Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
CP15TD1-24A
  • В избранное
  • В сравнение
CP15TD1-24A

CP15TD1-24A

CP15TD1-24A
  • Производитель:
    MITSUBISH
  • Артикул:
    CP15TD1-24A
  • Описание:
    Транзистор: IGBT MODULE 1200V 15A 113WВсе характеристики

Минимальная цена CP15TD1-24A при покупке от 1 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить CP15TD1-24A с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание CP15TD1-24A

CP15TD1-24A MITSUBISH IGBT MODULE 1200V 15A 113W

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 1200В
    • Номинальный ток: 15А
    • Потребляемая мощность: 113Вт
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Эффективность работы
    • Малый размер и легкость
    • Устойчивость к перегрузкам
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов
    • Требует специального охлаждения при высоких нагрузках
  • Общее назначение:
    • Контроль и управление электрическими цепями
    • Регулирование напряжения и тока
    • Изменение частоты тока
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы управления двигателем
    • Системы привода двигателей
    • Инверторы для промышленного оборудования
    • Солнечные панели и системы хранения энергии
    • Бытовые приборы с высоким потреблением энергии
Выбрано: Показать

Характеристики CP15TD1-24A

  • Конфигурация
    Three Phase Inverter with Brake
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    1200 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    15 A
  • Рассеивание мощности
    113 W
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    2.5V @ 15V, 15A
  • Обратный ток коллектора (Max)
    1 mA
  • Входная емкость (Cies) @ Vce
    3.24 nF @ 10 V
  • Вход
    Three Phase Bridge Rectifier
  • NTC термистр
    Yes
  • Рабочая температура
    -20°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    26-DIP Module

Техническая документация

 CP15TD1-24A.pdf
pdf. 0 kb
  • Под заказ

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    MITSUBISH
  • Артикул:
    CP15TD1-24A
  • Описание:
    Транзистор: IGBT MODULE 1200V 15A 113WВсе характеристики

Минимальная цена CP15TD1-24A при покупке от 1 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить CP15TD1-24A с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание CP15TD1-24A

CP15TD1-24A MITSUBISH IGBT MODULE 1200V 15A 113W

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 1200В
    • Номинальный ток: 15А
    • Потребляемая мощность: 113Вт
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Эффективность работы
    • Малый размер и легкость
    • Устойчивость к перегрузкам
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов
    • Требует специального охлаждения при высоких нагрузках
  • Общее назначение:
    • Контроль и управление электрическими цепями
    • Регулирование напряжения и тока
    • Изменение частоты тока
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы управления двигателем
    • Системы привода двигателей
    • Инверторы для промышленного оборудования
    • Солнечные панели и системы хранения энергии
    • Бытовые приборы с высоким потреблением энергии
Выбрано: Показать

Характеристики CP15TD1-24A

  • Конфигурация
    Three Phase Inverter with Brake
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    1200 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    15 A
  • Рассеивание мощности
    113 W
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    2.5V @ 15V, 15A
  • Обратный ток коллектора (Max)
    1 mA
  • Входная емкость (Cies) @ Vce
    3.24 nF @ 10 V
  • Вход
    Three Phase Bridge Rectifier
  • NTC термистр
    Yes
  • Рабочая температура
    -20°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    26-DIP Module

Техническая документация

 CP15TD1-24A.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    APT85GR120JТранзистор: IGBT MOD 1200V 116A 543W SOT227
    6 207Кешбэк 931 балл
    APT100GT120JU2Транзистор: IGBT MOD 1200V 140A 480W SOT227
    6 521Кешбэк 978 баллов
    APT100GN120JТранзистор: IGBT MOD 1200V 153A 446W ISOTOP
    6 849Кешбэк 1 027 баллов
    APT85GR120JD60Транзистор: IGBT MOD 1200V 116A 543W SOT227
    7 186Кешбэк 1 077 баллов
    APT200GN60JТранзистор: IGBT MOD 600V 283A 682W ISOTOP
    7 240Кешбэк 1 086 баллов
    APT150GN60JDQ4Транзистор: IGBT MOD 600V 220A 536W ISOTOP
    7 604Кешбэк 1 140 баллов
    APT45GP120JТранзистор: IGBT MOD 1200V 75A 329W ISOTOP
    7 814Кешбэк 1 172 балла
    APTGT75DA60T1GТранзистор: IGBT MODULE 600V 100A 250W SP1
    7 833Кешбэк 1 174 балла
    APT80GP60JТранзистор: IGBT MOD 600V 151A 462W ISOTOP
    8 057Кешбэк 1 208 баллов
    APT75GP120JDQ3Транзистор: IGBT MOD 1200V 128A 543W ISOTOP
    9 174Кешбэк 1 376 баллов
    APT150GN120JТранзистор: IGBT MOD 1200V 215A 625W ISOTOP
    9 232Кешбэк 1 384 балла
    APT200GN60JDQ4Транзистор: IGBT MOD 600V 283A 682W ISOTOP
    9 250Кешбэк 1 387 баллов
    APTGT50H60T3GТранзистор: IGBT MODULE 600V 80A 176W SP3
    10 882Кешбэк 1 632 балла
    APTGT50A120T1GТранзистор: IGBT MODULE 1200V 75A 277W SP1
    11 191Кешбэк 1 678 баллов
    APTGT50TL601GТранзистор: IGBT MODULE 600V 80A 176W SP1
    11 205Кешбэк 1 680 баллов
    APT100GT120JRDQ4Транзистор: IGBT MOD 1200V 123A 570W ISOTOP
    12 025Кешбэк 1 803 балла
    APT150GN120JDQ4Транзистор: IGBT MOD 1200V 215A 625W ISOTOP
    13 259Кешбэк 1 988 баллов
    APTGT50X60T3GТранзистор: IGBT MODULE 600V 80A 176W SP3
    14 138Кешбэк 2 120 баллов
    APTGT600SK60GТранзистор: IGBT MODULE 600V 700A 2300W SP6
    32 865Кешбэк 4 929 баллов
    APTGT200A120GТранзистор: IGBT MODULE 1200V 280A 890W SP6
    34 355Кешбэк 5 153 балла
    APTGT200DU120GТранзистор: IGBT MODULE 1200V 280A 890W SP6
    34 355Кешбэк 5 153 балла
    APTGT600A60GТранзистор: IGBT MODULE 600V 700A 2300W SP6
    48 763Кешбэк 7 314 баллов
    APTGT600U170D4GТранзистор: IGBT MODULE 1700V 1100A 2900W D4
    55 346Кешбэк 8 301 балл
    FMG1G50US60LТранзистор: IGBT, 50A, 600V, N-CHANNEL
    8 137Кешбэк 1 220 баллов
    FMG1G75US60LТранзистор: IGBT, 75A, 600V, N-CHANNEL
    8 619Кешбэк 1 292 балла
    FMG1G100US60HТранзистор: IGBT, 100A, 600V, N-CHANNEL
    9 094Кешбэк 1 364 балла
    FMG1G100US60LТранзистор: IGBT, 100A, 600V, N-CHANNEL
    9 094Кешбэк 1 364 балла
    FZ800R33KL2CNOSA1Транзистор: IGBT MOD 3300V 1500A 9800W
    227 838Кешбэк 34 175 баллов
    APT35GP120JТранзистор: IGBT MOD 1200V 64A 284W ISOTOP
    8 520Кешбэк 1 278 баллов
    APT75GT120JU3Транзистор: IGBT MOD 1200V 100A 416W SOT227
    8 676Кешбэк 1 301 балл

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Модули драйверов питания
    Диоды - ВЧ
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Варикапы и Варакторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторные модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Одиночные триодные тиристоры
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Одиночные биполярные транзисторы
    Диоды силовые
    Модули триодных тиристоров
    Полевые транзисторы - Модули
    Симисторы
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    IGBT транзисторы
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Тиристоры - SCR - модули
    Высокочастотные диоды
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Тиристоры - TRIACs
    Биполярные транзисторы
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диодные мосты
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диодные мосты - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Модули драйверов питания
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы специального назначения
    Одиночные IGBT транзисторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Сборки биполярных транзисторов
    Транзисторы - IGBT - модули
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП