Вход/Регистрация
FMG1G75US60HТранзистор: IGBT, 75A, 600V, N-CHANNEL
Минимальная цена VS-GB70NA60UF при покупке от 2 шт 3807.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить VS-GB70NA60UF с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.
Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену
Минимальная цена VS-GB70NA60UF при покупке от 2 шт 3807.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить VS-GB70NA60UF с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.
Основные параметры: Напряжение коллектор-эмиттер (Vces) 600 В, ток коллектора (Ic) 111 А, рассеиваемая мощность (Pd) 447 Вт, корпус SOT227.
Плюсы: Высокий ток и напряжение, высокая мощность, подходит для жестких условий эксплуатации, относительно простое управление.
Минусы: Может быть подвержен влиянию паразитных индуктивностей, требует радиатора для отвода тепла при больших токах, сравнительно медленное переключение по сравнению с MOSFET.
Общее назначение: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) – это полупроводниковый прибор, сочетающий в себе преимущества биполярных транзисторов и полевых транзисторов. Используется как ключ или усилитель мощности.
Применяется в: Импульсных источниках питания, инверторах, сварочных аппаратах, электроприводах, системах бесперебойного питания (UPS), электромобилях, системах управления двигателями, промышленном оборудовании.
VS-GB70NA60UF.pdf 