Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
 Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
2SK208-O(TE85L,F)
  • В избранное
  • В сравнение
2SK208-O(TE85L,F)

2SK208-O(TE85L,F)

2SK208-O(TE85L,F)
;
2SK208-O(TE85L,F)

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    TOSHIBA
  • Артикул:
    2SK208-O(TE85L,F)
  • Описание:
    JFET N-CH 50V SC59Все характеристики

Минимальная цена 2SK208-O(TE85L,F) при покупке от 1 шт 109.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить 2SK208-O(TE85L,F) с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание 2SK208-O(TE85L,F)

2SK208-O(TE85L,F) TOSHIBA JFET N-CH 50V SC59

  • Тип: JFET (Junction Field-Effect Transistor)
  • Ток носителя: N-канальный
  • Напряжение блокировки: 50В
  • Сопротивление: SC59

Основные параметры:

  • VGS(th): 1.5 - 3.5В (напряжение перехода)
  • I_D(max): 400мА (максимальный ток дrain)
  • R_DS(on): 10 - 20Ω (сопротивление между drain и source при VGS = VGS(th))

Плюсы:

  • Малый ток утечки
  • Высокая стабильность характеристик
  • Низкий уровень шума
  • Компактность

Минусы:

  • Высокое сопротивление при низких напряжениях
  • Необходимость использования отдельного питания для VGS
  • Невозможность работы в режиме биполярного транзистора

Общее назначение:

  • Управление током в различных электронных цепях
  • Изоляция сигналов
  • Фильтрация высокочастотных помех

Применение в устройствах:

  • Радиоприемники
  • Микроконтроллеры
  • Инверторы
  • Измерительные приборы
  • Программируемые логические контроллеры (PLC)
Выбрано: Показать

Характеристики 2SK208-O(TE85L,F)

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Напряжение туннельного пробоя (V(BR)GSS)
    50 V
  • Ток утечки (Idss) @ Vds (Vgs=0)
    600 µA @ 10 V
  • Ток утечки (Id) - Макс
    6.5 mA
  • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id
    400 mV @ 100 nA
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    8.2pF @ 10V
  • Рассеивание мощности
    100 mW
  • Рабочая температура
    125°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Исполнение корпуса
    SC-59
  • Base Product Number
    2SK208

Техническая документация

 2SK208-O(TE85L,F).pdf
pdf. 0 kb
  • 10808 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    109 ₽
  • 10
    79 ₽
  • 100
    47 ₽
  • 500
    35 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    TOSHIBA
  • Артикул:
    2SK208-O(TE85L,F)
  • Описание:
    JFET N-CH 50V SC59Все характеристики

Минимальная цена 2SK208-O(TE85L,F) при покупке от 1 шт 109.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить 2SK208-O(TE85L,F) с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание 2SK208-O(TE85L,F)

2SK208-O(TE85L,F) TOSHIBA JFET N-CH 50V SC59

  • Тип: JFET (Junction Field-Effect Transistor)
  • Ток носителя: N-канальный
  • Напряжение блокировки: 50В
  • Сопротивление: SC59

Основные параметры:

  • VGS(th): 1.5 - 3.5В (напряжение перехода)
  • I_D(max): 400мА (максимальный ток дrain)
  • R_DS(on): 10 - 20Ω (сопротивление между drain и source при VGS = VGS(th))

Плюсы:

  • Малый ток утечки
  • Высокая стабильность характеристик
  • Низкий уровень шума
  • Компактность

Минусы:

  • Высокое сопротивление при низких напряжениях
  • Необходимость использования отдельного питания для VGS
  • Невозможность работы в режиме биполярного транзистора

Общее назначение:

  • Управление током в различных электронных цепях
  • Изоляция сигналов
  • Фильтрация высокочастотных помех

Применение в устройствах:

  • Радиоприемники
  • Микроконтроллеры
  • Инверторы
  • Измерительные приборы
  • Программируемые логические контроллеры (PLC)
Выбрано: Показать

Характеристики 2SK208-O(TE85L,F)

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Напряжение туннельного пробоя (V(BR)GSS)
    50 V
  • Ток утечки (Idss) @ Vds (Vgs=0)
    600 µA @ 10 V
  • Ток утечки (Id) - Макс
    6.5 mA
  • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id
    400 mV @ 100 nA
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    8.2pF @ 10V
  • Рассеивание мощности
    100 mW
  • Рабочая температура
    125°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Исполнение корпуса
    SC-59
  • Base Product Number
    2SK208

Техническая документация

 2SK208-O(TE85L,F).pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    MMBFJ111Тиристор: JFET N-CH 35V 350MW SOT23-3
    98Кешбэк 14 баллов
    MMBF4117JFET N-CH 40V 0.225W SOT23
    107Кешбэк 16 баллов
    MMBFJ176Тиристор: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
    119Кешбэк 17 баллов
    MMBFJ270Тиристор: JFET P-CH 30V 0.225W SOT23
    125Кешбэк 18 баллов
    MMBFJ110JFET N-CH 25V 0.46W 3-SSOT
    127Кешбэк 19 баллов
    MMBFJ108Тиристор: JFET N-CH 25V 350MW SSOT3
    129Кешбэк 19 баллов
    2SK208-GR(TE85L,F)JFET N-CH 50V SC59
    38Кешбэк 5 баллов
    2SK208-Y(TE85L,F)JFET N-CH 50V S-MINI
    96Кешбэк 14 баллов
    2SK208-O(TE85L,F)JFET N-CH 50V SC59
    109Кешбэк 16 баллов
    2SK879-Y(TE85L,F)JFET N-CH 0.1W USM
    129Кешбэк 19 баллов
    2SK880-BL(TE85L,F)JFET N-CH 50V 0.1W USM
    161Кешбэк 24 балла
    2SK880-Y(TE85L,F)JFET N-CH 50V 0.1W USM
    175Кешбэк 26 баллов
    2SK2145-BL(TE85L,FJFET N-CH 50V SMV
    179Кешбэк 26 баллов
    2SK2145-Y(TE85L,F)MOSFET 2N-CH JFET 50V SMV
    189Кешбэк 28 баллов
    2SK2145-GR(TE85L,FMOSFET 2N-CH JFET 50V SMV
    204Кешбэк 30 баллов
    2SK3320-BL(TE85L,FJFET DUAL N-CH USV
    218Кешбэк 32 балла
    J111,126JFET N-CH 40V 400MW TO92-3
    79Кешбэк 11 баллов
    PF53012SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
    19.2Кешбэк 2 балла
    PN4118SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
    23Кешбэк 3 балла
    PN5434SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
    65Кешбэк 9 баллов
    2N5639SMALL SIGNAL FET
    89Кешбэк 13 баллов
    PN4093JFET N-CH 40V 0.625W TO92
    89Кешбэк 13 баллов
    CMPFJ176 TRТиристор: IC JFET P-CH SOT23-3
    201Кешбэк 30 баллов
    CMPFJ175 TRIC JFET P-CH SOT23-3
    275Кешбэк 41 балл
    PN4393 TRAJFET N-CH 40V 0.625W TO92
    445Кешбэк 66 баллов
    TF202THC-3-TL-HJFET N-CH 1MA 100MW VTFP
    13.5Кешбэк 2 балла
    TF252TH-4-TL-HJFET N-CH 1MA 100MW VTFP
    13.5Кешбэк 2 балла
    2SK3666-2-TB-EJFET NCH 30V 200MW 3CP
    16.3Кешбэк 2 балла
    TF208TH-4-TL-HJFET N-CH 1MA 100MW VTFP
    19.2Кешбэк 2 балла
    TF208TH-5-TL-HJFET N-CH 1MA 100MW VTFP
    19.2Кешбэк 2 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Симисторы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Биполярные транзисторы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Одиночные биполярные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Модули драйверов питания
    Диоды - ВЧ
    Модули триодных тиристоров
    Диодные мосты - Модули
    Симисторы - Модули
    Транзисторные модули
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Высокочастотные диоды
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Одиночные IGBT транзисторы
    Сборки биполярных транзисторов
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды силовые
    Тиристоры - TRIACs
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    IGBT транзисторы
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Тиристоры - SCR
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Транзисторы специального назначения
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диодные мосты
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Одиночные триодные тиристоры
    Диоды выпрямительные - Модули
    Полевые транзисторы - Модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Варикапы и Варакторы
    Диоды - выпрямители - массивы
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП