Каталог товаров
Доставка
Оплата
Кешбэк
Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров

Как заказать

О компании

8 800 550-00-22 info@eicom.ru

Доставка Оплата Кешбэк Контакты

Загрузить BOM

Избранное Сравнение Корзина

Вход/Регистрация

% Акции Разъемы Реле Вентиляторы Микросхемы Датчики и сенсоры Транзисторы и диоды Конденсаторы Предохранители Весь каталог

Избранное

Войти

Дискретные полупроводники

Полевые транзисторы - Модули

APT21M100J

В избранное
В сравнение

APT21M100J

APT21M100J

APT21M100J

;

APT21M100J

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Производитель:
Microsemi Corporation
Артикул:
APT21M100J
Описание:
MOSFET N-CH 1000V 21A ISOTOPВсе характеристики

Минимальная цена APT21M100J при покупке от 1 шт 8155.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить APT21M100J с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрать все

Выбрано: Показать

Характеристики APT21M100J

Package
Tube
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток ( (Vdss)
1000 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
21A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
380mOhm @ 16A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 2.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
260 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
8500 pF @ 25 V
Рассеивание мощности (Макс)
462W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Вид монтажа
Chassis Mount
Исполнение корпуса
ISOTOP®
Корпус
SOT-227-4, miniBLOC
Base Product Number
APT21M100

Техническая документация

pdf. 0 kb

17 шт
3-6 недель

Количество
Цена
1
8 155 ₽
7
7 747 ₽
13
7 340 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

В избранное
В сравнение

Производитель:
Microsemi Corporation
Артикул:
APT21M100J
Описание:
MOSFET N-CH 1000V 21A ISOTOPВсе характеристики

Минимальная цена APT21M100J при покупке от 1 шт 8155.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить APT21M100J с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрать все

Выбрано: Показать

Характеристики APT21M100J

Package
Tube
Тип полевого транзистора
N-Channel
Технология
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение сток-исток ( (Vdss)
1000 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
21A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
380mOhm @ 16A, 10V
Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
5V @ 2.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
260 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
8500 pF @ 25 V
Рассеивание мощности (Макс)
462W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 150°C (TJ)
Вид монтажа
Chassis Mount
Исполнение корпуса
ISOTOP®
Корпус
SOT-227-4, miniBLOC
Base Product Number
APT21M100

Техническая документация

pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары

Похожие товары

BSM120D12P2C005 Транзистор: MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE

79 842Кешбэк 11 976 баллов

BSM180D12P2C101 Транзистор: MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE

84 867Кешбэк 12 730 баллов

CAS300M17BM2 Транзистор: MOSFET 2N-CH 1700V 325A MODULE

189 367Кешбэк 28 405 баллов

APT30M19JVFR MOSFET N-CH 300V 130A ISOTOP

12 534Кешбэк 1 880 баллов

CAS120M12BM2 Транзистор: MOSFET 2N-CH 1200V 193A MODULE

96 380Кешбэк 14 457 баллов

CCS050M12CM2 Транзистор: MOSFET 6N-CH 1200V 87A MODULE

102 406Кешбэк 15 360 баллов

CAS300M12BM2 Транзистор: MOSFET 2N-CH 1200V 404A MODULE

148 357Кешбэк 22 253 балла

IXFN20N120P MOSFET N-CH 1200V 20A SOT-227B

3 043Кешбэк 456 баллов

IXFN360N10T MOSFET N-CH 100V 360A SOT-227B

5 074Кешбэк 761 балл

IXFN180N15P MOSFET N-CH 150V 150A SOT-227B

5 121Кешбэк 768 баллов

IXFN180N25T MOSFET N-CH 250V 168A SOT227B

5 387Кешбэк 808 баллов

IXFN200N10P MOSFET N-CH 100V 200A SOT-227B

5 492Кешбэк 823 балла

IXFN140N20P MOSFET N-CH 200V 115A SOT227B

5 492Кешбэк 823 балла

IXFN64N50P MOSFET N-CH 500V 61A SOT227B

5 676Кешбэк 851 балл

IXFN420N10T MOSFET N-CH 100V 420A SOT227B

5 714Кешбэк 857 баллов

IXFN44N80P MOSFET N-CH 800V 39A SOT-227B

5 986Кешбэк 897 баллов

IXFN160N30T MOSFET N-CH 300V 130A SOT227B

6 024Кешбэк 903 балла

IXFN64N60P MOSFET N-CH 600V 50A SOT227B

6 468Кешбэк 970 баллов

IXFN140N30P MOSFET N-CH 300V 110A SOT-227B

6 474Кешбэк 971 балл

IXFN520N075T2 MOSFET N-CH 75V 480A SOT227B

6 557Кешбэк 983 балла

IXFN80N60P3 MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227B

6 770Кешбэк 1 015 баллов

IXFN80N50P MOSFET N-CH 500V 66A SOT227B

6 827Кешбэк 1 024 балла

IXTN170P10P MOSFET P-CH 100V 170A SOT227B

6 928Кешбэк 1 039 баллов

IXTN40P50P MOSFET P-CH 500V 40A SOT227B

6 928Кешбэк 1 039 баллов

IXTN32P60P MOSFET P-CH 600V 32A SOT227B

6 945Кешбэк 1 041 балл

IXTN90P20P MOSFET P-CH 200V 90A SOT227B

6 945Кешбэк 1 041 балл

IXTN600N04T2 MOSFET N-CH 40V 600A SOT227B

7 067Кешбэк 1 060 баллов

IXKN40N60C MOSFET N-CH 600V 40A SOT-227B

7 114Кешбэк 1 067 баллов

IXFN210N30P3 MOSFET N-CH 300V 192A SOT227B

7 161Кешбэк 1 074 балла

IXFN32N100P MOSFET N-CH 1000V 27A SOT-227B

7 171Кешбэк 1 075 баллов

Похожие категории

Все товары

Похожие категории

Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)

Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET

Полевые транзисторы - Сборки

Модули триодных тиристоров

Динисторы (DIAC, SIDAC)

Высокочастотные биполярные транзисторы

IGBT транзисторы

Диоды - выпрямители - одиночные

Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением

Тиристоры - SCR

Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)

Диоды - мостовые выпрямители

Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки

Высокочастотные полевые транзисторы

Варикапы и Варакторы

Модули драйверов питания

Транзисторы - JFET

Диоды выпрямительные - Модули

Принадлежности для дискретных полупроводников

Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами

Транзисторы специального назначения

Диоды выпрямительные - Сборки

Транзисторы - IGBT - модули

Программируемые однопереходные транзисторы

Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)

Тиристоры - SCR - модули

Диодные мосты - Модули

Модули драйверов питания

Диоды силовые

Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные

Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором

Полевые транзисторы - Одиночные

Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ

Диоды - выпрямители - массивы

Симисторы

Тиристоры - TRIACs

Транзисторные модули

Биполярные транзисторы

Диоды - ВЧ

Сборки биполярных транзисторов

Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением

Одиночные IGBT транзисторы

Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)

Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные

Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы

Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы

Диодные мосты

IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)

Симисторы - Модули

Транзисторы - программируемые однопереходные

Диоды и транзисторы для регулирования тока

Полевые транзисторы - Модули

Одиночные биполярные транзисторы

Диоды выпрямительные - Одиночные

Высокочастотные диоды

Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ

Одиночные триодные тиристоры

Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)

Оставьте оценку на Яндексе

Каталог товаров
Доставка
Оплата
Производители
Акции

Как купить
Кешбэк
Как сделать заказ
Загрузка BOM-листа
Возврат и обмен
Состояние заказа

О компании
Отзывы
Новости
Статьи
Вакансии
Правовая информация
Контакты

8 800 550-00-22

Пн-Пт 9:30 - 17:30

Оставьте оценку на Яндексе

Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.

© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали