Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диодные мосты - Модули
APTDF200H60G
  • В избранное
  • В сравнение
APTDF200H60G

APTDF200H60G

APTDF200H60G
;
APTDF200H60G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Microchip Technology
  • Артикул:
    APTDF200H60G
  • Описание:
    BRIDGE RECT 1PHASE 600V 270A SP6Все характеристики

Минимальная цена APTDF200H60G при покупке от 1 шт 19437.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить APTDF200H60G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание APTDF200H60G

APTDF200H60G Microchip Technology BRIDGE RECT 1PHASE 600V 270A SP6

  • Основные параметры:
    • Мощность: 270 А
    • Напряжение: 600 В
    • Тип: Бридж-рецептор однотактовый
    • Производитель: Microchip Technology
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Устойчивость к перегреву и перенапряжению
    • Эффективность работы
    • Малый размер и легкость установки
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с менее мощными моделями
    • Требует точной настройки при установке
  • Общее назначение:
    • Преобразование переменного тока в постоянный для различных приложений
    • Использование в электропитании устройств, требующих постоянного тока
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильных аккумуляторах
    • Системах управления двигателем (ECU)
    • Блоках питания
    • Инверторах
    • Реле и датчиках
Выбрано: Показать

Характеристики APTDF200H60G

  • Тип диода
    Single Phase
  • Технология
    Standard
  • Обратное Напряжение (Макс)
    600 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    270 A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    2 V @ 200 A
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    350 µA @ 600 V
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Chassis Mount
  • Корпус
    SP6
  • Исполнение корпуса
    SP6
  • Base Product Number
    APTDF200

Техническая документация

 APTDF200H60G.pdf
pdf. 0 kb
  • 3 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    19 437 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Microchip Technology
  • Артикул:
    APTDF200H60G
  • Описание:
    BRIDGE RECT 1PHASE 600V 270A SP6Все характеристики

Минимальная цена APTDF200H60G при покупке от 1 шт 19437.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить APTDF200H60G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание APTDF200H60G

APTDF200H60G Microchip Technology BRIDGE RECT 1PHASE 600V 270A SP6

  • Основные параметры:
    • Мощность: 270 А
    • Напряжение: 600 В
    • Тип: Бридж-рецептор однотактовый
    • Производитель: Microchip Technology
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Устойчивость к перегреву и перенапряжению
    • Эффективность работы
    • Малый размер и легкость установки
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с менее мощными моделями
    • Требует точной настройки при установке
  • Общее назначение:
    • Преобразование переменного тока в постоянный для различных приложений
    • Использование в электропитании устройств, требующих постоянного тока
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильных аккумуляторах
    • Системах управления двигателем (ECU)
    • Блоках питания
    • Инверторах
    • Реле и датчиках
Выбрано: Показать

Характеристики APTDF200H60G

  • Тип диода
    Single Phase
  • Технология
    Standard
  • Обратное Напряжение (Макс)
    600 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    270 A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    2 V @ 200 A
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    350 µA @ 600 V
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Chassis Mount
  • Корпус
    SP6
  • Исполнение корпуса
    SP6
  • Base Product Number
    APTDF200

Техническая документация

 APTDF200H60G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    VS-70MT120KPBFBRIDGE RECT 3P 1.2KV 70A MT-K
    13 333Кешбэк 1 999 баллов
    VS-110MT160KPBFBRIDGE RECT 3P 1.6KV 110A MT-K
    13 457Кешбэк 2 018 баллов
    VS-90MT120KPBFBRIDGE RECT 3P 1.2KV 90A MT-K
    14 962Кешбэк 2 244 балла
    VS-130MT120KPBFДиод: BRIDGE RECT 3P 1.2KV 130A MT-K
    15 517Кешбэк 2 327 баллов
    VS-160MT80KPBFBRIDGE RECT 3P 800V 160A MT-K
    15 971Кешбэк 2 395 баллов
    VS-160MT120KPBFДиод: BRIDGE RECT 3P 1.2KV 160A MT-K
    15 979Кешбэк 2 396 баллов
    VS-130MT160KPBFBRIDGE RECT 3P 1.6KV 130A MT-K
    16 657Кешбэк 2 498 баллов
    B483H-2TBRIDGE RECT 1PHASE 1.6KV 35A
    19 368Кешбэк 2 905 баллов
    VUO25-16NO8BRIDGE RECT 3P 1.6KV 25A PWS-E1
    2 709Кешбэк 406 баллов
    VUO25-14NO8BRIDGE RECT 3P 1.4KV 25A PWS-E1
    2 813Кешбэк 421 балл
    VUO25-12NO8BRIDGE RECT 3P 1.2KV 25A PWS-E1
    2 880Кешбэк 432 балла
    VUO36-12NO8BRIDGE RECT 3P 1.2KV 27A FO-B
    2 902Кешбэк 435 баллов
    VUO36-14NO8BRIDGE RECT 3P 1.4KV 27A FO-B
    2 902Кешбэк 435 баллов
    VUO36-16NO8BRIDGE RECT 3P 1.6KV 27A FO-B
    3 059Кешбэк 458 баллов
    VUO36-18NO8BRIDGE RECT 3P 1.8KV 27A FO-B
    3 146Кешбэк 471 балл
    VUO68-08NO7BRIDGE RECT 3P 800V 68A ECO-PAC1
    3 292Кешбэк 493 балла
    VUO68-12NO7BRIDGE RECT 3P 1.2KV 68A ECOPAC1
    3 298Кешбэк 494 балла
    VUO86-12NO7BRIDGE RECT 3P 1.2KV 86A ECOPAC1
    3 629Кешбэк 544 балла
    VBE55-06NO7BRIDGE RECT 1P 600V 68A ECO-PAC1
    3 749Кешбэк 562 балла
    VBE17-12NO7BRIDGE RECT 1P 1.2KV 19A ECOPAC1
    3 816Кешбэк 572 балла
    VUE75-06NO7BRIDGE RECT 3P 600V 86A ECO-PAC1
    3 882Кешбэк 582 балла
    VUO86-16NO7BRIDGE RECT 3P 1.6KV 86A ECOPAC1
    3 897Кешбэк 584 балла
    VUO68-16NO7BRIDGE RECT 3P 1.6KV 68A ECOPAC1
    3 978Кешбэк 596 баллов
    VBO40-12NO6BRIDGE RECT 1P 1.2KV 40A SOT227B
    5 243Кешбэк 786 баллов
    VUO98-12NO7Диод: BRIDGE RECT 3P 1.2KV ECO-PAC2
    5 253Кешбэк 787 баллов
    VBO40-08NO6BRIDGE RECT 1P 800V 40A SOT227B
    5 267Кешбэк 790 баллов
    VUO52-16NO1Диод: BRIDGE RECT 3P 1.6KV 54A V1-A
    5 274Кешбэк 791 балл
    VBE60-06ABRIDGE RECT 1P 600V 60A SOT227B
    5 630Кешбэк 844 балла
    VUO52-12NO1BRIDGE RECT 3P 1.2KV 54A V1-A
    6 323Кешбэк 948 баллов
    VUO80-08NO1BRIDGE RECT 3PHASE 800V 82A V1-A
    6 522Кешбэк 978 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды силовые
    Одиночные триодные тиристоры
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Транзисторные модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Биполярные транзисторы
    Сборки биполярных транзисторов
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Одиночные биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы специального назначения
    Диодные мосты
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - JFET
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Варикапы и Варакторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Одиночные IGBT транзисторы
    Модули драйверов питания
    Полевые транзисторы - Модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Симисторы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Диодные мосты - Модули
    Тиристоры - TRIACs
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды - ВЧ
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    IGBT транзисторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Модули триодных тиристоров
    Тиристоры - SCR
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Высокочастотные диоды
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Высокочастотные биполярные транзисторы
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП