Вход/Регистрация
ARF461BGТранзистор: RF MOSFET N-CH 1000V TO247
BLF6G27-75,112
BLF6G27-75,112
- Производитель:Ampleon USA Inc.
- Артикул:BLF6G27-75,112
- Описание:Транзистор: RF FET LDMOS 65V SOT502AВсе характеристики
Минимальная цена BLF6G27-75,112 при покупке от 3 шт 21496.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BLF6G27-75,112 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.
- 4 шт3-6 недель
Минимально и кратно 3 шт
- КоличествоЦена
- 321 496 ₽
Кешбэк 1 балл
Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену
- Производитель:Ampleon USA Inc.
- Артикул:BLF6G27-75,112
- Описание:Транзистор: RF FET LDMOS 65V SOT502AВсе характеристики
Минимальная цена BLF6G27-75,112 при покупке от 3 шт 21496.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BLF6G27-75,112 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.
Описание BLF6G27-75,112
BLF6G27-75,112 NXP USA Inc. Транзистор: RF FET LDMOS 65V SOT502A
- Основные параметры:
- Номинальное напряжение: 65В
- Тип: RF FET LDMOS
- Форм-фактор: SOT502A
- Плюсы:
- Высокая мощность
- Высокое качество сигнала
- Устойчивость к шуму
- Высокая надежность
- Малый размер
- Минусы:
- Высокая стоимость
- Требует специализированной техники для монтажа
- Общее назначение:
- Использование в радиосвязи и передаче данных
- Радиоэлектронная аппаратура
- Мобильные телефоны и базовые станции
- Телевидение и спутниковая связь
- Применяется в:
- Базовых станциях мобильной связи
- Телевизионных передатчиках
- Глобальных навигационных системах (GPS)
- Системах беспроводной связи
Выбрано: Показать
Характеристики BLF6G27-75,112
Техническая документация
BLF6G27-75,112.pdf pdf. 0 kb
Минимально и кратно 3 шт