Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
 Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
2SK208-Y(TE85L,F)
  • В избранное
  • В сравнение
2SK208-Y(TE85L,F)

2SK208-Y(TE85L,F)

2SK208-Y(TE85L,F)
;
2SK208-Y(TE85L,F)

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Toshiba
  • Артикул:
    2SK208-Y(TE85L,F)
  • Описание:
    JFET N-CH 50V S-MINIВсе характеристики

Минимальная цена 2SK208-Y(TE85L,F) при покупке от 1 шт 93.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить 2SK208-Y(TE85L,F) с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание 2SK208-Y(TE85L,F)

2SK208-Y(TE85L,F) Toshiba JFET N-CH 50V S-MINI

  • Основные параметры:
    • Тип: JFET (Junction Field-Effect Transistor)
    • Ток носителей: N-канальный
    • Номинальное напряжение: 50В
    • Форм-фактор: S-MINI
  • Плюсы:
    • Высокая частота работы
    • Малый ток утечки при отключенном входе
    • Высокая стабильность характеристик при изменении температуры
  • Минусы:
    • Низкий ток пропускаемый по каналу
    • Зависимость тока от напряжения при небольших значениях
  • Общее назначение:
    • Распределение напряжений
    • Сглаживание и фильтрация сигналов
    • Усилители низкого уровня
  • В каких устройствах применяется:
    • Радиоприемники
    • Аудиоусилители
    • Программируемые логические элементы (ПЛЭ)
    • Микроконтроллеры
    • Цифровые системы управления
Выбрано: Показать

Характеристики 2SK208-Y(TE85L,F)

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Напряжение туннельного пробоя (V(BR)GSS)
    50 V
  • Ток утечки (Idss) @ Vds (Vgs=0)
    1.2 mA @ 10 V
  • Ток утечки (Id) - Макс
    6.5 mA
  • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id
    400 mV @ 100 nA
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    8.2pF @ 10V
  • Рассеивание мощности
    100 mW
  • Рабочая температура
    125°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Исполнение корпуса
    S-Mini
  • Base Product Number
    2SK208

Техническая документация

 2SK208-Y(TE85L,F).pdf
pdf. 0 kb
  • 11275 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    93 ₽
  • 100
    42 ₽
  • 1000
    30 ₽
  • 6000
    21.3 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Toshiba
  • Артикул:
    2SK208-Y(TE85L,F)
  • Описание:
    JFET N-CH 50V S-MINIВсе характеристики

Минимальная цена 2SK208-Y(TE85L,F) при покупке от 1 шт 93.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить 2SK208-Y(TE85L,F) с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание 2SK208-Y(TE85L,F)

2SK208-Y(TE85L,F) Toshiba JFET N-CH 50V S-MINI

  • Основные параметры:
    • Тип: JFET (Junction Field-Effect Transistor)
    • Ток носителей: N-канальный
    • Номинальное напряжение: 50В
    • Форм-фактор: S-MINI
  • Плюсы:
    • Высокая частота работы
    • Малый ток утечки при отключенном входе
    • Высокая стабильность характеристик при изменении температуры
  • Минусы:
    • Низкий ток пропускаемый по каналу
    • Зависимость тока от напряжения при небольших значениях
  • Общее назначение:
    • Распределение напряжений
    • Сглаживание и фильтрация сигналов
    • Усилители низкого уровня
  • В каких устройствах применяется:
    • Радиоприемники
    • Аудиоусилители
    • Программируемые логические элементы (ПЛЭ)
    • Микроконтроллеры
    • Цифровые системы управления
Выбрано: Показать

Характеристики 2SK208-Y(TE85L,F)

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Напряжение туннельного пробоя (V(BR)GSS)
    50 V
  • Ток утечки (Idss) @ Vds (Vgs=0)
    1.2 mA @ 10 V
  • Ток утечки (Id) - Макс
    6.5 mA
  • Напряжение отсечки (VGS off) @ Id
    400 mV @ 100 nA
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    8.2pF @ 10V
  • Рассеивание мощности
    100 mW
  • Рабочая температура
    125°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Исполнение корпуса
    S-Mini
  • Base Product Number
    2SK208

Техническая документация

 2SK208-Y(TE85L,F).pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    SMMBFJ177LT1GТиристор: TRANS JFET P-CH SOT23
    52Кешбэк 7 баллов
    TF256TH-4-TL-HJFET N-CH 1MA 100MW VTFP
    18.5Кешбэк 2 балла
    2SK932-24-TB-EТиристор: JFET N-CH 50MA 200MW CP
    91Кешбэк 13 баллов
    MMBF4393LT1GJFET N-CH 30V 0.225W SOT23-3
    55Кешбэк 8 баллов
    MCH3914-7-TL-HJFET N-CH 50MA 300MW SC70FL/MCPH
    178Кешбэк 26 баллов
    MMBF5457Тиристор: JFET N-CH 25V 350MW SOT23
    43Кешбэк 6 баллов
    SMMBF4393LT1GJFET N-CH 30V 0.225W SOT23-3
    145Кешбэк 21 балл
    2SK932-22-TB-EJFET N-CH 50MA 200MW 3CP
    133Кешбэк 19 баллов
    J109JFET N-CH 25V 625MW TO92
    64Кешбэк 9 баллов
    2SK880-BL(TE85L,F)JFET N-CH 50V 0.1W USM
    157Кешбэк 23 балла
    2SK880-Y(TE85L,F)JFET N-CH 50V 0.1W USM
    157Кешбэк 23 балла
    P1087JFET P-CH 30V 350MW TO92
    847Кешбэк 127 баллов
    PN4391SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
    795Кешбэк 119 баллов
    P1086JFET P-CH 30V 0.35W TO92
    847Кешбэк 127 баллов
    PN4117JFET N-CH 40V 0.35W TO92
    695Кешбэк 104 балла
    2N4858AТиристор: JFET N-CH 40V 0.36W TO-18
    2 842Кешбэк 426 баллов
    2N4391N CHANNEL J-FET T0-18
    2 701Кешбэк 405 баллов
    2N5116P-CHANNEL MOSFET TO-18
    2 785Кешбэк 417 баллов
    2N4392N CHANNEL J-FET T0-18
    2 703Кешбэк 405 баллов
    2N4393N CHANNEL J-FET T0-18
    2 703Кешбэк 405 баллов
    2N4118AMOSFET N-CH 40V 80UA TO-206AF
    4 055Кешбэк 608 баллов
    J112Тиристор: JFET N-CH 35V 625MW TO92
    96Кешбэк 14 баллов
    MMBFJ108Тиристор: JFET N-CH 25V 350MW SSOT3
    124Кешбэк 18 баллов
    J111SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
    78Кешбэк 11 баллов
    MMBFJ111Тиристор: JFET N-CH 35V 350MW SOT23-3
    94Кешбэк 14 баллов
    MMBF4093JFET N-CH 40V 350MW SOT23-3
    111Кешбэк 16 баллов
    2N5462JFET P-CH 40V 0.35W TO92
    97Кешбэк 14 баллов
    MMBF5461SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
    36Кешбэк 5 баллов
    MMBFJ305Транзистор: JFET N-CH 30V 0.225W SOT23
    85Кешбэк 12 баллов
    PN4091SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
    35Кешбэк 5 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - выпрямители - массивы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - Специального назначения
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Тиристоры - SCR - модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Симисторы - Модули
    Принадлежности
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - JFET
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диодные мосты
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Триодные тиристоры - Модули
    Драйверы питания - Модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    Симисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Тиристоры - TRIACs
    Варикапы и Варакторы
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диодные мосты - Модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - IGBT - модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - Модули
    Диоды силовые
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - SCR
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды выпрямительные - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Высокочастотные биполярные транзисторы
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП