Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
APT65GP60J
  • В избранное
  • В сравнение
APT65GP60J

APT65GP60J

APT65GP60J
;
APT65GP60J

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Microsemi Corporation
  • Артикул:
    APT65GP60J
  • Описание:
    Транзистор: IGBT MOD 600V 130A 431W ISOTOPВсе характеристики

Минимальная цена APT65GP60J при покупке от 1 шт 9978.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить APT65GP60J с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание APT65GP60J

APT65GP60J Microsemi Corporation IGBT MOD 600V 130A 431W ISOTOP

  • Основные параметры:
    • Максимальное напряжениеcollector-emitter (VCEO): 600В
    • Максимальный ток collector (ICM): 130А
    • Максимальная мощность (PDMAX): 431Вт
    • Тип: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
    • Форм-фактор: ISOTOP (Integrated Silicon On Sapphire Top)
  • Плюсы:
    • Высокая надежность благодаря использованию технологии ISOTOP
    • Высокий коэффициент усиления и быстрое включение/выключение
    • Устойчивость к перегреву и износу
    • Эффективное управление мощностью
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов
    • Требуется более сложное охлаждение из-за высокой мощности
  • Общее назначение:
    • Используется в промышленных приложениях для управления мощностью
    • Подходит для систем преобразования энергии и управления двигателем
    • Способствует повышению эффективности и надежности электронных устройств
  • Применение:
    • Автомобильные системы
    • Промышленные приводы
    • Системы управления энергией
    • Напряжения питания
Выбрано: Показать

Характеристики APT65GP60J

  • Package
    Tube
  • Тип IGBT
    PT
  • Конфигурация
    Single
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    600 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    130 A
  • Рассеивание мощности
    431 W
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    2.7V @ 15V, 65A
  • Обратный ток коллектора (Max)
    1 mA
  • Входная емкость (Cies) @ Vce
    7.4 nF @ 25 V
  • Вход
    Standard
  • NTC термистр
    No
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Chassis Mount
  • Корпус
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Исполнение корпуса
    ISOTOP®
  • Base Product Number
    APT65GP60

Техническая документация

 APT65GP60J.pdf
pdf. 0 kb
  • 10 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    9 978 ₽
  • 6
    9 479 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Microsemi Corporation
  • Артикул:
    APT65GP60J
  • Описание:
    Транзистор: IGBT MOD 600V 130A 431W ISOTOPВсе характеристики

Минимальная цена APT65GP60J при покупке от 1 шт 9978.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить APT65GP60J с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание APT65GP60J

APT65GP60J Microsemi Corporation IGBT MOD 600V 130A 431W ISOTOP

  • Основные параметры:
    • Максимальное напряжениеcollector-emitter (VCEO): 600В
    • Максимальный ток collector (ICM): 130А
    • Максимальная мощность (PDMAX): 431Вт
    • Тип: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
    • Форм-фактор: ISOTOP (Integrated Silicon On Sapphire Top)
  • Плюсы:
    • Высокая надежность благодаря использованию технологии ISOTOP
    • Высокий коэффициент усиления и быстрое включение/выключение
    • Устойчивость к перегреву и износу
    • Эффективное управление мощностью
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов
    • Требуется более сложное охлаждение из-за высокой мощности
  • Общее назначение:
    • Используется в промышленных приложениях для управления мощностью
    • Подходит для систем преобразования энергии и управления двигателем
    • Способствует повышению эффективности и надежности электронных устройств
  • Применение:
    • Автомобильные системы
    • Промышленные приводы
    • Системы управления энергией
    • Напряжения питания
Выбрано: Показать

Характеристики APT65GP60J

  • Package
    Tube
  • Тип IGBT
    PT
  • Конфигурация
    Single
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    600 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    130 A
  • Рассеивание мощности
    431 W
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    2.7V @ 15V, 65A
  • Обратный ток коллектора (Max)
    1 mA
  • Входная емкость (Cies) @ Vce
    7.4 nF @ 25 V
  • Вход
    Standard
  • NTC термистр
    No
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Chassis Mount
  • Корпус
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Исполнение корпуса
    ISOTOP®
  • Base Product Number
    APT65GP60

Техническая документация

 APT65GP60J.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    FMG2G400US60Транзистор: IGBT, 400A, 600V, N-CHANNEL
    21 850Кешбэк 3 277 баллов
    APTGT50DDA120T3GТранзистор: IGBT MODULE 1200V 75A 270W SP3
    18 355Кешбэк 2 753 балла
    APT70GR120JТранзистор: IGBT MOD 1200V 112A 543W SOT227
    7 516Кешбэк 1 127 баллов
    APTGT75A60T1GТранзистор: IGBT MODULE 600V 100A 250W SP1
    15 249Кешбэк 2 287 баллов
    APT65GP60JТранзистор: IGBT MOD 600V 130A 431W ISOTOP
    9 978Кешбэк 1 496 баллов
    CPV364M4UIGBT MODULE 600V 20A 63W IMS-2
    32 616Кешбэк 4 892 балла
    FZ800R33KL2CNOSA1Транзистор: IGBT MOD 3300V 1500A 9800W
    216 995Кешбэк 32 549 баллов
    MG12300D-BN2MMТранзистор: IGBT MODULE 1200V 480A 1450W D3
    34 943Кешбэк 5 241 балл
    APT75GT120JU3Транзистор: IGBT MOD 1200V 100A 416W SOT227
    8 263Кешбэк 1 239 баллов
    CM450DY-24SТранзистор: IGBT MOD 1200V 410A 3330W
    59 107Кешбэк 8 866 баллов
    CM200DU-12NFHТранзистор: IGBT MOD 600V 200A 590W
    26 834Кешбэк 4 025 баллов
    CM300DX-24SТранзистор: IGBT MOD 1200V 300A 2270W
    39 306Кешбэк 5 895 баллов
    CM200EXS-24SТранзистор: IGBT MOD 1200V 200A 1500W
    22 747Кешбэк 3 412 баллов
    VS-GB70NA60UFТранзистор: IGBT MOD 600V 111A 447W SOT227
    3 807Кешбэк 571 балл
    VS-CPV362M4UPBFТранзистор: IGBT MODULE 600V 7.2A 23W IMS-2
    8 893Кешбэк 1 333 балла
    VS-GT100NA120UXТранзистор: IGBT MOD 1200V 134A 463W SOT227
    11 116Кешбэк 1 667 баллов
    VS-CPV363M4FPBFТранзистор: IGBT MODULE 600V 3PHASE IMS-2
    6 020Кешбэк 903 балла
    IXGN320N60A3Транзистор: IGBT MOD 600V 320A 735W SOT227B
    7 055Кешбэк 1 058 баллов
    IXYN100N65C3H1Транзистор: IGBT MOD 650V 166A 600W SOT227B
    5 601Кешбэк 840 баллов
    IXYN100N120C3H1Транзистор: IGBT MOD 1200V 134A 690W SOT227B
    7 262Кешбэк 1 089 баллов
    IXGN200N60B3Транзистор: IGBT MOD 600V 300A 830W SOT227B
    9 135Кешбэк 1 370 баллов
    IXYN100N120B3H1Транзистор: IGBT MOD 1200V 165A 690W SOT227B
    6 688Кешбэк 1 003 балла
    IXXN100N60B3H1Транзистор: IGBT MOD 600V 170A 500W SOT227B
    5 753Кешбэк 862 балла
    IXYN82N120C3Транзистор: IGBT MOD 1200V 105A 500W SOT227B
    5 375Кешбэк 806 баллов
    IXYN82N120C3H1Транзистор: IGBT MOD 1200V 105A 500W SOT227B
    6 360Кешбэк 954 балла
    IXGN400N60B3Транзистор: IGBT MOD 600V 430A 1000W SOT227B
    10 240Кешбэк 1 536 баллов
    IXYN120N120C3Транзистор: IGBT MOD 1200V 240A SOT227B
    6 801Кешбэк 1 020 баллов
    IXGN72N60C3H1Транзистор: IGBT MOD 600V 78A 360W SOT227B
    5 747Кешбэк 862 балла
    IXYN100N65A3Транзистор: IGBT MOD 650V 170A 600W SOT227B
    5 593Кешбэк 838 баллов
    IXGN100N170Транзистор: IGBT MOD 1700V 160A 735W SOT227B
    13 258Кешбэк 1 988 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Драйверы питания - Модули
    IGBT транзисторы
    Диодные мосты - Модули
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диодные мосты
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Принадлежности
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диоды силовые
    Диоды - выпрямители - массивы
    Высокочастотные диоды
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Симисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Симисторы - Модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Тиристоры - SCR
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Тиристоры - TRIACs
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Биполярные транзисторы
    Триодные тиристоры - Модули
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - IGBT - модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Тиристоры - SCR - модули
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - Специального назначения
    Полевые транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды - мостовые выпрямители
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Полевые транзисторы - Модули
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП