BLF7G20LS-200,118

BLF7G20LS-200,118 Ampleon USA Inc.

• Тип: RF FET LDMOS (силовой полупроводниковый транзистор)
• Номинальное напряжение: 65В
• Уровень выходной мощности: 18дБ
• Форм-фактор: SOT502B

Основные параметры:

• Частота: до 7 ГГц
• Эффективная площадь канала: 200,118 мм²
• Технология: LDMOS (Laterally Diffused Metal-Oxide-Semiconductor)

Плюсы:

• Высокая мощность выхода
• Устойчивость к перегрузкам
• Высокая надежность
• Малое количество внешних компонентов

Минусы:

• Высокие требования к охлаждению
• Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов

Общее назначение:

• Использование в радиочастотных устройствах
• Аmplification и усилительные блоки для телекоммуникационного оборудования
• Блоки питания для радиостанций и систем связи
• Системы спутниковой связи

Применение:

• Радиоуправляемые модели и системы управления
• Телевизионные трансляционные станции
• Мобильные радиостанции
• Системы спутниковой связи