 баллов
    BF904AR,215Транзистор: MOSFET N-CH 7V 30MA SOT143
    50Кешбэк 7 баллов
    BF1202WR,135Транзистор: MOSFET N-CH DUAL GATE 4DFP
    56Кешбэк 8 баллов
    BF1201WR,115Транзистор: MOSFET 2N-CH 10V 30MA SOT343R
    56Кешбэк 8 баллов
    BF1100WR,115Транзистор: MOSFET N-CH 14V 30MA SOT343R
    56Кешбэк 8 баллов
    BF1100R,215Транзистор: MOSFET N-CH 14V 30MA SOT143
    56Кешбэк 8 баллов
    BF1109WR,115Транзистор: MOSFET N-CH 11V 30MA CMPAK-4
    56Кешбэк 8 баллов
    BF1202R,215Транзистор: MOSFET 2N-CH 10V 30MA SOT143R
    56Кешбэк 8 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    IGBT транзисторы
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Одиночные биполярные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Модули драйверов питания
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диодные мосты
    Транзисторы - JFET
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды силовые
    Транзисторы специального назначения
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Полевые транзисторы - Модули
    Модули триодных тиристоров
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Сборки биполярных транзисторов
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды - выпрямители - массивы
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Одиночные IGBT транзисторы
    Тиристоры - SCR
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Варикапы и Варакторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Симисторы - Модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Одиночные триодные тиристоры
    Высокочастотные диоды
    Полевые транзисторы - Сборки
    Симисторы
    Транзисторные модули
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Биполярные транзисторы
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Высокочастотные биполярные транзисторы
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП