Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
IXDN75N120
IXDN75N120

IXDN75N120

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    IXYS
  • Артикул:
    IXDN75N120
  • Описание:
    Транзистор: IGBT MOD 1200V 150A 660W SOT227BВсе характеристики

Минимальная цена IXDN75N120 при покупке от 1 шт 9020 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IXDN75N120 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики IXDN75N120

  • Тип IGBT
    NPT
  • Конфигурация
    Single
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    1200 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    150 A
  • Рассеивание мощности
    660 W
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    2.7V @ 15V, 75A
  • Обратный ток коллектора (Max)
    4 mA
  • Входная емкость (Cies) @ Vce
    5.5 nF @ 25 V
  • Вход
    Standard
  • NTC термистр
    No
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Chassis Mount
  • Корпус
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Исполнение корпуса
    SOT-227B
  • Base Product Number
    IXDN75
Техническая документация
 1020417.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • 320 шт
    5-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    9 020 ₽
  • 10
    6 791 ₽
  • 100
    6 325 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
получить кешбэк баллы

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    IXYS
  • Артикул:
    IXDN75N120
  • Описание:
    Транзистор: IGBT MOD 1200V 150A 660W SOT227BВсе характеристики

Минимальная цена IXDN75N120 при покупке от 1 шт 9020 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IXDN75N120 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики IXDN75N120

  • Тип IGBT
    NPT
  • Конфигурация
    Single
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    1200 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    150 A
  • Рассеивание мощности
    660 W
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    2.7V @ 15V, 75A
  • Обратный ток коллектора (Max)
    4 mA
  • Входная емкость (Cies) @ Vce
    5.5 nF @ 25 V
  • Вход
    Standard
  • NTC термистр
    No
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Chassis Mount
  • Корпус
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Исполнение корпуса
    SOT-227B
  • Base Product Number
    IXDN75
Техническая документация
 1020417.pdf
pdf. 0 kb
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Вакансии
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2025, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП