Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
2N5639

2N5639

2N5639
;
2N5639

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена 2N5639 при покупке от 649 шт 85.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить 2N5639 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание 2N5639

2N5639 Fairchild Semiconductor SMALL SIGNAL FET

  • Основные параметры:
    • Максимальное напряжение Vds: 20 В
    • Максимальный ток Id: 100 мА
    • Резистанция дrain-source Rdson: до 45 Ом при Vgs = -4 В
    • Тип: Неблокирующий N-channel MOSFET
  • Плюсы:
    • Высокая скорость включения/выключения
    • Низкий ток утечки при отключенном канале
    • Устойчивость к обратному напряжению
  • Минусы:
    • Высокие потери при больших токах
    • Требует дополнительного балансирования напряжения Vgs для достижения максимальных характеристик
  • Общее назначение:
    • Измерительные устройства
    • Цифровые системы управления
    • Беспроводные устройства
    • Микросхемы
  • В каких устройствах применяется:
    • Мобильные телефоны
    • Передатчики и приемники радиосигналов
    • Автомобильные системы
    • Измерительная и контрольно-измерительная техника
Выбрано: Показать

Характеристики 2N5639

Техническая документация

2N5639.pdf
pdf. 0 kb
  • 21835 шт
    3-6 недель
Минимально и кратно 649 шт
  • Количество
    Цена
  • 649
    85 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена 2N5639 при покупке от 649 шт 85.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить 2N5639 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание 2N5639

2N5639 Fairchild Semiconductor SMALL SIGNAL FET

  • Основные параметры:
    • Максимальное напряжение Vds: 20 В
    • Максимальный ток Id: 100 мА
    • Резистанция дrain-source Rdson: до 45 Ом при Vgs = -4 В
    • Тип: Неблокирующий N-channel MOSFET
  • Плюсы:
    • Высокая скорость включения/выключения
    • Низкий ток утечки при отключенном канале
    • Устойчивость к обратному напряжению
  • Минусы:
    • Высокие потери при больших токах
    • Требует дополнительного балансирования напряжения Vgs для достижения максимальных характеристик
  • Общее назначение:
    • Измерительные устройства
    • Цифровые системы управления
    • Беспроводные устройства
    • Микросхемы
  • В каких устройствах применяется:
    • Мобильные телефоны
    • Передатчики и приемники радиосигналов
    • Автомобильные системы
    • Измерительная и контрольно-измерительная техника
Выбрано: Показать

Характеристики 2N5639

Техническая документация

2N5639.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
Минимально и кратно 649 шт