Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Модули
APT5010JVRU2
  • В избранное
  • В сравнение
APT5010JVRU2

APT5010JVRU2

APT5010JVRU2
;
APT5010JVRU2

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Microchip Technology
  • Артикул:
    APT5010JVRU2
  • Описание:
    MOSFET N-CH 500V 44A SOT227Все характеристики

Минимальная цена APT5010JVRU2 при покупке от 1 шт 5554.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить APT5010JVRU2 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание APT5010JVRU2

APT5010JVRU2 Microchip Technology MOSFET N-CH 500V 44A SOT227

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 500В
    • Размер тока: 44А
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Пакет: SOT227
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при низком сопротивлении
    • Низкое энергопотребление
    • Высокая надежность и долговечность
    • Малый размер и легкость интеграции в дизайн
  • Минусы:
    • При работе при больших токах возможны перегрев
    • Необходимо учитывать влияние радиального нагрева
  • Общее назначение:
    • Управление электрическими цепями
    • Уменьшение энергопотерь в системах
    • Регулировка мощности в различных устройствах
  • Применение:
    • Автомобильные системы
    • Инверторы
    • Системы управления мощностью
    • Мобильные устройства
    • Питание серверных шкафов
Выбрано: Показать

Характеристики APT5010JVRU2

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    500 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    44A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    100mOhm @ 22A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 2.5mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    312 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    7410 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    450W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Chassis Mount
  • Исполнение корпуса
    SOT-227
  • Корпус
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Base Product Number
    APT5010

Техническая документация

 APT5010JVRU2.pdf
pdf. 0 kb
  • 49 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    5 554 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Microchip Technology
  • Артикул:
    APT5010JVRU2
  • Описание:
    MOSFET N-CH 500V 44A SOT227Все характеристики

Минимальная цена APT5010JVRU2 при покупке от 1 шт 5554.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить APT5010JVRU2 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание APT5010JVRU2

APT5010JVRU2 Microchip Technology MOSFET N-CH 500V 44A SOT227

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 500В
    • Размер тока: 44А
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Пакет: SOT227
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при низком сопротивлении
    • Низкое энергопотребление
    • Высокая надежность и долговечность
    • Малый размер и легкость интеграции в дизайн
  • Минусы:
    • При работе при больших токах возможны перегрев
    • Необходимо учитывать влияние радиального нагрева
  • Общее назначение:
    • Управление электрическими цепями
    • Уменьшение энергопотерь в системах
    • Регулировка мощности в различных устройствах
  • Применение:
    • Автомобильные системы
    • Инверторы
    • Системы управления мощностью
    • Мобильные устройства
    • Питание серверных шкафов
Выбрано: Показать

Характеристики APT5010JVRU2

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    500 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    44A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    100mOhm @ 22A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 2.5mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    312 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    7410 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    450W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Chassis Mount
  • Исполнение корпуса
    SOT-227
  • Корпус
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Base Product Number
    APT5010

Техническая документация

 APT5010JVRU2.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    IXFN32N100Q3MOSFET N-CH 1000V 28A SOT227B
    11 359Кешбэк 1 703 балла
    IXTN110N20L2MOSFET N-CH 200V 100A SOT227B
    9 265Кешбэк 1 389 баллов
    IXTN46N50LMOSFET N-CH 500V 46A SOT-227B
    10 644Кешбэк 1 596 баллов
    IXFN80N50MOSFET N-CH 500V 80A SOT-227B
    11 170Кешбэк 1 675 баллов
    IXTN8N150LMOSFET N-CH 1500V 7.5A SOT-227B
    8 626Кешбэк 1 293 балла
    IXFN56N90PMOSFET N-CH 900V 56A SOT-227B
    11 036Кешбэк 1 655 баллов
    IXTN40P50PMOSFET P-CH 500V 40A SOT227B
    6 773Кешбэк 1 015 баллов
    IXFN82N60Q3MOSFET N-CH 600V 66A SOT227B
    10 873Кешбэк 1 630 баллов
    IXFN140N30PMOSFET N-CH 300V 110A SOT-227B
    6 314Кешбэк 947 баллов
    IXFN110N60P3MOSFET N-CH 600V 90A SOT227B
    7 455Кешбэк 1 118 баллов
    IXFN210N30P3MOSFET N-CH 300V 192A SOT227B
    8 507Кешбэк 1 276 баллов
    IXTN170P10PMOSFET P-CH 100V 170A SOT227B
    7 148Кешбэк 1 072 балла
    IXFN60N80PMOSFET N-CH 800V 53A SOT-227B
    7 965Кешбэк 1 194 балла
    IXFN160N30TMOSFET N-CH 300V 130A SOT227B
    5 875Кешбэк 881 балл
    IXFN360N15T2MOSFET N-CH 150V 310A SOT227B
    9 015Кешбэк 1 352 балла
    IXFN44N80PMOSFET N-CH 800V 39A SOT-227B
    6 169Кешбэк 925 баллов
    IXFN360N10TMOSFET N-CH 100V 360A SOT-227B
    5 260Кешбэк 789 баллов
    IXFN38N100PMOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227B
    9 082Кешбэк 1 362 балла
    IXFN80N60P3MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227B
    6 603Кешбэк 990 баллов
    IXTN90N25L2MOSFET N-CH 250V 90A SOT227B
    10 103Кешбэк 1 515 баллов
    IXFN80N50Q3MOSFET N-CH 500V 63A SOT227B
    9 363Кешбэк 1 404 балла
    IXFN32N120PMOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B
    13 343Кешбэк 2 001 балл
    IXFN132N50P3MOSFET N-CH 500V 112A SOT227B
    8 554Кешбэк 1 283 балла
    IXFN420N10TMOSFET N-CH 100V 420A SOT227B
    5 947Кешбэк 892 балла
    IXTN32P60PMOSFET P-CH 600V 32A SOT227B
    5 419Кешбэк 812 баллов
    IXFN20N120PMOSFET N-CH 1200V 20A SOT-227B
    3 811Кешбэк 571 балл
    IXFN44N100PMOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227B
    8 576Кешбэк 1 286 баллов
    IXFN44N80Q3MOSFET N-CH 800V 37A SOT227B
    11 359Кешбэк 1 703 балла
    IXFN62N80Q3MOSFET N-CH 800V 49A SOT227B
    8 871Кешбэк 1 330 баллов
    IXFN44N100Q3MOSFET N-CH 1000V 38A SOT227B
    16 800Кешбэк 2 520 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - IGBT - модули
    Принадлежности
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Биполярные транзисторы
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диодные мосты - Модули
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Симисторы - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Триодные тиристоры - Модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Модули драйверов питания
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диодные мосты
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды выпрямительные - Модули
    Тиристоры - TRIACs
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Высокочастотные диоды
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - JFET
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - Специального назначения
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - Модули
    Драйверы питания - Модули
    Диоды силовые
    Диоды - мостовые выпрямители
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Симисторы
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП